公开(公告)号：US20120168712A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：US13329704

申请日：2011-12-19

申请人： Kuo-Lung Fang ,  Kun-Fu Huang ,  Chun-Jong Chang ,  Chi-Wen Kuo ,  Jun-Rong Chen ,  Chih-wei Chao

发明人： Kuo-Lung Fang ,  Kun-Fu Huang ,  Chun-Jong Chang ,  Chi-Wen Kuo ,  Jun-Rong Chen ,  Chih-wei Chao

IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/60

CPC分类号： H01L33/382 ,  H01L33/46

摘要： A high bright LED comprises a substrate, a conductive layer, a first semiconductor layer, a luminous layer, a second semiconductor layer, a first electrode, a second electrode and an insulation structure. The conductive layer, the first semiconductor layer, the luminous layer and the second semiconductor layer are disposed upwards from an upper solder layer of the substrate in order. The first electrode is electrically connected to the conductive layer The second electrode penetrates through the conductive layer, the first semiconductor layer and the luminous layer to make the upper solder and the second semiconductor layer electrically connected. The insulation structure comprises at least two passivation layers peripherally wrapping the second electrode. The thicknesses of the at least two passivation layers are conformed to the distributed Bragg reflection technique to make the passivation layers jointly used as a reflector with high reflectance.

摘要翻译： 高亮度LED包括基板，导电层，第一半导体层，发光层，第二半导体层，第一电极，第二电极和绝缘结构。 导电层，第一半导体层，发光层和第二半导体层依次从衬底的上焊料层向上设置。 第一电极电连接到导电层。第二电极穿过导电层，第一半导体层和发光层，以使上焊料和第二半导体层电连接。 绝缘结构包括至少两个钝化层，其外围地缠绕第二电极。 至少两个钝化层的厚度符合分布布拉格反射技术，以使钝化层联合用作具有高反射率的反射器。

公开(公告)号：US08253160B2

公开(公告)日：2012-08-28

申请号：US13050677

申请日：2011-03-17

申请人： Jun-Rong Chen ,  Chi-Wen Kuo ,  Kun-Fu Huang ,  Jui-Yi Chu ,  Kuo-Lung Fang

发明人： Jun-Rong Chen ,  Chi-Wen Kuo ,  Kun-Fu Huang ,  Jui-Yi Chu ,  Kuo-Lung Fang

IPC分类号： H01L33/20

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387

摘要： A light-emitting diode chip structure including a conductive substrate, a semiconductor stacking layer and a patterned seed crystal layer is provided. The conductive substrate has a surface. The surface has a first region and a second region alternately distributed over the surface. The semiconductor stacking layer is disposed on the conductive substrate, and the surface of the conductive substrate faces the semiconductor stacking layer. The patterned seed crystal layer is disposed on the first region of the surface of the conductive substrate and between the conductive substrate and the semiconductor stacking layer. The patterned seed crystal layer separates the semiconductor stacking layer from the first region. The semiconductor stacking layer covers the patterned seed crystal layer and the second region, and is electrically connected to the conductive substrate through the second region. A fabrication method of the light-emitting diode chip structure is also provided.

摘要翻译： 提供了包括导电基板，半导体堆叠层和图案化晶种层的发光二极管芯片结构。 导电基板具有表面。 表面具有交替地分布在表面上的第一区域和第二区域。 半导体层叠层设置在导电性基板上，导电性基板的表面面向半导体层叠层。 图案化晶种层设置在导电基板的表面的第一区域上，并且在导电基板和半导体堆叠层之间。 图案化晶种层将半导体层叠层与第一区域分开。 半导体堆叠层覆盖图案化晶种层和第二区域，并且通过第二区域电连接到导电基板。 还提供了发光二极管芯片结构的制造方法。

公开(公告)号：US20130062657A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：US13614090

申请日：2012-09-13

申请人： Kuo-Lung Fang ,  Jui-Yi Chu ,  Jun-Rong Chen ,  Chi-Wen Kuo

发明人： Kuo-Lung Fang ,  Jui-Yi Chu ,  Jun-Rong Chen ,  Chi-Wen Kuo

IPC分类号： H01L33/62

CPC分类号： H01L33/145 ,  H01L33/382 ,  H01L2933/0016

摘要： A light-emitting diode structure is disclosed. A substrate has a first semiconductor layer, a light-emitting layer and a second semiconductor layer formed thereon. The first and second semiconductor layers are of opposite conductivity types. A first contact electrode is disposed between the first semiconductor layer and the substrate, and has a protruding portion extending into the second semiconductor layer. A barrier layer is conformally formed on the first contact electrode and exposes a top surface of the protruding portion. A current blocking member is disposed on the barrier layer and around at least a sidewall of the protruding portion. A second contact electrode is disposed between the first semiconductor layer and the first contact electrode, and in direct contact with the first semiconductor layer, wherein the second contact electrode is electrically insulated from the first contact electrode by the barrier layer.

