公开(公告)号：US20050051081A1

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：US10942911

申请日：2004-09-17

申请人： Kazuo Takeda ,  Masakazu Saito ,  Yukio Takasaki ,  Hironobu Abe ,  Makoto Ohkura ,  Yoshinobu Kimura ,  Takeo Shiba

发明人： Kazuo Takeda ,  Masakazu Saito ,  Yukio Takasaki ,  Hironobu Abe ,  Makoto Ohkura ,  Yoshinobu Kimura ,  Takeo Shiba

IPC分类号： G02F1/1368 ,  C30B13/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/477 ,  H01L21/66 ,  H01L29/786 ,  C30B23/00 ,  C30B25/00 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14

CPC分类号： H01L21/02686 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78672

摘要： The present invention provides a process for producing a polycrystal silicon film which comprises a step of forming a polycrystal silicon film by light irradiation of a silicon film set on a substrate, and a step of selecting substrate samples having an average grain size in a plane of the sample of 500 nm or more. According to the present invention, stable production of a high-performance poly-silicon TFT liquid crystal display becomes possible.

摘要翻译： 本发明提供一种多晶硅膜的制造方法，其特征在于，包括通过在基板上设置硅膜的光照射形成多晶硅膜的步骤，以及选择平均粒径在 500nm以上的样品。 根据本发明，可以稳定地生产高性能多晶硅TFT液晶显示器。

公开(公告)号：US06806099B2

公开(公告)日：2004-10-19

申请号：US10059203

申请日：2002-01-31

申请人： Kazuo Takeda ,  Masakazu Saito ,  Yukio Takasaki ,  Hironobu Abe ,  Makoto Ohkura ,  Yoshinobu Kimura ,  Takeo Shiba

发明人： Kazuo Takeda ,  Masakazu Saito ,  Yukio Takasaki ,  Hironobu Abe ,  Makoto Ohkura ,  Yoshinobu Kimura ,  Takeo Shiba

IPC分类号： G01R3126

CPC分类号： H01L21/02686 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78672

摘要： The present invention provides a process for producing a polycrystal silicon film which comprises a step of forming a polycrystal silicon film by light irraditation of a silicon film set on a substrate, and a step of selecting substrate samples having an average grain size in a plane of the sample of 500 nm or more. According to the present invention, stable production of a high-performance poly-silicon TFT liquid crystal display becomes possible.

摘要翻译： 本发明提供一种多晶硅膜的制造方法，其特征在于，包括通过在基板上设置的硅膜的光照射形成多晶硅膜的步骤，以及选择平均粒径在 500nm以上的样品。 根据本发明，可以稳定地生产高性能多晶硅TFT液晶显示器。

公开(公告)号：US07413604B2

公开(公告)日：2008-08-19

申请号：US10942911

申请日：2004-09-17

申请人： Kazuo Takeda ,  Masakazu Saito ,  Yukio Takasaki ,  Hironobu Abe ,  Makoto Ohkura ,  Yoshinobu Kimura ,  Takeo Shiba

发明人： Kazuo Takeda ,  Masakazu Saito ,  Yukio Takasaki ,  Hironobu Abe ,  Makoto Ohkura ,  Yoshinobu Kimura ,  Takeo Shiba

IPC分类号： C30B1/02

CPC分类号： H01L21/02686 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78672

摘要： The present invention provides a process for producing a polycrystal silicon film which comprises a step of forming a polycrystal silicon film by light irradiation of a silicon film set on a substrate, and a step of selecting substrate samples having an average grain size in a plane of the sample of 500 nm or more. According to the present invention, stable production of a high-performance poly-silicon TFT liquid crystal display becomes possible.

摘要翻译： 本发明提供一种多晶硅膜的制造方法，其特征在于，包括通过在基板上设置硅膜的光照射形成多晶硅膜的步骤，以及选择平均粒径在 500nm以上的样品。 根据本发明，可以稳定地生产高性能多晶硅TFT液晶显示器。

公开(公告)号：US20050202612A1

公开(公告)日：2005-09-15

申请号：US11123496

申请日：2005-05-04

申请人： Takuo Tamura ,  Kiyoshi Ogata ,  Yoichi Takahara ,  Kazuhiko Horikoshi ,  Hironaru Yamaguchi ,  Makoto Ohkura ,  Hironobu Abe ,  Masakazu Saitou ,  Yoshinobu Kimura ,  Toshihiko Itoga

发明人： Takuo Tamura ,  Kiyoshi Ogata ,  Yoichi Takahara ,  Kazuhiko Horikoshi ,  Hironaru Yamaguchi ,  Makoto Ohkura ,  Hironobu Abe ,  Masakazu Saitou ,  Yoshinobu Kimura ,  Toshihiko Itoga

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S438/969

摘要： An amorphous silicon film is laser irradiated a plural number of times to make the film composed of a plurality of crystal grains while suppressing the formation of protrusions at the boundaries of the adjoining grains to realize a polycrystalline silicon thin film transistor having at least partly therein the clusters of grains, or the aggregates of at least two crystal grains, with preferred orientation in the plane (111), and having high electron mobility of 200 cm2/Vs or above.

