公开(公告)号：US07967996B2

公开(公告)日：2011-06-28

申请号：US11801409

申请日：2007-05-08

申请人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Andrew Nguyen ,  Shahid Rauf ,  Ajit Balakrishna ,  Valentin N. Todorow ,  Kartik Ramaswamy ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Imad Yousif ,  Walter R. Merry ,  Ying Rui ,  Michael R. Rice

发明人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Andrew Nguyen ,  Shahid Rauf ,  Ajit Balakrishna ,  Valentin N. Todorow ,  Kartik Ramaswamy ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Imad Yousif ,  Walter R. Merry ,  Ying Rui ,  Michael R. Rice

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： B08B7/00 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68764

摘要： A process is provided for removing polymer from a backside of a workpiece and/or photoresist from a front side of the workpiece. For backside polymer removal, the wafer is positioned near the ceiling to above a localized or remote plasma source having a side outlet through the sidewall of the chamber, and backside polymer is removed by rotating the workpiece while flowing plasma by-products from the side outlet to the wafer backside. For front side photoresist removal, the wafer is positioned away from the ceiling and below the side outlet of the localized plasma source, and front side photoresist is remove by rotating the workpiece while flowing plasma by-products from the side outlet to the wafer front side.

摘要翻译： 提供了用于从工件的前侧从工件和/或光致抗蚀剂的背面去除聚合物的方法。 对于背面聚合物去除，晶片位于天花板附近，位于具有通过室的侧壁的侧出口的局部或远程等离子体源的上方，并且通过在从侧面出口流动等离子体副产物的同时旋转工件来去除背面聚合物 到晶圆背面。 对于前侧光致抗蚀剂去除，晶片远离天花板并位于局部等离子体源的侧出口下方，并且通过在从侧出口流到晶片正面的等离子体副产物流动的同时旋转工件来除去前侧光致抗蚀剂 。

公开(公告)号：US20080179291A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11801409

申请日：2007-05-08

申请人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Andrew Nguyen ,  Shahid Rauf ,  Ajit Balakrishna ,  Valentin N. Todorow ,  Kartik Ramaswamy ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Imad Yousif ,  Walter R. Merry ,  Ying Rui ,  Michael R. Rice

发明人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Andrew Nguyen ,  Shahid Rauf ,  Ajit Balakrishna ,  Valentin N. Todorow ,  Kartik Ramaswamy ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Imad Yousif ,  Walter R. Merry ,  Ying Rui ,  Michael R. Rice

IPC分类号： C23F1/00

CPC分类号： B08B7/00 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68764

摘要： A process is provided for removing polymer from a backside of a workpiece and/or photoresist from a front side of the workpiece. For backside polymer removal, the wafer is positioned near the ceiling to above a localized or remote plasma source having a side outlet through the sidewall of the chamber, and backside polymer is removed by rotating the workpiece while flowing plasma by-products from the side outlet to the wafer backside. For front side photoresist removal, the wafer is positioned away from the ceiling and below the side outlet of the localized plasma source, and front side photoresist is remove by rotating the workpiece while flowing plasma by-products from the side outlet to the wafer front side.

摘要翻译： 提供了用于从工件的前侧从工件和/或光致抗蚀剂的背面去除聚合物的方法。 对于背面聚合物去除，晶片位于天花板附近，位于具有通过室的侧壁的侧出口的局部或远程等离子体源的上方，并且通过在从侧面出口流动等离子体副产物的同时旋转工件来去除背面聚合物 到晶圆背面。 对于前侧光致抗蚀剂去除，晶片远离天花板并位于局部等离子体源的侧出口下方，并且通过在从侧出口流到晶片正面的等离子体副产物流动的同时旋转工件来除去前侧光致抗蚀剂 。

公开(公告)号：US20110120505A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：US13017569

申请日：2011-01-31

申请人： IMAD YOUSIF ,  Ying Rui ,  Nancy Fung ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Ajit Balakrishna ,  Anchel Sheyner ,  Shahid Rauf ,  Walter R. Merry

发明人： IMAD YOUSIF ,  Ying Rui ,  Nancy Fung ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Ajit Balakrishna ,  Anchel Sheyner ,  Shahid Rauf ,  Walter R. Merry

