公开(公告)号：US06699784B2

公开(公告)日：2004-03-02

申请号：US10096503

申请日：2002-03-12

申请人： Li-Qun Xia ,  Ping Xu ,  Louis Yang ,  Tzu-Fang Huang ,  Wen H. Zhu

发明人： Li-Qun Xia ,  Ping Xu ,  Louis Yang ,  Tzu-Fang Huang ,  Wen H. Zhu

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L21/31144 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829

摘要： A method for depositing a silicon oxycarbide hard mask on a low k dielectric layer is provided. Substrates containing a silicon oxycarbide hard mask on a low k dielectric layer are also disclosed. The silicon oxycarbide hard mask may be formed by a processing gas comprising a siloxane.

摘要翻译： 提供了一种在低k电介质层上沉积碳氧化硅硬掩模的方法。 还公开了在低k电介质层上含有碳氧化硅硬掩模的衬底。 硅碳化硅硬掩模可以由包含硅氧烷的处理气体形成。

公开(公告)号：US07700486B2

公开(公告)日：2010-04-20

申请号：US11424723

申请日：2006-06-16

申请人： Sohyun Park ,  Wen H. Zhu ,  Tzu-Fang Huang ,  Li-Qun Xia ,  Hichem M'Saad

发明人： Sohyun Park ,  Wen H. Zhu ,  Tzu-Fang Huang ,  Li-Qun Xia ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H01L21/44 ,  G01F7/00

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76829 ,  Y10S438/913

摘要： A method for seasoning a chamber and depositing a low dielectric constant layer on a substrate in the chamber is provided. In one aspect, the method includes seasoning the chamber with a first mixture comprising one or more organosilicon compounds and one or more oxidizing gases and depositing a low dielectric constant layer on a substrate in the chamber from a second mixture comprising one or more organosilicon compounds and one or more oxidizing gases, wherein a ratio of the total flow rate of the organosilicon compounds to the total flow rate of the oxidizing gases in the first mixture is lower than the total flow rate of the organosilicon compounds to the total flow rate of the oxidizing gases in the second mixture.

摘要翻译： 提供了调节室的方法和在室中的基板上沉积低介电常数层。 在一个方面，所述方法包括用包含一种或多种有机硅化合物和一种或多种氧化性气体的第一混合物来调节室，并且从室内的衬底上沉积低介电常数层，所述第二混合物包含一种或多种有机硅化合物和 一种或多种氧化性气体，其中有机硅化合物的总流量与第一混合物中的氧化气体的总流量的比率低于有机硅化合物的总流量与氧化物的总流量的比率 第二混合物中的气体。

公开(公告)号：US07588803B2

公开(公告)日：2009-09-15

申请号：US11047785

申请日：2005-02-01

申请人： Alexandros T. Demos ,  Li-Qun Xia ,  Tzu-Fang Huang ,  Wen H. Zhu

发明人： Alexandros T. Demos ,  Li-Qun Xia ,  Tzu-Fang Huang ,  Wen H. Zhu

IPC分类号： B05D3/06 ,  C08J7/18 ,  C23C14/30 ,  G21G1/10 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76825

摘要： According to one embodiment of the invention, a method of modifying a mechanical, physical and/or electrical property of a dielectric layer comprises exposing the dielectric layer to a first dose of electron beam radiation at a first energy level; and thereafter, exposing the dielectric layer to a second dose of electron beam radiation at a second energy level that is different from the first energy level.

摘要翻译： 根据本发明的一个实施例，一种修改电介质层的机械，物理和/或电学性能的方法包括：以第一能级将介电层暴露于第一剂量的电子束辐射; 之后，在不同于第一能级的第二能级处将电介质层暴露于第二剂量的电子束辐射。

公开(公告)号：US07115508B2

公开(公告)日：2006-10-03

申请号：US10816606

申请日：2004-04-02

申请人： Sohyun Park ,  Wen H. Zhu ,  Tzu-Fang Huang ,  Li-Qun Xia ,  Hichem M'Saad

发明人： Sohyun Park ,  Wen H. Zhu ,  Tzu-Fang Huang ,  Li-Qun Xia ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76829 ,  Y10S438/913

