公开(公告)号：US07262544B2

公开(公告)日：2007-08-28

申请号：US11024961

申请日：2004-12-30

申请人： Katsumi Aoki ,  Kenichi Takeda ,  Tetsuro Fukui ,  Hiroshi Funakubo ,  Shoji Okamoto ,  Goji Asano

发明人： Katsumi Aoki ,  Kenichi Takeda ,  Tetsuro Fukui ,  Hiroshi Funakubo ,  Shoji Okamoto ,  Goji Asano

IPC分类号： B41J2/01 ,  H01L41/047

CPC分类号： B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319

摘要： To provide a dielectric layer of crystal structure preferentially or uniaxially oriented on a common substrate.A dielectric element of desired quality can be stably produced even on a common substrate for film-making by forming a lower electrode layer, dielectric layer and upper electrode layer in this order on a substrate, wherein each of these layers are designed to be preferentially or uniaxially oriented, and to have a specific half bandwidth, determined by fitting a pseudo-Voigt function.

摘要翻译： 提供在公共基板上优先或单向取向的晶体结构的介电层。 通过在基板上依次形成下电极层，电介质层和上电极层，即使在通常的薄膜制造用基板上也可以稳定地制造所需品质的电介质元件，其中，各层被设计为优选地 通过拟合伪Voigt函数确定具有特定的半带宽。

公开(公告)号：US20050168112A1

公开(公告)日：2005-08-04

申请号：US11024961

申请日：2004-12-30

申请人： Katsumi Aoki ,  Kenichi Takeda ,  Tetsuro Fukui ,  Hiroshi Funakubo ,  Shoji Okamoto ,  Goji Asano

发明人： Katsumi Aoki ,  Kenichi Takeda ,  Tetsuro Fukui ,  Hiroshi Funakubo ,  Shoji Okamoto ,  Goji Asano

IPC分类号： B41J2/01 ,  B41J2/045 ,  B41J2/14 ,  H01L41/047 ,  H01L41/09 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319 ,  H01L41/187

CPC分类号： B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319

摘要： To provide a dielectric layer of crystal structure preferentially or uniaxially oriented on a common substrate. A dielectric element of desired quality can be stably produced even on a common substrate for film-making by forming a lower electrode layer, dielectric layer and upper electrode layer in this order on a substrate, wherein each of these layers are designed to be preferentially or uniaxially oriented, and to have a specific half bandwidth, determined by fitting a pseudo-Voigt function.

摘要翻译： 提供在公共基板上优先或单向取向的晶体结构的介电层。 通过在基板上依次形成下电极层，电介质层和上电极层，即使在通常的薄膜制造用基板上也可以稳定地制造所需品质的电介质元件，其中，各层被设计为优选地 通过拟合伪Voigt函数确定具有特定的半带宽。

公开(公告)号：US20050213020A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：US11085091

申请日：2005-03-22

申请人： Kenichi Takeda ,  Toshihiro Ifuku ,  Tetsuro Fukui ,  Hiroshi Funakubo ,  Shoji Okamoto

发明人： Kenichi Takeda ,  Toshihiro Ifuku ,  Tetsuro Fukui ,  Hiroshi Funakubo ,  Shoji Okamoto

IPC分类号： B41J2/16 ,  B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/135 ,  B41J2/14 ,  B41J2/145 ,  H01L21/02 ,  H01L41/047 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22 ,  H01L41/29 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319 ,  C09K19/02

CPC分类号： H01L41/0478 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/29 ,  H01L41/316

摘要： A dielectric member including, on a substrate, a lower electrode, an oriented dielectric layer, and an upper electrode, in which at least either of the electrodes has an at least two-layered structure constituted of perovskite type oxide conductive layers, and has an orientation.