IPC分类号： B08B3/00 ,  B08B13/00 ,  H05H1/24 ,  B05B1/00

CPC分类号： H01L21/6708 ,  B05B1/18

摘要： Embodiments of the present invention provide apparatus and method for front side protection while processing side and backside of a substrate. One embodiment of the present invention provides a showerhead configured to provide a purge gas to a front side of a substrate during a backside etch processing. The showerhead comprises a body configured to be disposed over the front side of the substrate. The body has a process surface configured to face the front side of the substrate. The process surface has an outer circular region, a central region, a middle region between the outer central region and the central region. The first plurality of holes are distributed in the outer circular region and configured to direct the purge gas towards an edge area of the front side of the substrate. No gas delivery hole is distributed within a substantial portion of the middle region.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了在处理基板的侧面和背面时用于正面保护的装置和方法。 本发明的一个实施例提供了一种喷淋头，其配置为在背面蚀刻处理期间向基板的前侧提供净化气体。 喷头包括构造成设置在基板的前侧上的主体。 主体具有配置为面向基板的前侧的工艺表面。 处理表面具有外圆周区域，中心区域，外部中心区域和中心区域之间的中间区域。 第一多个孔分布在外部圆形区域中，并被配置成将清洗气体引导到衬底前侧的边缘区域。 没有气体输送孔分布在中间区域的大部分内。

公开(公告)号：US20090156013A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US12001989

申请日：2007-12-12

申请人： Imad Yousif ,  Anchel Sheyner ,  Ajit Balakrishna ,  Nancy Fung ,  Ying Rui ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Walter R. Merry ,  Shahid Rauf

发明人： Imad Yousif ,  Anchel Sheyner ,  Ajit Balakrishna ,  Nancy Fung ,  Ying Rui ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Walter R. Merry ,  Shahid Rauf

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209

摘要： Polymer is removed from the backside of a wafer held on a support pedestal in a reactor using an arcuate side gas injection nozzle extending through the reactor side wall with a curvature matched to the wafer edge and supplied with plasma by-products from a remote plasma source.

摘要翻译： 使用延伸穿过反应器侧壁的弧形侧气体注入喷嘴从保持在反应器中的支撑基座上的晶片的背面去除聚合物，其具有与晶片边缘匹配的曲率，并且从远程等离子体源提供等离子体副产物 。

公开(公告)号：US08329593B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US12001989

申请日：2007-12-12

申请人： Imad Yousif ,  Anchel Sheyner ,  Ajit Balakrishna ,  Nancy Fung ,  Ying Rui ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Walter R. Merry ,  Shahid Rauf

发明人： Imad Yousif ,  Anchel Sheyner ,  Ajit Balakrishna ,  Nancy Fung ,  Ying Rui ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Walter R. Merry ,  Shahid Rauf

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/68

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209

摘要： Polymer is removed from the backside of a wafer held on a support pedestal in a reactor using an arcuate side gas injection nozzle extending through the reactor side wall with a curvature matched to the wafer edge and supplied with plasma by-products from a remote plasma source.

摘要翻译： 使用延伸穿过反应器侧壁的弧形侧气体注入喷嘴从保持在反应器中的支撑基座上的晶片的背面去除聚合物，其具有与晶片边缘匹配的曲率，并且从远程等离子体源提供等离子体副产物 。

公开(公告)号：US07879183B2

公开(公告)日：2011-02-01

申请号：US12038499

申请日：2008-02-27

申请人： Imad Yousif ,  Ying Rui ,  Nancy Fung ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Ajit Balakrishna ,  Anchel Sheyner ,  Shahid Rauf ,  Walter R. Merry

发明人： Imad Yousif ,  Ying Rui ,  Nancy Fung ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Ajit Balakrishna ,  Anchel Sheyner ,  Shahid Rauf ,  Walter R. Merry

IPC分类号： H01L21/306 ,  C23C16/00 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01L21/6708 ,  B05B1/18

摘要： Embodiments of the present invention provide apparatus and method for front side protection while processing side and backside of a substrate. One embodiment of the present invention provides a showerhead configured to provide a purge gas to a front side of a substrate during a backside etch processing. The showerhead comprises a body configured to be disposed over the front side of the substrate. The body has a process surface configured to face the front side of the substrate. The process surface has an outer circular region, a central region, a middle region between the outer central region and the central region. The first plurality of holes are distributed in the outer circular region and configured to direct the purge gas towards an edge area of the front side of the substrate. No gas delivery hole is distributed within a substantial portion of the middle region.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了在处理基板的侧面和背面时用于正面保护的装置和方法。 本发明的一个实施例提供了一种喷淋头，其配置为在背面蚀刻处理期间向基板的前侧提供净化气体。 喷头包括构造成设置在基板的前侧上的主体。 主体具有配置为面向基板的前侧的工艺表面。 处理表面具有外圆周区域，中心区域，外部中心区域和中心区域之间的中间区域。 第一多个孔分布在外部圆形区域中，并被配置成将清洗气体引导到衬底前侧的边缘区域。 没有气体输送孔分布在中间区域的大部分内。

