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    Group III-nitride based resonant cavity light emitting devices fabricated on single crystal gallium nitride substrates
    2.
    发明申请
    Group III-nitride based resonant cavity light emitting devices fabricated on single crystal gallium nitride substrates 有权
    在单晶氮化镓衬底上制造的III族氮化物基谐振腔发光器件

    公开(公告)号：US20050087753A1

    公开(公告)日：2005-04-28

    申请号：US10693803

    申请日：2003-10-24

    申请人： Mark D'Evelyn ,  Xian-An Cao ,  Anping Zhang ,  Steven LeBoeuf ,  Huicong Hong ,  Dong-Sil Park ,  Kristi Narang

    发明人： Mark D'Evelyn ,  Xian-An Cao ,  Anping Zhang ,  Steven LeBoeuf ,  Huicong Hong ,  Dong-Sil Park ,  Kristi Narang

    IPC分类号： C30B9/00 ,  H01L33/00 ,  H01L33/10 ,  H01L21/00

    CPC分类号： H01L33/105 ,  C30B9/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L33/007 ,  Y10T117/1064

    摘要： In a method for producing a resonant cavity light emitting device, a seed gallium nitride crystal (14) and a source material (30) are arranged in a nitrogen-containing superheated fluid (44) disposed in a sealed container (10) disposed in a multiple-zone furnace (50). Gallium nitride material is grown on the seed gallium nitride crystal (14) to produce a single-crystal gallium nitride substrate (106, 106′). Said growing includes applying a temporally varying thermal gradient (100, 100′, 102, 102′) between the seed gallium nitride crystal (14) and the source material (30) to produce an increasing growth rate during at least a portion of the growing. A stack of group III-nitride layers (112) is deposited on the single-crystal gallium nitride substrate (106, 106′), including a first mirror sub-stack (116) and an active region (120) adapted for fabrication into one or more resonant cavity light emitting devices (108, 150, 160, 170, 180).

    摘要翻译： 在制造谐振腔发光器件的方法中，将氮化镓晶体（14）和源极材料（30）布置在设置在密封容器（10）中的含氮过热流体（44）中， 多区炉（50）。 在氮化镓晶体（14）上生长氮化镓材料以制造单晶氮化镓衬底（106,106'）。 所述生长包括在种子氮化镓晶体（14）和源材料（30）之间施加时间上不同的热梯度（100,100'，102,102'），以在至少一部分生长期间产生增加的生长速率 。 一组III族氮化物层（112）沉积在单晶氮化镓衬底（106,106'）上，其包括第一反射镜子层（116）和适于制造成一体的有源区（120） 或更多的谐振腔发光器件（108,150,160,170,180）。

    Apparatus for producing single crystal and quasi-single crystal, and associated method
    10.
    发明申请
    Apparatus for producing single crystal and quasi-single crystal, and associated method 有权
    用于生产单晶和准单晶的装置及其相关方法

    公开(公告)号：US20060048699A1

    公开(公告)日：2006-03-09

    申请号：US11249896

    申请日：2005-10-13

    申请人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Victor Lou ,  Thomas McNulty ,  Huicong Hong

    发明人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Victor Lou ,  Thomas McNulty ,  Huicong Hong

    IPC分类号： C30B28/06 ,  C30B21/02 ,  C30B7/00

    CPC分类号： C30B29/403 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B7/00 ,  C30B9/00 ,  C30B29/406 ,  Y10T117/1052 ,  Y10T117/1096

    摘要： An apparatus including a crucible, an energy source, and a controller is provided. The crucible may be sealed to a nitrogen-containing gas, and may be chemically inert to at least ammonia at a temperature in a range of about 400 degrees Celsius to about 2500 degrees Celsius. The energy source may supply thermal energy to the crucible. The controller may control the energy source to selectively direct sufficient thermal energy to a predefined first volume within the crucible to attain and maintain a temperature in the first volume to be in a range of from about 400 degrees Celsius to about 2500 degrees Celsius. The thermal energy may be sufficient to initiate, sustain, or both initiate and sustain growth of a crystal in the first volume. The first temperature in the first volume may be controllable separately from a second temperature in another volume within the crucible. The first temperature and the second temperature differ from each other. Associated methods are provided.

    摘要翻译： 提供一种包括坩埚，能量源和控制器的装置。 该坩埚可以密封到含氮气体，并且在约400摄氏度至约2500摄氏度的温度范围内，至少可以在至少氨的化学惰性。 能量源可以向坩埚提供热能。 控制器可以控制能量源以选择性地将足够的热能引导到坩埚内的预定义的第一体积，以获得并将第一体积中的温度维持在从约400摄氏度到约2500摄氏度的范围内。 热能可能足以启动，维持或同时启动和维持晶体在第一体积中的生长。 第一体积中的第一温度可以与坩埚内的另一体积中的第二温度分开控制。 第一温度和第二温度彼此不同。 提供相关方法。