摘要： A method for seasoning a chamber and depositing a low dielectric constant layer on a substrate in the chamber is provided. In one aspect, the method includes seasoning the chamber with a first mixture comprising one or more organosilicon compounds and one or more oxidizing gases and depositing a low dielectric constant layer on a substrate in the chamber from a second mixture comprising one or more organosilicon compounds and one or more oxidizing gases, wherein a ratio of the total flow rate of the organosilicon compounds to the total flow rate of the oxidizing gases in the first mixture is lower than the total flow rate of the organosilicon compounds to the total flow rate of the oxidizing gases in the second mixture.

摘要翻译： 提供了调节室的方法和在室中的基板上沉积低介电常数层。 在一个方面，所述方法包括用包含一种或多种有机硅化合物和一种或多种氧化性气体的第一混合物来调节室，并且从室内的衬底上沉积低介电常数层，所述第二混合物包含一种或多种有机硅化合物和 一种或多种氧化性气体，其中有机硅化合物的总流量与第一混合物中的氧化气体的总流量的比率低于有机硅化合物的总流量与氧化物的总流量的比率 第二混合物中的气体。

公开(公告)号：US20070042610A1

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：US11537928

申请日：2006-10-02

申请人： Li-Qun Xia ,  Ping Xu ,  Louis Yang

发明人： Li-Qun Xia ,  Ping Xu ,  Louis Yang

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76835 ,  C23C16/325 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834

摘要： A method is provided for processing a substrate including providing a processing gas comprising an organosilicon compound comprising a phenyl group to the processing chamber, and reacting the processing gas to deposit a low k silicon carbide barrier layer useful as a barrier layer in damascene or dual damascene applications with low k dielectric materials.

摘要翻译： 提供了一种处理基材的方法，包括提供包含含有苯基的有机硅化合物的处理气体至处理室，并使处理气体反应沉积在大马士革或双镶嵌中可用作阻挡层的低k碳化硅阻挡层 低k电介质材料的应用。

公开(公告)号：US07125813B2

公开(公告)日：2006-10-24

申请号：US10828441

申请日：2004-04-20

申请人： Li-Qun Xia ,  Ping Xu ,  Louis Yang

发明人： Li-Qun Xia ,  Ping Xu ,  Louis Yang

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76835 ,  C23C16/325 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834

摘要： A method is provided for processing a substrate including providing a processing gas comprising an organosilicon compound comprising a phenyl group to the processing chamber, and reacting the processing gas to deposit a low k silicon carbide barrier layer useful as a barrier layer in damascene or dual damascene applications with low k dielectric materials.

摘要翻译： 提供了一种处理基材的方法，包括提供包含含有苯基的有机硅化合物的处理气体至处理室，并使处理气体反应沉积在大马士革或双镶嵌中可用作阻挡层的低k碳化硅阻挡层 低k电介质材料的应用。

公开(公告)号：US06849562B2

公开(公告)日：2005-02-01

申请号：US10092203

申请日：2002-03-04

申请人： Chi-I Lang ,  Li-Qun Xia ,  Ping Xu ,  Louis Yang

发明人： Chi-I Lang ,  Li-Qun Xia ,  Ping Xu ,  Louis Yang

IPC分类号： C23C16/36 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： C23C16/36

摘要： A method for depositing a low k dielectric film comprising silicon, carbon, and nitrogen is provided. The low k dielectric film is formed by a gas mixture comprising a silicon source, a carbon source, and NR1R2R3, wherein R1, R2, and R3 are selected from the group consisting of alkyl and phenyl groups. The low k dielectric film may be used as a barrier layer, an etch stop, an anti-reflective coating, or a hard mask.