摘要翻译： 激光照射多次非晶硅膜以使由多个晶粒构成的膜同时抑制邻接晶粒的边界处的突起的形成，以实现多晶硅薄膜晶体管，其至少部分地在其中 晶粒簇或至少两个晶粒的聚集体，在平面（111）中具有优选的取向，并且具有高电子迁移率为200cm 2 / Vs以上。

公开(公告)号：US06903371B2

公开(公告)日：2005-06-07

申请号：US10773950

申请日：2004-02-06

申请人： Takuo Tamura ,  Kiyoshi Ogata ,  Yoichi Takahara ,  Kazuhiko Horikoshi ,  Hironaru Yamaguchi ,  Makoto Ohkura ,  Hironobu Abe ,  Masakazu Saitou ,  Yoshinobu Kimura ,  Toshihiko Itoga

发明人： Takuo Tamura ,  Kiyoshi Ogata ,  Yoichi Takahara ,  Kazuhiko Horikoshi ,  Hironaru Yamaguchi ,  Makoto Ohkura ,  Hironobu Abe ,  Masakazu Saitou ,  Yoshinobu Kimura ,  Toshihiko Itoga

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S438/969

摘要： An amorphous silicon film is laser irradiated a plural number of times to make the film composed of a plurality of crystal grains while suppressing the formation of protrusions at the boundaries of the adjoining grains to realize a polycrystalline silicon thin film transistor having at least partly therein the clusters of grains, or the aggregates of at least two crystal grains, with preferred orientation in the plane (111), and having high electron mobility of 200 cm2/Vs or above.

摘要翻译： 激光照射多次非晶硅膜以使由多个晶粒构成的膜同时抑制邻接晶粒的边界处的突起的形成，以实现多晶硅薄膜晶体管，其至少部分地在其中 晶粒簇或至少两个晶粒的聚集体，在平面（111）中具有优选的取向，并且具有高电子迁移率为200cm 2 / Vs以上。

公开(公告)号：US06657227B2

公开(公告)日：2003-12-02

申请号：US09910314

申请日：2001-07-19

申请人： Takuo Tamura ,  Kiyoshi Ogata ,  Yoichi Takahara ,  Kazuhiko Horikoshi ,  Hironaru Yamaguchi ,  Makoto Ohkura ,  Hironobu Abe ,  Masakazu Saitou ,  Yoshinobu Kimura ,  Toshihiko Itoga

发明人： Takuo Tamura ,  Kiyoshi Ogata ,  Yoichi Takahara ,  Kazuhiko Horikoshi ,  Hironaru Yamaguchi ,  Makoto Ohkura ,  Hironobu Abe ,  Masakazu Saitou ,  Yoshinobu Kimura ,  Toshihiko Itoga

IPC分类号： H01L2904

CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S438/969

摘要： An amorphous silicon film is laser irradiated a plural number of times to make the film composed of a plurality of crystal grains while suppressing the formation of protrusions at the boundaries of the adjoining grains to realize a polycrystalline silicon thin film transistor having at least partly therein the clusters of grains, or the aggregates of at least two crystal grains, with preferred orientation in the plane (111), and having high electron mobility of 200 cm2/Vs or above.

摘要翻译： 激光照射多次非晶硅膜以使由多个晶粒构成的膜同时抑制邻接晶粒的边界处的突起的形成，以实现多晶硅薄膜晶体管，其至少部分地在其中 晶粒簇或至少两个晶粒的聚集体，在平面（111）中具有优选的取向，并且具有200cm 2 / Vs以上的高电子迁移率。

公开(公告)号：US07227186B2

公开(公告)日：2007-06-05

申请号：US11123496

申请日：2005-05-04

申请人： Takuo Tamura ,  Kiyoshi Ogata ,  Yoichi Takahara ,  Kazuhiko Horikoshi ,  Hironaru Yamaguchi ,  Makoto Ohkura ,  Hironobu Abe ,  Masakazu Saitou ,  Yoshinobu Kimura ,  Toshihiko Itoga

发明人： Takuo Tamura ,  Kiyoshi Ogata ,  Yoichi Takahara ,  Kazuhiko Horikoshi ,  Hironaru Yamaguchi ,  Makoto Ohkura ,  Hironobu Abe ,  Masakazu Saitou ,  Yoshinobu Kimura ,  Toshihiko Itoga

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S438/969

摘要： An amorphous silicon film is laser irradiated a plural number of times to make the film composed of a plurality of crystal grains while suppressing the formation of protrusions at the boundaries of the adjoining grains to realize a polycrystalline silicon thin film transistor having at least partly therein the clusters of grains, or the aggregates of at least two crystal grains, with preferred orientation in the plane (111), and having high electron mobility of 200 cm2/Vs or above.

