公开(公告)号：US08173537B1

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：US11693617

申请日：2007-03-29

申请人： Kaushik Chattopadhyay ,  Keith Fox ,  Tom Mountsier ,  Hui-Jung Wu ,  Bart van Schravendijk ,  Kimberly Branshaw

发明人： Kaushik Chattopadhyay ,  Keith Fox ,  Tom Mountsier ,  Hui-Jung Wu ,  Bart van Schravendijk ,  Kimberly Branshaw

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L23/53295 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Stability of an underlying dielectric diffusion barrier during deposition and ultraviolet (UV) processing of an overlying dielectric layer is critical for successful integration. UV-resistant diffusion barrier layers are formed by depositing the layer in a hydrogen-starved environment. Diffusion barrier layers can be made more resistant to UV radiation by thermal, plasma, or UV treatment during or after deposition. Lowering the modulus of the diffusion barrier layer can also improve the resistance to UV radiation.

摘要翻译： 沉积期间的底层电介质扩散屏障和上覆介质层的紫外（UV）处理的稳定性对成功整合至关重要。 通过在氢饥饿环境中沉积该层而形成耐UV扩散阻挡层。 扩散阻挡层可以通过在沉积期间或之后的热，等离子体或UV处理更耐紫外线辐射。 降低扩散阻挡层的模量也可以提高耐UV辐射。

公开(公告)号：US08124522B1

公开(公告)日：2012-02-28

申请号：US12082496

申请日：2008-04-11

申请人： Hui-Jung Wu ,  Kimberly Shafi ,  Kaushik Chattopadhyay ,  Keith Fox ,  Tom Mountsier ,  Girish Dixit ,  Bart van Schravendijk ,  Elizabeth Apen

发明人： Hui-Jung Wu ,  Kimberly Shafi ,  Kaushik Chattopadhyay ,  Keith Fox ,  Tom Mountsier ,  Girish Dixit ,  Bart van Schravendijk ,  Elizabeth Apen

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53295 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are methods of stabilizing an underlying dielectric diffusion barrier during deposition and ultraviolet (UV) processing of an overlying dielectric layer. Methods include modulating the optical properties reduces the effects of UV radiation on the dielectric diffusion barrier layer. The dielectric diffusion barrier can be made to absorb less UV radiation. A dielectric layer with UV absorbing properties may also be added on top of the diffusion barrier layer so less UV is transmitted. Both methods result in reduced interaction between UV radiation and the dielectric diffusion barrier.

摘要翻译： 提供了在沉积期间稳定底层电介质扩散阻挡层的方法，以及覆盖介电层的紫外线（UV）处理。 方法包括调制光学特性降低了UV辐射对介电扩散阻挡层的影响。 可以使电介质扩散阻挡层吸收较少的UV辐射。 具有UV吸收特性的电介质层也可以添加到扩散阻挡层的顶部，因此传输较少的UV。 两种方法都会降低紫外线辐射与介电扩散阻挡层之间的相互作用。

公开(公告)号：US07642202B1

公开(公告)日：2010-01-05

申请号：US11168013

申请日：2005-06-27

申请人： Ming Li ,  Bart Van Schravendijk ,  Tom Mountsier ,  Chiu Chi ,  Kevin Ilcisin ,  Julian Hsieh

发明人： Ming Li ,  Bart Van Schravendijk ,  Tom Mountsier ,  Chiu Chi ,  Kevin Ilcisin ,  Julian Hsieh

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： C23C16/401 ,  G03F7/091 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76816

摘要： A nitrogen-free anti-reflective layer for use in semiconductor photolithography is fabricated in a chemical vapor deposition process, optionally plasma-enhanced, using a gaseous mixture of carbon, silicon, and oxygen sources. By varying the process parameters, a substantially hermetic layer with acceptable values of the refractive index n and extinction coefficient k can be obtained. The nitrogen-free moisture barrier anti-reflective layer produced by this technique improves plasma etch of features such as vias in subsequent processing steps.