摘要翻译： 一种电介质构件，在基板上包括下电极，取向介质层和上电极，其中至少任一个电极具有由钙钛矿型氧化物导电层构成的至少两层结构，并且具有 方向。

公开(公告)号：US07857431B2

公开(公告)日：2010-12-28

申请号：US11813943

申请日：2006-01-18

申请人： Tetsuro Fukui ,  Kenichi Takeda ,  Toshihiro Ifuku ,  Hiroshi Funakubo ,  Shintaro Yokoyama ,  Yong Kwan Kim ,  Hiroshi Nakaki ,  Risako Ueno ,  Shoji Okamoto

发明人： Tetsuro Fukui ,  Kenichi Takeda ,  Toshihiro Ifuku ,  Hiroshi Funakubo ,  Shintaro Yokoyama ,  Yong Kwan Kim ,  Hiroshi Nakaki ,  Risako Ueno ,  Shoji Okamoto

IPC分类号： B41J2/045

CPC分类号： B41J2/161 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1646 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/313 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319

摘要： A piezoelectric substance element has a piezoelectric substance film and a pair of electrodes connected to the piezoelectric substance film on a substrate, and a main component of the piezoelectric substance film is Pb(Zr, Ti)O3, a composition ratio of Zr/(Zr+Ti) is over 0.4 but less than 0.7, the piezoelectric substance film is a film having at last a tetragonal crystal a-domain and a c-domain within a range of ±10° with respect to the surface of the substrate, and a volume rate of the c-domain to the total of the a-domain and the c-domain is equal to or larger than 20% and equal to or smaller than 60%.

摘要翻译： 压电体元件在基板上具有与压电体膜连接的压电体膜和一对电极，压电体膜的主要成分为Pb（Zr，Ti）O 3，Zr /（Zr + Ti）超过0.4但小于0.7时，压电体膜是至少具有相对于基板的表面±10°的四方晶系a畴和c域的膜， c域的体积率相对于a域和c域的总和等于或大于20％且等于或小于60％。

公开(公告)号：US20090140197A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：US12364429

申请日：2009-02-02

申请人： Katsumi Aoki ,  Kenichi Takeda ,  Tetsuro Fukui ,  Hiroshi Funakubo

发明人： Katsumi Aoki ,  Kenichi Takeda ,  Tetsuro Fukui ,  Hiroshi Funakubo

IPC分类号： H01L41/18

CPC分类号： B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  C01G23/003 ,  C01G29/006 ,  C01G45/006 ,  C01G45/1221 ,  C01G49/009 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/52 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/44 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/475 ,  C04B35/49 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1871 ,  H01L41/1878 ,  H02N2/106 ,  H02N2/163

摘要： There is disclosed a piezoelectric element having, on a substrate, a piezoelectric body and a pair of electrodes which come in contact with the piezoelectric body, wherein the piezoelectric body consists of a perovskite type oxide represented by the following formula (1): (Bi,Ba)(M,Ti)O3  (1) in which M is an atom of one element selected from the group consisting of Mn, Cr, Cu, Sc, In, Ga, Yb, Al, Mg, Zn, Co, Zr, Sn, Nb, Ta and W, or a combination of the atoms of the plurality of elements.

摘要翻译： 公开了一种在基板上具有与压电体接触的压电体和一对电极的压电元件，其中，压电体由下式（1）表示的钙钛矿型氧化物构成： （线，公式）end =“lead”？>（Bi，Ba）（M，Ti）O3（1）<？in-line-formula description =“In-line Formulas”end =“尾”→其中M是选自Mn，Cr，Cu，Sc，In，Ga，Yb，Al，Mg，Zn，Co，Zr，Sn，Nb，Ta中的一种元素的原子 和W，或多个元素的原子的组合。

公开(公告)号：US20080067898A1

公开(公告)日：2008-03-20

申请号：US11852878

申请日：2007-09-10

申请人： Katsumi Aoki ,  Kenichi Takeda ,  Tetsuro Fukui ,  Hiroshi Funakubo

发明人： Katsumi Aoki ,  Kenichi Takeda ,  Tetsuro Fukui ,  Hiroshi Funakubo

IPC分类号： H01L41/187 ,  B41J2/045 ,  H02N2/00 ,  C04B35/00

CPC分类号： B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  C01G23/003 ,  C01G29/006 ,  C01G45/006 ,  C01G45/1221 ,  C01G49/009 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/52 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/44 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/475 ,  C04B35/49 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1871 ,  H01L41/1878 ,  H02N2/106 ,  H02N2/163