摘要翻译： 激光照射多次非晶硅膜以使由多个晶粒构成的膜同时抑制邻接晶粒的边界处的突起的形成，以实现多晶硅薄膜晶体管，其至少部分地在其中 晶粒簇或至少两个晶粒的聚集体，在平面（111）中具有优选的取向，并且具有高电子迁移率为200cm 2 / Vs以上。

公开(公告)号：US06716688B2

公开(公告)日：2004-04-06

申请号：US10299218

申请日：2002-11-18

申请人： Takuo Tamura ,  Kiyoshi Ogata ,  Yoichi Takahara ,  Kazuhiko Horikoshi ,  Hironaru Yamaguchi ,  Makoto Ohkura ,  Hironobu Abe ,  Masakazu Saitou ,  Yoshinobu Kimura ,  Toshihiko Itoga

发明人： Takuo Tamura ,  Kiyoshi Ogata ,  Yoichi Takahara ,  Kazuhiko Horikoshi ,  Hironaru Yamaguchi ,  Makoto Ohkura ,  Hironobu Abe ,  Masakazu Saitou ,  Yoshinobu Kimura ,  Toshihiko Itoga

IPC分类号： H01L2184

CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S438/969

摘要： An amorphous silicon film is laser irradiated a plural number of times to make the film composed of a plurality of crystal grains while suppressing the formation of protrusions at the boundaries of the adjoining grains to realize a polycrystalline silicon thin film transistor having at least partly therein the clusters of grains, or the aggregates of at least two crystal grains, with preferred orientation in the plane (111), and having high electron mobility of 200 cm2/Vs or above.

摘要翻译： 激光照射多次非晶硅膜以使由多个晶粒构成的膜同时抑制邻接晶粒的边界处的突起的形成，以实现多晶硅薄膜晶体管，其至少部分地在其中 晶粒簇或至少两个晶粒的聚集体，在平面（111）中具有优选的取向，并且具有200cm 2 / Vs以上的高电子迁移率。

公开(公告)号：US06670638B2

公开(公告)日：2003-12-30

申请号：US09793972

申请日：2001-02-28

申请人： Takuo Tamura ,  Kiyoshi Ogata ,  Yoichi Takahara ,  Hironaru Yamaguchi ,  Yoshinobu Kimura ,  Makoto Ohkura ,  Hironobu Abe ,  Shigeo Shimomura ,  Masakazu Saitou ,  Michiko Takahashi

发明人： Takuo Tamura ,  Kiyoshi Ogata ,  Yoichi Takahara ,  Hironaru Yamaguchi ,  Yoshinobu Kimura ,  Makoto Ohkura ,  Hironobu Abe ,  Shigeo Shimomura ,  Masakazu Saitou ,  Michiko Takahashi

IPC分类号： H01L2904

CPC分类号： H01L29/66757 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/104 ,  H01L29/78675

摘要： Disclosed is a polysilicon film adapted for use in a liquid crystal display, and method of manufacturing such film. In manufacturing the film, a native oxide layer formed on a surface of an amorphous silicon film is completely removed by a hydrofluoric acid solution, followed by immersing in an H2O2 solution to newly form an extremely thin oxide layer, prior to a crystallizing processing performed by a laser beam irradiation. The crystallizing processing forms a polysilicon film formed of crystal grains Preferentially oriented on the (111) plane in a direction parallel to the substrate surface, an average crystal grain size being not larger than 300 nm, the standard deviation of the grain sizes being not larger than 30% of the average grain size, and the standard deviation of the roughness being not larger than 10% of the average grain size.

摘要翻译： 公开了适用于液晶显示器的多晶硅膜及其制造方法。 在制造膜时，通过氢氟酸溶液将形成在非晶硅膜表面上的天然氧化物层完全除去，随后在H 2 O 2溶液中浸渍以形成极薄的氧化物层，然后在结晶处理之前进行 激光束照射。 结晶处理形成由晶粒形成的多晶硅膜，在（111）面上沿着平行于基板表面的方向优先取向，平均晶粒尺寸不大于300nm，晶粒尺寸的标准偏差不大 超过平均粒径的30％，粗糙度的标准偏差不大于平均粒径的10％。

公开(公告)号：US20120098774A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US13280420

申请日：2011-10-25

申请人： Hideaki ABE ,  Setsuo Kobayashi ,  Hironobu Abe

发明人： Hideaki ABE ,  Setsuo Kobayashi ,  Hironobu Abe

IPC分类号： G06F3/041

CPC分类号： H05K1/028 ,  G02F1/133308 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/13452 ,  H05K1/147 ,  H05K3/361 ,  H05K2201/053

摘要： A liquid crystal display device having a liquid crystal panel LCP and a touch panel TP provided on the front surface of the liquid crystal panel is characterized in that wires connected to the liquid crystal panel and wires connected to the touch panel are included in one flexible printed circuit FPC, which is first connected (FOG1) to the liquid crystal panel (specifically, a TFT substrate (TFTS)) and then connected (FOG2) to the touch panel.

摘要翻译： 具有设置在液晶面板的前表面上的液晶面板LCP和触摸面板TP的液晶显示装置的特征在于，连接到液晶面板的电线和连接到触摸面板的电线被包括在一个柔性印刷 将电路FPC（FOG1）首先连接到液晶面板（具体而言是TFT基板（TFTS）），然后连接（FOG2）到触摸面板。