摘要翻译： 使用碳，硅和氧源的气体混合物，在化学气相沉积工艺（任选地等离子体增强）中制造用于半导体光刻中的无氮抗反射层。 通过改变工艺参数，可以获得具有折射率n和消光系数k的可接受值的基本上密封层。 通过该技术生产的无氮防潮抗反射层改善了后续处理步骤中诸如通孔等特征的等离子体蚀刻。

公开(公告)号：US07682966B1

公开(公告)日：2010-03-23

申请号：US11701984

申请日：2007-02-01

申请人： Robert Rozbicki ,  Bart van Schravendijk ,  Tom Mountsier ,  Wen Wu

发明人： Robert Rozbicki ,  Bart van Schravendijk ,  Tom Mountsier ,  Wen Wu

IPC分类号： H01L23/535

CPC分类号： H01L21/76843 ,  C23C14/046 ,  C23C14/5826 ,  C23C14/584 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873

摘要： Metal seed layers are deposited on a semiconductor substrate having recessed features by a method that involves at least three operations. In this method, a first layer of metal is deposited onto the substrate to cover at least the bottom portions of the recessed features. The first layer of metal is subsequently redistributed to improve sidewall coverage of the recessed features. Next, a second layer of metal is deposited on at least the field region of the substrate and on the bottom portions of the recessed features. The method can be implemented using a PVD apparatus that allows deposition and resputtering operations. This sequence of operations can afford seed layers with improved step coverage. It also leads to decreased formation of voids in interconnects, and to improved resistance characteristics of formed IC devices.

摘要翻译： 通过涉及至少三个操作的方法将金属种子层沉积在具有凹陷特征的半导体衬底上。 在该方法中，第一金属层沉积在基底上以至少覆盖凹陷特征的底部。 随后重新分布第一金属层以改善凹陷特征的侧壁覆盖。 接下来，在衬底的至少场区域和凹陷特征的底部上沉积第二层金属。 该方法可以使用允许沉积和重新溅射操作的PVD装置来实现。 这种操作顺序可以提供具有改进的台阶覆盖率的种子层。 它还导致互连中空隙的形成减少，并改善形成的IC器件的电阻特性。

公开(公告)号：US08003549B1

公开(公告)日：2011-08-23

申请号：US12623305

申请日：2009-11-20

申请人： Ming Li ,  Bart Van Schravendijk ,  Tom Mountsier ,  Chiu Chi ,  Kevin Ilcisin ,  Julian Hsieh

发明人： Ming Li ,  Bart Van Schravendijk ,  Tom Mountsier ,  Chiu Chi ,  Kevin Ilcisin ,  Julian Hsieh

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： C23C16/401 ,  G03F7/091 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76816

摘要： A nitrogen-free anti-reflective layer for use in semiconductor photolithography is fabricated in a chemical vapor deposition process, optionally plasma-enhanced, using a gaseous mixture of carbon, silicon, and oxygen sources. By varying the process parameters, a substantially hermetic layer with acceptable values of the refractive index n and extinction coefficient k can be obtained. The nitrogen-free moisture barrier anti-reflective layer produced by this technique improves plasma etch of features such as vias in subsequent processing steps.

摘要翻译： 使用碳，硅和氧源的气体混合物，在化学气相沉积工艺（任选地等离子体增强）中制造用于半导体光刻中的无氮抗反射层。 通过改变工艺参数，可以获得具有折射率n和消光系数k的可接受值的基本上密封层。 通过该技术生产的无氮防潮抗反射层改善了后续处理步骤中诸如通孔等特征的等离子体蚀刻。

公开(公告)号：US07052988B1

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：US10773821

申请日：2004-02-05

申请人： Bart van Schravendijk ,  Ming Li ,  Jason Tian ,  Tom Mountsier ,  M. Ziaul Karim

发明人： Bart van Schravendijk ,  Ming Li ,  Jason Tian ,  Tom Mountsier ,  M. Ziaul Karim

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  G03F7/091 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31612

摘要： A nitrogen-free anti-reflective layer for use in semiconductor photolithography is fabricated in a chemical vapor deposition process, optionally plasma-enhanced, using a gaseous mixture of carbon, silicon, and oxygen sources. By varying the process parameters, acceptable values of the refractive index n and extinction coefficient k can be obtained. The nitrogen-free anti-reflective layer produced by this technique eliminates the mushrooming and footing problems found with conventional anti-reflective layers.

