公开(公告)号：US07989244B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US11802482

申请日：2007-05-23

申请人： Kyoung-kook Kim ,  Kwang-ki Choi ,  June-o Song ,  Suk-ho Yoon ,  Kwang-hyeon Baik ,  Hyun-soo Kim

发明人： Kyoung-kook Kim ,  Kwang-ki Choi ,  June-o Song ,  Suk-ho Yoon ,  Kwang-hyeon Baik ,  Hyun-soo Kim

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0217

摘要： Provided is a method of manufacturing a nitride-based semiconductor light-emitting device having increased efficiency and increased output properties. The method may include forming a sacrificial layer having a wet etching property on a substrate, forming a protective layer on the sacrificial layer, protecting the sacrificial layer in a reaction gas atmosphere for crystal growth, and facilitating epitaxial growth of a semiconductor layer to be formed on the protective layer, forming a semiconductor device including an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer on the protective layer, and removing the substrate from the semiconductor device by wet etching the sacrificial layer.

摘要翻译： 提供了一种制造具有提高的效率和增加的输出特性的氮化物基半导体发光器件的方法。 该方法可以包括在衬底上形成具有湿蚀刻性质的牺牲层，在牺牲层上形成保护层，在用于晶体生长的反应气体气氛中保护牺牲层，并且促进要形成的半导体层的外延生长 在保护层上，在保护层上形成包括n型半导体层，有源层和p型半导体层的半导体器件，并且通过湿式蚀刻牺牲层从半导体器件去除衬底。

公开(公告)号：US20080038857A1

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：US11802482

申请日：2007-05-23

申请人： Kyoung-kook Kim ,  Kwang-ki Choi ,  June-o Song ,  Suk-ho Yoon ,  Kwang-hyeon Baik ,  Hyun-soo Kim

发明人： Kyoung-kook Kim ,  Kwang-ki Choi ,  June-o Song ,  Suk-ho Yoon ,  Kwang-hyeon Baik ,  Hyun-soo Kim

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0217

摘要： Provided is a method of manufacturing a nitride-based semiconductor light-emitting device having increased efficiency and increased output properties. The method may include forming a sacrificial layer having a wet etching property on a substrate, forming a protective layer on the sacrificial layer, protecting the sacrificial layer in a reaction gas atmosphere for crystal growth, and facilitating epitaxial growth of a semiconductor layer to be formed on the protective layer, forming a semiconductor device including an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer on the protective layer, and removing the substrate from the semiconductor device by wet etching the sacrificial layer.

摘要翻译： 提供了一种制造具有提高的效率和增加的输出特性的氮化物基半导体发光器件的方法。 该方法可以包括在衬底上形成具有湿蚀刻性质的牺牲层，在牺牲层上形成保护层，在用于晶体生长的反应气体气氛中保护牺牲层，并且促进要形成的半导体层的外延生长 在保护层上，在保护层上形成包括n型半导体层，有源层和p型半导体层的半导体器件，并且通过湿式蚀刻牺牲层从半导体器件去除衬底。

公开(公告)号：US08013354B2

公开(公告)日：2011-09-06

申请号：US11737479

申请日：2007-04-19

申请人： Jeong-wook Lee ,  Jin-seo Im ,  Bok-ki Min ,  Kwang-hyeon Baik ,  Heon-su Jeon

发明人： Jeong-wook Lee ,  Jin-seo Im ,  Bok-ki Min ,  Kwang-hyeon Baik ,  Heon-su Jeon

IPC分类号： H01L29/22

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/007

摘要： A semiconductor light emitting device having a multiple pattern structure greatly increases light extraction efficiency. The semiconductor light emitting device includes a substrate and a semiconductor layer, an active layer, and an electrode layer formed on the substrate, a first pattern defining a first corrugated structure between the substrate and the semiconductor layer, and a second pattern defining a second corrugated structure on the first corrugated structure of the first pattern.

摘要翻译： 具有多重图案结构的半导体发光器件大大提高了光提取效率。 半导体发光器件包括衬底和半导体层，有源层和形成在衬底上的电极层，在衬底和半导体层之间限定第一波纹结构的第一图案和限定第二波纹状的第二图案 结构上第一个波纹结构的第一个图案。

公开(公告)号：US20090095981A1

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：US12073308

申请日：2008-03-04

申请人： Dong-hun Kang ,  Sang-moon Lee ,  Joong S. Jeong ,  Kwang-hyeon Baik

发明人： Dong-hun Kang ,  Sang-moon Lee ,  Joong S. Jeong ,  Kwang-hyeon Baik

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/092 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/78

摘要： Provided are a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device and a method of manufacturing the same. The CMOS device comprises an epi-layer that may be formed on a substrate; a first semiconductor layer and a second semiconductor layer that may be formed on different regions of the epi-layer, respectively; and a PMOS transistor and a NMOS transistor that may be formed on the first and second semiconductor layers, respectively.

摘要翻译： 提供互补金属氧化物半导体（CMOS）器件及其制造方法。 CMOS器件包括可以形成在衬底上的外延层; 可以分别形成在外延层的不同区域上的第一半导体层和第二半导体层; 以及可以分别形成在第一和第二半导体层上的PMOS晶体管和NMOS晶体管。