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    Homoepitaxial gallium nitride based photodetector and method of producing
    1.
    发明申请
    Homoepitaxial gallium nitride based photodetector and method of producing 有权
    同质外延氮化镓基光电探测器及其制造方法

    公开(公告)号：US20050029537A1

    公开(公告)日：2005-02-10

    申请号：US10932127

    申请日：2004-09-01

    申请人： Mark D'Evelyn ,  Nicole Evers ,  Kanin Chu

    发明人： Mark D'Evelyn ,  Nicole Evers ,  Kanin Chu

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/108 ,  H01L33/00

    CPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/108 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

    摘要： A photodetector (100, 200, 300) comprising a gallium nitride substrate, at least one active layer (104, 302) disposed on the substrate (102, 202, 306), and a conductive contact structure (106, 210, 308) affixed to the active layer (104, 302) and, in some embodiments, the substrate (102, 202, 306). The invention includes photodetectors (100, 200, 300) having metal-semiconductor-metal structures, P-i-N structures, and Schottky-barrier structures. The active layers (104, 302) may comprise Ga1-x-yAlxInyN1-z-w PzAsw, or, preferably, Ga1-xAlxN. The gallium nitride substrate comprises a single crystal gallium nitride wafer and has a dislocation density of less than about 105 cm−2. A method of making the photodetector (100, 200, 300) is also disclosed.

    摘要翻译： 包括氮化镓衬底，设置在衬底（102,202,306）上的至少一个有源层（104,302）的光电探测器（100,200,300）和固定在衬底上的导电接触结构（106,210,308） 到有源层（104,302），并且在一些实施例中为衬底（102,202,306）。 本发明包括具有金属 - 半导体 - 金属结构，P-i-N结构和肖特基势垒结构的光电探测器（100,200,300）。 有源层（104,302）可以包括Ga1-x-yAlxInyN1-z-wPzAsw，或者优选地，Ga1-xAlxN。 氮化镓衬底包括单晶氮化镓晶片，并且具有小于约10 -5 cm -2的位错密度。 还公开了制造光电检测器（100,200,300）的方法。

    Apparatus for making crystalline composition
    9.
    发明申请
    Apparatus for making crystalline composition 有权
    用于制造结晶组合物的装置

    公开(公告)号：US20070151509A1

    公开(公告)日：2007-07-05

    申请号：US11313442

    申请日：2005-12-20

    申请人： Dong-Sil Park ,  Mark D'Evelyn ,  Myles Peterson ,  John Leman ,  Joell Hibshman ,  Fred Sharifi

    发明人： Dong-Sil Park ,  Mark D'Evelyn ,  Myles Peterson ,  John Leman ,  Joell Hibshman ,  Fred Sharifi

    IPC分类号： C30B11/00

    CPC分类号： C01B21/0632 ,  C01B21/0602 ,  C01B21/0722 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/80 ,  Y10T117/10

    摘要： A composition including a polycrystalline metal nitride having a number of grains is provided. These grains have a columnar structure with one or more properties such as, an average grain size, a tilt angle, an impurity content, a porosity, a density, and an atomic fraction of the metal in the metal nitride. An apparatus for preparing a metal nitride is provided. The apparatus may include a housing having an interior surface that defines a chamber and an energy source to supply energy to the chamber. A first inlet may be provided to flow a nitrogen-containing gas into the chamber. Raw materials may be introduced into the chamber through a raw material inlet. A second inlet may be provided to flow in a halide-containing gas in the chamber. The apparatus may further include a controller, which communicates with the various components of the apparatus such as, sensors, valves, and energy source, and may optimize and control the reaction.

    摘要翻译： 提供了包含多个晶粒的多晶金属氮化物的组合物。 这些晶粒具有在金属氮化物中具有金属的平均晶粒尺寸，倾斜角，杂质含量，孔隙率，密度和原子分数等一个或多个特性的柱状结构。 提供了一种用于制备金属氮化物的设备。 该装置可以包括具有限定腔室的内表面和用于向腔室供应能量的能量源的壳体。 可以提供第一入口以将含氮气体流入室中。 可以通过原料入口将原料引入室中。 可以提供第二入口以在室中的含卤化物气体中流动。 该装置还可以包括控制器，其与设备的各种部件（例如传感器，阀门和能量源）进行通信，并且可以优化和控制反应。