公开(公告)号：US06784430B2

公开(公告)日：2004-08-31

申请号：US10277940

申请日：2002-10-23

申请人： Kevin S. Matocha ,  Jeffrey B. Fedison ,  James W. Kretchmer ,  Dale M. Brown ,  Peter M. Sandvik

发明人： Kevin S. Matocha ,  Jeffrey B. Fedison ,  James W. Kretchmer ,  Dale M. Brown ,  Peter M. Sandvik

IPC分类号： H01L2714

CPC分类号： G01J5/0014 ,  G01J1/0488 ,  G01J1/42 ,  G01J5/602 ,  H04M3/382 ,  H04M3/42314 ,  H04M3/4234

摘要： A flame sensor for combustion flame temperature determination comprises elongated extensions that are positioned with parallel interdigitated longitudinal axis with respect to one another. An optical spectrometer comprises the sensor and a system comprises the sensor. A method for combustion flame temperature determination comprises obtaining a first photodiode signal and a second photodiode signal by using photodiode devices comprising photodiodes with elongated extending interdigitated digits. A method of fabricating a flame sensor for combustion flame temperature determination, comprises forming first and second photodiodes with elongated extending interdigitated digits.

摘要翻译： 用于燃烧火焰温度测定的火焰传感器包括细长延伸部，其相对于彼此以平行的叉指纵轴线定位。 光谱仪包括传感器，系统包括传感器。 一种用于燃烧火焰温度测定的方法包括通过使用包括具有细长延伸的叉指位的光电二极管的光电二极管器件来获得第一光电二极管信号和第二光电二极管信号。 一种制造用于燃烧火焰温度测定的火焰传感器的方法，包括：形成第一和第二光电二极管，其具有细长延伸的叉指位数。

公开(公告)号：US07367217B2

公开(公告)日：2008-05-06

申请号：US11683739

申请日：2007-03-08

申请人： Edward B. Stokes ,  Peter M. Sandvik ,  Vinayak Tilak ,  Jeffrey B. Fedison ,  Elena Babes-Dornea ,  Renyan Qin ,  James W. Rose ,  Stanton E. Weaver

发明人： Edward B. Stokes ,  Peter M. Sandvik ,  Vinayak Tilak ,  Jeffrey B. Fedison ,  Elena Babes-Dornea ,  Renyan Qin ,  James W. Rose ,  Stanton E. Weaver

IPC分类号： G01N7/00 ,  G01N9/00

CPC分类号： G01N33/2841 ,  G01N27/4141

摘要： A multi-gas sensor device for the detection of dissolved hydrocarbon gases in oil-filled electrical equipment. The device comprising a semiconductor substrate, one or more catalytic metal gate-electrodes deposited on the surface of the semiconductor substrate operable for sensing various gases, and an ohmic contact deposited on the surface of the semiconductor substrate. The semiconductor substrate comprises one of GaN, SiC, AlN, InN, AlGaN, InGaN and AlInGaN. A method for sensing gas in an oil-filled reservoir of electrical equipment, comprising providing a sensor device, immersing the sensor device in the oil-filled reservoir, allowing the gases emitted from the oil to interact with the one or more catalytic metal gate-electrodes, altering the gas as it contacts the catalytic metal gate-electrodes and altering the sensitivity of the sensor.

摘要翻译： 一种用于检测充油电气设备中溶解的烃类气体的多气体传感器装置。 所述器件包括半导体衬底，沉积在可操作以感测各种气体的半导体衬底的表面上的一个或多个催化金属栅电极和沉积在半导体衬底的表面上的欧姆接触。 半导体衬底包括GaN，SiC，AlN，InN，AlGaN，InGaN和AlInGaN中的一种。 一种用于感测电气设备的充满油的储存器中的气体的方法，包括提供传感器装置，将传感器装置浸入充满油的储存器中，允许从油中排出的气体与一个或多个催化金属栅极 - 电极，当气体接触催化金属栅电极时改变气体并改变传感器的灵敏度。

公开(公告)号：US07254986B2

公开(公告)日：2007-08-14

申请号：US10319359

申请日：2002-12-13

申请人： Edward B. Stokes ,  Peter M. Sandvik ,  Vinayak Tilak ,  Jeffrey B. Fedison ,  Elena Babes-Dornea ,  Renyan Qin ,  James W. Rose ,  Stanton E. Weaver

发明人： Edward B. Stokes ,  Peter M. Sandvik ,  Vinayak Tilak ,  Jeffrey B. Fedison ,  Elena Babes-Dornea ,  Renyan Qin ,  James W. Rose ,  Stanton E. Weaver

IPC分类号： G01N7/00 ,  G01N9/00

CPC分类号： G01N33/2841 ,  G01N27/4141

摘要： A multi-gas sensor device for the detection of dissolved hydrocarbon gases in oil-filled electrical equipment. The device comprising a semiconductor substrate, one or more catalytic metal gate-electrodes deposited on the surface of the semiconductor substrate operable for sensing various gases, and an ohmic contact deposited on the surface of the semiconductor substrate. The semiconductor substrate comprises one of GaN, SiC, AlN, lnN, AlGaN, InGaN and AlInGaN. A method for sensing gas in an oil-filled reservoir of electrical equipment, comprising providing a sensor device, immersing the sensor device in the oil-filled reservoir, allowing the gases emitted from the oil to interact with the one or more catalytic metal gate-electrodes, altering the gas as it contacts the catalytic metal gate-electrodes and altering the sensitivity of the sensor.

摘要翻译： 一种用于检测充油电气设备中溶解的烃类气体的多气体传感器装置。 所述器件包括半导体衬底，沉积在可操作以感测各种气体的半导体衬底的表面上的一个或多个催化金属栅电极和沉积在半导体衬底的表面上的欧姆接触。 半导体衬底包括GaN，SiC，AlN，InN，AlGaN，InGaN和AlInGaN中的一种。 一种用于感测电气设备的充满油的储存器中的气体的方法，包括提供传感器装置，将传感器装置浸入充满油的储存器中，允许从油中排出的气体与一个或多个催化金属栅极 - 电极，当气体接触催化金属栅电极时改变气体并改变传感器的灵敏度。

公开(公告)号：US06787816B1

公开(公告)日：2004-09-07

申请号：US09944522

申请日：2001-08-31

申请人： Tatsing P. Chow ,  Jeffrey B. Fedison

发明人： Tatsing P. Chow ,  Jeffrey B. Fedison

IPC分类号： H01L2968

CPC分类号： H01L29/66363 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/74

摘要： A method is provided for forming one or more doped layers using ion-implantation in the fabrication of thyristor devices. For example, these thyristors may be made from single crystalline silicon carbide. According to one aspect of the invention, one of the required layers is formed by introducing dopants after crystal growth as opposed to conventional methods which involve doping during crystal growth. Specifically, impurities may be introduced by using the technique of ion implantation.

摘要翻译： 提供了一种用于在晶闸管器件的制造中使用离子注入形成一个或多个掺杂层的方法。 例如，这些晶闸管可以由单晶碳化硅制成。 根据本发明的一个方面，与晶体生长中涉及掺杂的常规方法相反，通过在晶体生长后引入掺杂剂来形成所需层之一。 具体地，可以通过使用离子注入技术引入杂质。