摘要翻译： 使用碳，硅和氧源的气体混合物，在化学气相沉积工艺（任选地等离子体增强）中制造用于半导体光刻中的无氮抗反射层。 通过改变工艺参数，可以获得折射率n和消光系数k的可接受值。 通过这种技术生产的无氮抗反射层消除了常规抗反射层发现的萌发和基础问题。

公开(公告)号：US06720251B1

公开(公告)日：2004-04-13

申请号：US09990197

申请日：2001-11-21

申请人： Bart van Schravendijk ,  Ming Li ,  Jason Tian ,  Tom Mountsier ,  M. Zlaul Karim

发明人： Bart van Schravendijk ,  Ming Li ,  Jason Tian ,  Tom Mountsier ,  M. Zlaul Karim

IPC分类号： H01L21205

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  G03F7/091 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31612

摘要： A nitrogen-free anti-reflective layer for use in semiconductor photolithography is fabricated in a chemical vapor deposition process, optionally plasma-enhanced, using a gaseous mixture of carbon, silicon, and oxygen sources. By varying the process parameters, acceptable values of the refractive index n and extinction coefficient k can be obtained. The nitrogen-free anti-reflective layer produced by this technique eliminates the mushrooming and footing problems found with conventional anti-reflective layers.

摘要翻译： 使用碳，硅和氧源的气体混合物，在化学气相沉积工艺（任选地等离子体增强）中制造用于半导体光刻中的无氮抗反射层。 通过改变工艺参数，可以获得折射率n和消光系数k的可接受值。 通过这种技术生产的无氮抗反射层消除了常规抗反射层发现的萌发和基础问题。

公开(公告)号：US08709948B2

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：US12723532

申请日：2010-03-12

申请人： Michal Danek ,  Tom Mountsier ,  Jonathan Reid ,  Juwen Gao ,  Aaron Fellis

发明人： Michal Danek ,  Tom Mountsier ,  Jonathan Reid ,  Juwen Gao ,  Aaron Fellis

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Apparatus and methods for filling through silicon vias (TSV's) with copper having an intervening tungsten layer between the copper plug and the silicon are disclosed. Methods are useful for Damascene processing, with or without a TSV feature. The tungsten layer serves as a diffusion barrier, a seed layer for copper electrofill and a means of reducing CTE-induced stresses between copper and silicon. Adhesion of the tungsten layer to the silicon and of the copper layer to the tungsten is described.

摘要翻译： 公开了用于在铜插塞和硅之间具有插入钨层的铜填充硅通孔（TSV）的装置和方法。 方法对于具有或不具有TSV特征的镶嵌处理是有用的。 钨层用作扩散阻挡层，用于铜电解填料的种子层和减少铜和硅之间CTE引起的应力的手段。 描述了钨层对硅和铜层与钨的粘附。

公开(公告)号：US20110221044A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：US12723532

申请日：2010-03-12

申请人： Michal Danek ,  Tom Mountsier ,  Jonathan Reid ,  Juwen Gao ,  Aaron Fellis

发明人： Michal Danek ,  Tom Mountsier ,  Jonathan Reid ,  Juwen Gao ,  Aaron Fellis

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Apparatus and methods for filling through silicon vias (TSV's) with copper having an intervening tungsten layer between the copper plug and the silicon are disclosed. Methods are useful for Damascene processing, with or without a TSV feature. The tungsten layer serves as a diffusion barrier, a seed layer for copper electrofill and a means of reducing CTE-induced stresses between copper and silicon. Adhesion of the tungsten layer to the silicon and of the copper layer to the tungsten is described.

摘要翻译： 公开了用于在铜插塞和硅之间具有插入钨层的铜填充硅通孔（TSV）的装置和方法。 方法对于具有或不具有TSV特征的镶嵌处理是有用的。 钨层用作扩散阻挡层，用于铜电解填料的种子层和减少铜和硅之间CTE引起的应力的手段。 描述了钨层对硅和铜层与钨的粘附。