摘要翻译： 公开了一种发光二极管结构。 基板具有形成在其上的第一半导体层，发光层和第二半导体层。 第一和第二半导体层具有相反的导电类型。 第一接触电极设置在第一半导体层和基板之间，并且具有延伸到第二半导体层中的突出部分。 阻挡层在第一接触电极上共形地形成并暴露突出部分的顶表面。 电流阻挡构件设置在阻挡层上并且至少围绕突出部分的侧壁。 第二接触电极设置在第一半导体层和第一接触电极之间，并且与第一半导体层直接接触，其中第二接触电极通过阻挡层与第一接触电极电绝缘。

公开(公告)号：US20130048945A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13590474

申请日：2012-08-21

申请人： Kuo-Lung Fang ,  Chi-Wen Kuo ,  Jun-Rong Chen ,  Chih-Hao Yang

发明人： Kuo-Lung Fang ,  Chi-Wen Kuo ,  Jun-Rong Chen ,  Chih-Hao Yang

IPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/06

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/50 ,  H01L33/505

摘要： A method for fabricating a light-emitting device is provided. The method includes: providing a substrate; forming a sacrificial dielectric layer on the substrate, wherein the sacrificial dielectric layer is a structure containing voids; forming a buffer layer on the sacrificial dielectric layer; forming an epitaxial light-emitting structure on the buffer layer; forming a metal bonding layer on the epitaxial light-emitting structure; bonding the metal bonding layer to a thermally conductive substrate; and wet etching the sacrificial dielectric layer for to remove the substrate.

摘要翻译： 提供一种制造发光器件的方法。 该方法包括：提供衬底; 在所述衬底上形成牺牲电介质层，其中所述牺牲绝缘层是包含空隙的结构; 在所述牺牲介电层上形成缓冲层; 在缓冲层上形成外延发光结构; 在外延发光结构上形成金属结合层; 将金属粘结层粘合到导热基板上; 并湿蚀刻牺牲介电层以去除衬底。

公开(公告)号：US09570653B2

公开(公告)日：2017-02-14

申请号：US13590474

申请日：2012-08-21

申请人： Kuo-Lung Fang ,  Chi-Wen Kuo ,  Jun-Rong Chen ,  Chih-Hao Yang

发明人： Kuo-Lung Fang ,  Chi-Wen Kuo ,  Jun-Rong Chen ,  Chih-Hao Yang

IPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/50 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00 ,  H01L33/08

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/50 ,  H01L33/505

摘要： A method for fabricating a light-emitting device is provided. The method includes: providing a substrate; forming a sacrificial dielectric layer on the substrate, wherein the sacrificial dielectric layer is a structure containing voids; forming a buffer layer on the sacrificial dielectric layer; forming an epitaxial light-emitting structure on the buffer layer; forming a metal bonding layer on the epitaxial light-emitting structure; bonding the metal bonding layer to a thermally conductive substrate; and wet etching the sacrificial dielectric layer for to remove the substrate.

摘要翻译： 提供一种制造发光器件的方法。 该方法包括：提供衬底; 在所述衬底上形成牺牲电介质层，其中所述牺牲绝缘层是包含空隙的结构; 在所述牺牲介电层上形成缓冲层; 在缓冲层上形成外延发光结构; 在外延发光结构上形成金属结合层; 将金属粘结层粘合到导热基板上; 并湿蚀刻牺牲介电层以去除衬底。

公开(公告)号：US20080277651A1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：US11877853

申请日：2007-10-24

申请人： Jun-Rong Chen ,  Heng-Tien Lin ,  Jui-Fen Fan ,  Gue-Wuu Hwang ,  Ching Ting ,  Yi-Jen Chan

发明人： Jun-Rong Chen ,  Heng-Tien Lin ,  Jui-Fen Fan ,  Gue-Wuu Hwang ,  Ching Ting ,  Yi-Jen Chan

IPC分类号： H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0575 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  H01L51/0591

摘要： Disclosed is an organic non-volatile memory (ONVM) material including nanoparticles evenly dispersed in a first polymer. The nanoparticles have a metal core covered by a second polymer to form a core/shell structure, and the first polymer has a higher polymerization degree and molecular weight than the second polymer. The ONVM material of the invention has high uniformity, thereby stabilizing the electric properties of the memory device, such as increasing rewrite counts, increasing data retention time, reducing driving voltage, reducing write current, and enhancing current on/off ratio.

摘要翻译： 公开了一种有机非挥发性记忆（ONVM）材料，其包括均匀分散在第一聚合物中的纳米颗粒。 纳米颗粒具有由第二聚合物覆盖以形成核/壳结构的金属芯，并且第一聚合物具有比第二聚合物更高的聚合度和分子量。 本发明的ONVM材料具有高均匀性，从而稳定存储器件的电性能，例如增加重写计数，增加数据保持时间，降低驱动电压，减少写入电流和增强电流开/关比。

公开(公告)号：US20130207143A1

公开(公告)日：2013-08-15

申请号：US13548459

申请日：2012-07-13

申请人： Hsiu-Mei Chou ,  Jun-Rong Chen

发明人： Hsiu-Mei Chou ,  Jun-Rong Chen

IPC分类号： H01L33/58 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L33/20

摘要： A patterned substrate of a light emitting semiconductor device has a plurality of convex members on a top surface thereof. Each convex member has a substantially flat top surface and a plurality of convex arc-shaped sidewalls.