摘要： There is disclosed a piezoelectric element having, on a substrate, a piezoelectric body and a pair of electrodes which come in contact with the piezoelectric body, wherein the piezoelectric body consists of a perovskite type oxide represented by the following formula (1): (Bi,Ba)(M,Ti)O3   (1) in which M is an atom of one element selected from the group consisting of Mn, Cr, Cu, Sc, In, Ga, Yb, Al, Mg, Zn, Co, Zr, Sn, Nb, Ta, and W, or a combination of the atoms of the plurality of elements.

摘要翻译： 公开了一种在基板上具有与压电体接触的压电体和一对电极的压电元件，其中，压电体由下式（1）表示的钙钛矿型氧化物构成： in-line-formula description =“In-line Formulas”end =“lead”？>（Bi，Ba）（M，Ti）O 3（1） =“In-line Formulas”end =“tail”？>其中M是选自Mn，Cr，Cu，Sc，In，Ga，Yb，Al，Mg，Zn，Co中的一种元素的原子 ，Zr，Sn，Nb，Ta和W，或多个元素的原子的组合。

公开(公告)号：US07759845B2

公开(公告)日：2010-07-20

申请号：US11683100

申请日：2007-03-07

申请人： Tetsuro Fukui ,  Kenichi Takeda ,  Katsumi Aoki ,  Toshihiro Ifuku ,  Takanori Matsuda ,  Hiroshi Funakubo ,  Shintaro Yokoyama ,  Takashi Katoda ,  Ken Nishida

发明人： Tetsuro Fukui ,  Kenichi Takeda ,  Katsumi Aoki ,  Toshihiro Ifuku ,  Takanori Matsuda ,  Hiroshi Funakubo ,  Shintaro Yokoyama ,  Takashi Katoda ,  Ken Nishida

IPC分类号： H01L41/08

CPC分类号： B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  H01L41/1876

摘要： An optical element satisfactory in transparency and characteristics as an optical modulation element, and a piezoelectric substance element satisfactory in precision and reproducibility as a fine element such as MEMS can be provided. The piezoelectric substance element includes, on a substrate, at least a first electrode, a piezoelectric substance film and a second electrode. The piezoelectric substance film does not contain a layer-structured boundary plane; the crystal phase constituting the piezoelectric substance film comprises at least two of a tetragonal, a rhombohedral, a pseudocubic, an orthorhombic and a monoclinic; and the piezoelectric substance film includes, in a portion in which a change in the composition is within a range of ±2%, a portion where a proportion of the different crystal phases changes gradually in a thickness direction of the film.

摘要翻译： 可以提供作为光调制元件的透明度和特性令人满意的光学元件，以及作为微细元件如MEMS的精度和再现性良好的压电体元件。 压电体元件在基板上至少包括第一电极，压电体膜和第二电极。 压电体膜不含有层结构的边界面; 构成压电体膜的晶相包含四方晶，菱方，假立方，斜方晶和单斜晶中的至少两种; 并且压电体膜在组成的变化范围为±2％的范围内包括不同结晶相的比例在膜的厚度方向上逐渐变化的部分。

公开(公告)号：US07525239B2

公开(公告)日：2009-04-28

申请号：US11852878

申请日：2007-09-10

申请人： Katsumi Aoki ,  Kenichi Takeda ,  Tetsuro Fukui ,  Hiroshi Funakubo

发明人： Katsumi Aoki ,  Kenichi Takeda ,  Tetsuro Fukui ,  Hiroshi Funakubo

IPC分类号： H01L41/187 ,  H01L41/24

CPC分类号： B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  C01G23/003 ,  C01G29/006 ,  C01G45/006 ,  C01G45/1221 ,  C01G49/009 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/52 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/44 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/475 ,  C04B35/49 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1871 ,  H01L41/1878 ,  H02N2/106 ,  H02N2/163