摘要翻译： 提供了沉积包含硅，碳和氮的低k电介质膜的方法。 低k电介质膜由包含硅源，碳源和NR1R2R3的气体混合物形成，其中R1，R2和R3选自烷基和苯基。 低k电介质膜可以用作阻挡层，蚀刻停止层，抗反射涂层或硬掩模。

公开(公告)号：US07319068B2

公开(公告)日：2008-01-15

申请号：US11537928

申请日：2006-10-02

申请人： Li-Qun Xia ,  Ping Xu ,  Louis Yang

发明人： Li-Qun Xia ,  Ping Xu ,  Louis Yang

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76835 ,  C23C16/325 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834

摘要： A method is provided for processing a substrate including providing a processing gas comprising an organosilicon compound comprising a phenyl group to the processing chamber, and reacting the processing gas to deposit a low k silicon carbide barrier layer useful as a barrier layer in damascene or dual damascene applications with low k dielectric materials.

摘要翻译： 提供了一种处理基材的方法，包括提供包含含有苯基的有机硅化合物的处理气体至处理室，并使处理气体反应沉积在大马士革或双镶嵌中可用作阻挡层的低k碳化硅阻挡层 低k电介质材料的应用。

公开(公告)号：US06759327B2

公开(公告)日：2004-07-06

申请号：US10010950

申请日：2001-11-13

申请人： Li-Qun Xia ,  Ping Xu ,  Louis Yang

发明人： Li-Qun Xia ,  Ping Xu ,  Louis Yang

IPC分类号： H01L214763

CPC分类号： H01L21/76835 ,  C23C16/325 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834

摘要： A method is provided for processing a substrate including providing a processing gas comprising an organosilicon compound comprising a phenyl group to the processing chamber, and reacting the processing gas to deposit a low k silicon carbide barrier layer useful as a barrier layer in damascene or dual damascene applications with low k dielectric materials.

摘要翻译： 提供了一种处理基材的方法，包括提供包含含有苯基的有机硅化合物的处理气体至处理室，并使处理气体反应沉积在大马士革或双镶嵌中可用作阻挡层的低k碳化硅阻挡层 低k电介质材料的应用。

公开(公告)号：US08753989B2

公开(公告)日：2014-06-17

申请号：US13365229

申请日：2012-02-02

申请人： Mihaela Balseanu ,  Michael S. Cox ,  Li-Qun Xia ,  Mei-Yee Shek ,  Jia Lee ,  Vladimir Zubkov ,  Tzu-Fang Huang ,  Rongping Wang ,  Isabelita Roflox ,  Hichem M'Saad

发明人： Mihaela Balseanu ,  Michael S. Cox ,  Li-Qun Xia ,  Mei-Yee Shek ,  Jia Lee ,  Vladimir Zubkov ,  Tzu-Fang Huang ,  Rongping Wang ,  Isabelita Roflox ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： C23C16/345 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823835

摘要： High tensile stress in a deposited layer, such as a silicon nitride layer, may be achieved utilizing one or more techniques employed either alone or in combination. In one embodiment, a silicon nitride film having high tensile stress may be formed by depositing the silicon nitride film in the presence of a porogen. The deposited silicon nitride film may be exposed to at least one treatment selected from a plasma or ultraviolet radiation to liberate the porogen. The silicon nitride film may be densified such that a pore resulting from liberation of the porogen is reduced in size, and Si—N bonds in the silicon nitride film are strained to impart a tensile stress in the silicon nitride film. In another embodiment, tensile stress in a silicon nitride film may be enhanced by depositing a silicon nitride film in the presence of a nitrogen-containing plasma at a temperature of less than about 400° C., and exposing the deposited silicon nitride film to ultraviolet radiation.

摘要翻译： 沉积层（例如氮化硅层）中的高拉伸应力可以利用单独使用或组合使用的一种或多种技术来实现。 在一个实施例中，可以通过在致孔剂的存在下沉积氮化硅膜来形成具有高拉伸应力的氮化硅膜。 沉积的氮化硅膜可以暴露于选自等离子体或紫外线辐射的至少一种处理以释放致孔剂。 可以使氮化硅膜致密化，使致孔剂释放产生的孔尺寸减小，并且氮化硅膜中的Si-N键变形以在氮化硅膜中产生拉伸应力。 在另一个实施例中，可以通过在低于约400℃的温度下在含氮等离子体的存在下沉积氮化硅膜来增强氮化硅膜中的拉伸应力，并将沉积的氮化硅膜暴露于紫外线 辐射。