摘要翻译： 发光半导体器件的图案化衬底在其顶表面上具有多个凸起构件。 每个凸起构件具有基本上平坦的顶表面和多个凸弧形的侧壁。

公开(公告)号：US07629607B2

公开(公告)日：2009-12-08

申请号：US11877853

申请日：2007-10-24

申请人： Jun-Rong Chen ,  Heng-Tien Lin ,  Jui-Fen Fan ,  Gue-Wuu Hwang ,  Ching Ting ,  Yi-Jen Chan

发明人： Jun-Rong Chen ,  Heng-Tien Lin ,  Jui-Fen Fan ,  Gue-Wuu Hwang ,  Ching Ting ,  Yi-Jen Chan

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01L51/0575 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  H01L51/0591

摘要： Disclosed is an organic non-volatile memory (ONVM) material including nanoparticles evenly dispersed in a first polymer. The nanoparticles have a metal core covered by a second polymer to form a core/shell structure, and the first polymer has a higher polymerization degree and molecular weight than the second polymer. The ONVM material of the invention has high uniformity, thereby stabilizing the electric properties of the memory device, such as increasing rewrite counts, increasing data retention time, reducing driving voltage, reducing write current, and enhancing current on/off ratio.

摘要翻译： 公开了一种有机非挥发性记忆（ONVM）材料，其包括均匀分散在第一聚合物中的纳米颗粒。 纳米颗粒具有由第二聚合物覆盖以形成核/壳结构的金属芯，并且第一聚合物具有比第二聚合物更高的聚合度和分子量。 本发明的ONVM材料具有高均匀性，从而稳定存储器件的电性能，例如增加重写计数，增加数据保持时间，降低驱动电压，减少写入电流和增强电流开/关比。

公开(公告)号：US20130146820A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：US13560273

申请日：2012-07-27

申请人： Kuo-Chan CHIOU ,  Jun-Rong Chen ,  Hsin-Mei Chen

发明人： Kuo-Chan CHIOU ,  Jun-Rong Chen ,  Hsin-Mei Chen

IPC分类号： H01B1/20 ,  H01B1/24 ,  H01B1/22

CPC分类号： H01B1/22

摘要： A conductive paste is provided. The conductive paste includes a conductive powder and a resin composition. The resin composition includes a polyester acrylate oligomer, a hydroxyalkyl acrylate (HAA) and a polyvinylpyrrolidone (PVP) derivative. The conductive powder and the resin composition have a weight ratio of 40-85:15-60. The polyester acrylate oligomer, the hydroxyalkyl acrylate (HAA) and the polyvinylpyrrolidone (PVP) derivative have a weight ratio of 15-70:10-60:3-40.

摘要翻译： 提供导电浆料。 导电浆料包括导电粉末和树脂组合物。 树脂组合物包括聚酯丙烯酸酯低聚物，丙烯酸羟烷基酯（HAA）和聚乙烯吡咯烷酮（PVP）衍生物。 导电粉末和树脂组合物的重量比为40-85:15-60。 聚酯丙烯酸酯低聚物，丙烯酸羟烷基酯（HAA）和聚乙烯吡咯烷酮（PVP）衍生物的重量比为15-70：10-60：3-40。

公开(公告)号：US08784697B2

公开(公告)日：2014-07-22

申请号：US13560273

申请日：2012-07-27

申请人： Kuo-Chan Chiou ,  Jun-Rong Chen ,  Hsin-Mei Chen

发明人： Kuo-Chan Chiou ,  Jun-Rong Chen ,  Hsin-Mei Chen

IPC分类号： H01B1/20 ,  C09D5/24

CPC分类号： H01B1/22

摘要： A conductive paste is provided. The conductive paste includes a conductive powder and a resin composition. The resin composition includes a polyester acrylate oligomer, a hydroxyalkyl acrylate (HAA) and a polyvinylpyrrolidone (PVP) derivative. The conductive powder and the resin composition have a weight ratio of 40-85:15-60. The polyester acrylate oligomer, the hydroxyalkyl acrylate (HAA) and the polyvinylpyrrolidone (PVP) derivative have a weight ratio of 15-70:10-60:3-40.

摘要翻译： 提供导电浆料。 导电浆料包括导电粉末和树脂组合物。 树脂组合物包括聚酯丙烯酸酯低聚物，丙烯酸羟烷基酯（HAA）和聚乙烯吡咯烷酮（PVP）衍生物。 导电粉末和树脂组合物的重量比为40-85:15-60。 聚酯丙烯酸酯低聚物，丙烯酸羟烷基酯（HAA）和聚乙烯吡咯烷酮（PVP）衍生物的重量比为15-70：10-60：3-40。