公开(公告)号：US20090214798A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：US12038499

申请日：2008-02-27

申请人： IMAD YOUSIF ,  Ying Rui ,  Nancy Fung ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Ajit Balakrishna ,  Anchel Sheyner ,  Shahid Rauf ,  Walter R. Merry

发明人： IMAD YOUSIF ,  Ying Rui ,  Nancy Fung ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Ajit Balakrishna ,  Anchel Sheyner ,  Shahid Rauf ,  Walter R. Merry

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/67 ,  B05B1/14

CPC分类号： H01L21/6708 ,  B05B1/18

摘要： Embodiments of the present invention provide apparatus and method for front side protection while processing side and backside of a substrate. One embodiment of the present invention provides a showerhead configured to provide a purge gas to a front side of a substrate during a backside etch processing. The showerhead comprises a body configured to be disposed over the front side of the substrate. The body has a process surface configured to face the front side of the substrate. The process surface has an outer circular region, a central region, a middle region between the outer central region and the central region. The first plurality of holes are distributed in the outer circular region and configured to direct the purge gas towards an edge area of the front side of the substrate. No gas delivery hole is distributed within a substantial portion of the middle region.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了在处理基板的侧面和背面时用于正面保护的装置和方法。 本发明的一个实施例提供了一种喷淋头，其配置为在背面蚀刻处理期间向基板的前侧提供净化气体。 喷头包括构造成设置在基板的前侧上的主体。 主体具有配置为面向基板的前侧的工艺表面。 处理表面具有外圆周区域，中心区域，外部中心区域和中心区域之间的中间区域。 第一多个孔分布在外部圆形区域中，并被配置成将清洗气体引导到衬底前侧的边缘区域。 没有气体输送孔分布在中间区域的大部分内。

公开(公告)号：US08076247B2

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：US11733770

申请日：2007-04-11

申请人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Kartik Ramaswamy ,  Douglas A. Buchberger, Jr. ,  Shahid Rauf ,  Kallol Bera ,  Lawrence Wong ,  Walter R. Merry ,  Matthew L. Miller ,  Steven C. Shannon ,  Andrew Nguyen ,  James P. Cruse ,  James Carducci ,  Troy S. Detrick ,  Subhash Deshmukh ,  Jennifer Y. Sun

发明人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Kartik Ramaswamy ,  Douglas A. Buchberger, Jr. ,  Shahid Rauf ,  Kallol Bera ,  Lawrence Wong ,  Walter R. Merry ,  Matthew L. Miller ,  Steven C. Shannon ,  Andrew Nguyen ,  James P. Cruse ,  James Carducci ,  Troy S. Detrick ,  Subhash Deshmukh ,  Jennifer Y. Sun

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C23C16/45574 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831

摘要： A method is provided for processing a workpiece in a plasma reactor chamber. The method includes coupling, to a plasma in the chamber, power of an RF frequency via a ceiling electrode and coupling, to the plasma, power of at least approximately the same RF frequency via a workpiece support electrode. The method also includes providing an edge ground return path. The method further includes adjusting the proportion between (a) current flow between said electrodes and (b) current flow to the edge ground return path from said electrodes, to control plasma ion density distribution uniformity over the workpiece.