摘要： There is disclosed a piezoelectric element having, on a substrate, a piezoelectric body and a pair of electrodes which come in contact with the piezoelectric body, wherein the piezoelectric body consists of a perovskite type oxide represented by the following formula (1): (Bi,Ba)(M,Ti)O3  (1) in which M is an atom of one element selected from the group consisting of Mn, Cr, Cu, Sc, In, Ga, Yb, Al, Mg, Zn, Co, Zr, Sn, Nb, Ta, and W, or a combination of the atoms of the plurality of elements.

摘要翻译： 公开了一种在基板上具有与压电体接触的压电体和一对电极的压电元件，其中，压电体由下式（1）表示的钙钛矿型氧化物构成： （线，公式）end =“lead”？>（Bi，Ba）（M，Ti）O3（1）<？in-line-formula description =“In-line Formulas”end =“尾”→其中M是选自Mn，Cr，Cu，Sc，In，Ga，Yb，Al，Mg，Zn，Co，Zr，Sn，Nb，Ta中的一种元素的原子 ，和W，或多个元素的原子的组合。

公开(公告)号：US20080089832A1

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：US11849871

申请日：2007-09-04

申请人： Katsumi Aoki ,  Kenichi Takeda ,  Tetsuro Fukui ,  Hiroshi Funakubo ,  Shintaro Yasui ,  Ken Nishida

发明人： Katsumi Aoki ,  Kenichi Takeda ,  Tetsuro Fukui ,  Hiroshi Funakubo ,  Shintaro Yasui ,  Ken Nishida

IPC分类号： C01G45/00 ,  B41J2/045 ,  C01G25/00 ,  C01G37/00 ,  C01G39/00

CPC分类号： B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  C01G29/00 ,  C01G37/033 ,  C01G49/009 ,  C01G51/006 ,  C01G51/40 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/76 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/316

摘要： The present invention provides a piezoelectric element and having a piezoelectric body and a pair of electrodes being contact with the piezoelectric body, wherein the piezoelectric body consists of an ABO3 perovskite oxide in which an A-site atom consists of Bi and a B-site atom is composed of an atom of at least two types of elements.

摘要翻译： 本发明提供一种压电元件，其具有压电体和一对与压电体接触的电极，其中压电体由ABO 3钙钛矿氧化物组成，其中A位原子构成 的Bi和B位原子由至少两种元素的原子组成。

公开(公告)号：US20070060467A1

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：US11499722

申请日：2006-08-07

申请人： Takanori Matsuda ,  Katsumi Aoki ,  Toshihiro Ifuku ,  Kenichi Takeda ,  Tetsuro Fukui ,  Hiroshi Funakubo ,  Shintaro Yokoyama

发明人： Takanori Matsuda ,  Katsumi Aoki ,  Toshihiro Ifuku ,  Kenichi Takeda ,  Tetsuro Fukui ,  Hiroshi Funakubo ,  Shintaro Yokoyama

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/00

CPC分类号： C04B35/499 ,  C04B35/472 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/79 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/316

摘要： A perovskite type oxide of a single crystal structure or a uniaxial-oriented crystal structure represented by ABO3 where site A includes Pb as a main component and site B includes a plurality of elements, wherein the perovskite type oxide includes a plurality of crystal phases selected from the group consisting of tetragonal, rhombohedral, orthorhombic, cubic, pseudo-cubic and monoclinic systems and the plurality of crystal phases are oriented in the direction of .

摘要翻译： 由ABO 3 3代表的单晶结构的钙钛矿型氧化物或单轴取向晶体结构，其中位置A包括Pb作为主要组分，并且位置B包括多个元素，其中钙钛矿型氧化物 包括选自正方晶，菱方，正交，立方，假立方和单斜晶系的多个晶相，并且多个晶相沿<100>的方向取向。