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    Surface acoustic device
    6.
    发明授权
    Surface acoustic device 失效
    表面声学装置

    公开(公告)号：US07221074B2

    公开(公告)日：2007-05-22

    申请号：US10989549

    申请日：2004-11-17

    申请人： Satoshi Orito ,  Toru Takezaki ,  Satoshi Ichikawa ,  Hirotada Wachi ,  Tsuyoshi Oura ,  Toshifumi Tanaka ,  Koichi Wada

    发明人： Satoshi Orito ,  Toru Takezaki ,  Satoshi Ichikawa ,  Hirotada Wachi ,  Tsuyoshi Oura ,  Toshifumi Tanaka ,  Koichi Wada

    IPC分类号： H01L41/08

    CPC分类号： H03H9/6426 ,  H03H9/02779 ,  H03H9/14517 ,  H03H9/1455

    摘要： A surface acoustic wave device includes a piezoelectric substrate, a first and a second interdigital transducers (IDTs) provided on the piezoelectric substrate. The first IDT includes multiple tracks having different frequency characteristics that are connected in parallel. The second IDT includes a normalized electrode pattern. The frequency characteristic of the multiple tracks is asymmetric to a center frequency of the SAW filter, substantially flat in a passband when those of the multiple tracks are overlapped, or complementary in the passband. Thus, it is possible to provide the surface acoustic wave device having a high damping property.

    摘要翻译： 表面声波装置包括压电基片，设置在压电基片上的第一和第二叉指式换能器（IDT）。 第一IDT包括并行连接的具有不同频率特性的多个轨迹。 第二IDT包括归一化电极图案。 多个磁道的频率特性与SAW滤波器的中心频率不对称，当多个磁道的频率在通带中重叠或互补时，通带中的基本平坦。 因此，可以提供具有高阻尼特性的表面声波装置。

    Surface acoustic device
    8.
    发明申请
    Surface acoustic device 失效
    表面声学装置

    公开(公告)号：US20050121998A1

    公开(公告)日：2005-06-09

    申请号：US10989549

    申请日：2004-11-17

    申请人： Satoshi Orito ,  Toru Takezaki ,  Satoshi Ichikawa ,  Hirotada Wachi ,  Tsuyoshi Oura ,  Toshifumi Tanaka ,  Koichi Wada

    发明人： Satoshi Orito ,  Toru Takezaki ,  Satoshi Ichikawa ,  Hirotada Wachi ,  Tsuyoshi Oura ,  Toshifumi Tanaka ,  Koichi Wada

    IPC分类号： H03H9/25 ,  H03H9/02 ,  H03H9/145 ,  H03H9/64

    CPC分类号： H03H9/6426 ,  H03H9/02779 ,  H03H9/14517 ,  H03H9/1455

    摘要： A surface acoustic wave device includes a piezoelectric substrate, a first and a second interdigital transducers (IDTs) provided on the piezoelectric substrate. The first IDT includes multiple tracks having different frequency characteristics that are connected in parallel. The second IDT includes a normalized electrode pattern. The frequency characteristic of the multiple tracks is asymmetric to a center frequency of the SAW filter, substantially flat in a passband when those of the multiple tracks are overlapped, or complementary in the passband. Thus, it is possible to provide the surface acoustic wave device having a high damping property.

    摘要翻译： 表面声波装置包括压电基片，设置在压电基片上的第一和第二叉指式换能器（IDT）。 第一IDT包括并行连接的具有不同频率特性的多个轨迹。 第二IDT包括归一化电极图案。 多个磁道的频率特性与SAW滤波器的中心频率不对称，当多个磁道的频率在通带中重叠或互补时，通带中的基本平坦。 因此，可以提供具有高阻尼特性的表面声波装置。

    Surface acoustic wave device with reflection electrodes having pitches that vary
    10.
    发明授权
    Surface acoustic wave device with reflection electrodes having pitches that vary 有权
    表面声波装置，其反射电极具有变化的间距

    公开(公告)号：US07002438B2

    公开(公告)日：2006-02-21

    申请号：US10925152

    申请日：2004-08-25

    申请人： Osamu Kawachi ,  Satoshi Orito ,  Takuya Abe

    发明人： Osamu Kawachi ,  Satoshi Orito ,  Takuya Abe

    IPC分类号： H03H9/64

    CPC分类号： H03H9/6469 ,  H03H9/0042

    摘要： A surface acoustic wave device includes: a substrate; a pair of reflection electrodes that are formed on the substrate; and drive electrodes that are interposed between the reflection electrodes. In this surface acoustic wave device, the pitches in each of the reflection electrodes vary according to a predetermined variation pattern. With this structure, the suppression on spurious signals and the shape factor (the sharpness of the cut-off region of the pass band) can be improved at the same time.

    摘要翻译： 声表面波装置包括：基板; 形成在基板上的一对反射电极; 以及介于反射电极之间的驱动电极。 在该声表面波装置中，每个反射电极中的间距根据预定的变化图案而变化。 利用这种结构，可以同时提高抑制寄生信号和形状因子（通带的截止区域的清晰度）。