摘要翻译： 提供了一种用于在等离子体反应器室中处理工件的方法。 该方法包括通过天线电极将等离子体耦合到腔室中的等离子体，并通过工件支撑电极将等离子体的功率耦合到至少近似相同的RF频率。 该方法还包括提供边缘接地返回路径。 该方法还包括调节（a）所述电极之间的电流之间的比例和（b）从所述电极到达边缘接地返回路径的电流，以控制工件上的等离子体离子密度分布均匀性。

公开(公告)号：US20080179011A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11734040

申请日：2007-04-11

申请人： KENNETH S. COLLINS ,  Hiroji Hanawa ,  Kartik Ramaswamy ,  Douglas A. Buchberger ,  Shahid Rauf ,  Kallol Bera ,  Lawrence Wong ,  Walter R. Merry ,  Matthew L. Miller ,  Steven C. Shannon ,  Andrew Nguyen ,  James P. Cruse ,  James Carducci ,  Troy S. Detrick ,  Subhash Deshmukh ,  Jennifer Y. Sun

发明人： KENNETH S. COLLINS ,  Hiroji Hanawa ,  Kartik Ramaswamy ,  Douglas A. Buchberger ,  Shahid Rauf ,  Kallol Bera ,  Lawrence Wong ,  Walter R. Merry ,  Matthew L. Miller ,  Steven C. Shannon ,  Andrew Nguyen ,  James P. Cruse ,  James Carducci ,  Troy S. Detrick ,  Subhash Deshmukh ,  Jennifer Y. Sun

IPC分类号： C23F1/00 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45574 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831

摘要： A plasma reactor includes an electrostatic chuck in the chamber for supporting the workpiece, a ceiling electrode facing the electrostatic chuck and an ESC electrode in the electrostatic chuck with an electrostatic clamping voltage supply coupled to the ESC electrode. The reactor further includes at least a first RF bias source of an LF or HF frequency coupled to the pedestal electrode, and first and second VHF power sources of different frequencies coupled to the same or to different ones of the electrodes. The first and second VHF power sources are of sufficiently high and sufficiently low frequencies, respectively, to produce center-high and center-low plasma distribution non-uniformities, respectively, in the chamber.

摘要翻译： 等离子体反应器包括用于支撑工件的室中的静电卡盘，面向静电卡盘的天花板电极和静电卡盘中的ESC电极，其具有耦合到ESC电极的静电钳位电压源。 反应器还包括耦合到基座电极的LF或HF频率的至少第一RF偏置源，以及耦合到相同或不同电极的不同频率的第一和第二VHF电源。 第一和第二VHF电源分别具有足够高和足够低的频率，以分别在腔室中产生中心高和中心低等离子体分布不均匀性。

公开(公告)号：US20080179181A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11733984

申请日：2007-04-11

申请人： KENNETH S. COLLINS ,  Hiroji Hanawa ,  Kartik Ramaswamy ,  Douglas A. Buchberger ,  Shahid Rauf ,  Kallol Bera ,  Lawrence Wong ,  Walter R. Merry ,  Matthew L. Miller ,  Steven C. Shannon ,  Andrew Nguyen ,  James P. Cruse ,  James Carducci ,  Troy S. Detrick ,  Subhash Deshmukh ,  Jennifer Y. Sun

发明人： KENNETH S. COLLINS ,  Hiroji Hanawa ,  Kartik Ramaswamy ,  Douglas A. Buchberger ,  Shahid Rauf ,  Kallol Bera ,  Lawrence Wong ,  Walter R. Merry ,  Matthew L. Miller ,  Steven C. Shannon ,  Andrew Nguyen ,  James P. Cruse ,  James Carducci ,  Troy S. Detrick ,  Subhash Deshmukh ,  Jennifer Y. Sun

IPC分类号： H05H1/00

CPC分类号： H01J37/32174 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165

摘要： A method for processing a workpiece in a plasma reactor chamber includes coupling RF power at a first VHF frequency f1 to a plasma via one of the electrodes of the chamber, and providing a center ground return path for RF current passing directly between the ceiling electrode and the workpiece support electrode for the frequency f1. The method further includes providing a variable height edge ground annular element and providing a ground return path through the edge ground annular element for the frequency f1. The method controls the uniformity of plasma ion density distribution by controlling the distance between the variable height edge ground annular element and one of: (a) height of ceiling electrode or (b) height of workpiece support electrode.

摘要翻译： 用于在等离子体反应器室中处理工件的方法包括通过室的电极之一将RFF功率以第一VHF频率f 1耦合到等离子体，并且提供用于RF电流的中心接地返回路径，其直接通过天花板电极 工件支撑电极为频率f 1。 该方法还包括提供可变高度边缘接地环形元件，并为频率f 1提供通过边缘接地环形元件的接地返回路径。 该方法通过控制可变高度边缘接地环形元件之间的距离和（a）天花板电极的高度或（b）工件支撑电极的高度来控制等离子体离子密度分布的均匀性。