公开(公告)号：US20050287771A1

公开(公告)日：2005-12-29

申请号：US11065464

申请日：2005-02-24

申请人： Martin Seamons ,  Wendy Yeh ,  Sudha Rathi ,  Deenesh Padhi ,  Andy Luan ,  Sum-Yee Tang ,  Priya Kulkarni ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Bok Kim ,  Hichem M'Saad ,  Yuxiang Wang ,  Michael Kwan

发明人： Martin Seamons ,  Wendy Yeh ,  Sudha Rathi ,  Deenesh Padhi ,  Andy Luan ,  Sum-Yee Tang ,  Priya Kulkarni ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Bok Kim ,  Hichem M'Saad ,  Yuxiang Wang ,  Michael Kwan

IPC分类号： C23C16/505 ,  H01L21/314 ,  H01L21/768 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/36

CPC分类号： C23C16/505 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76829

摘要： Methods are provided for depositing amorphous carbon materials. In one aspect, the invention provides a method for processing a substrate including positioning the substrate in a processing chamber, introducing a processing gas into the processing chamber, wherein the processing gas comprises a carrier gas, hydrogen, and one or more precursor compounds, generating a plasma of the processing gas by applying power from a dual-frequency RF source, and depositing an amorphous carbon layer on the substrate.

摘要翻译： 提供用于沉积无定形碳材料的方法。 一方面，本发明提供了一种处理衬底的方法，包括将衬底定位在处理室中，将处理气体引入处理室，其中处理气体包括载气，氢气和一种或多种前体化合物，产生 处理气体的等离子体，通过从双频RF源施加电力，以及在基板上沉积无定形碳层。

公开(公告)号：US20050150452A1

公开(公告)日：2005-07-14

申请号：US10757021

申请日：2004-01-14

申请人： Soovo Sen ,  Mark Fodor ,  Martin Seamons ,  Priya Kulkarni ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Sudha Rathi ,  Tsutomu Shimayama ,  Thomas Nowak ,  Wendy Yeh

发明人： Soovo Sen ,  Mark Fodor ,  Martin Seamons ,  Priya Kulkarni ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Sudha Rathi ,  Tsutomu Shimayama ,  Thomas Nowak ,  Wendy Yeh

IPC分类号： C23C16/44 ,  C30B25/14 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/4412

摘要： The present invention provides a process kit for a semiconductor processing chamber. The processing chamber is a vacuum processing chamber that includes a chamber body defining an interior processing region. The processing region receives a substrate for processing, and also supports equipment pieces of the process kit. The process kit includes a pumping liner configured to be placed within the processing region of the processing chamber, and a C-channel liner configured to be placed along an outer diameter of the pumping liner. The pumping liner and the C-channel liner have novel interlocking features designed to inhibit parasitic pumping of processing or cleaning gases from the processing region. The invention further provides a semiconductor processing chamber having an improved process kit, such as the kit described. In one arrangement, the chamber is a tandem processing chamber.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于半导体处理室的处理套件。 处理室是真空处理室，其包括限定内部处理区域的室主体。 处理区域接收用于处理的基板，并且还支持处理套件的设备件。 该处理套件包括构造成放置在处理室的处理区域内的泵送衬套，以及构造成沿着泵送衬套的外径放置的C形通道衬套。 泵送衬管和C通道衬管具有新颖的互锁特征，其设计用于抑制来自处理区域的处理或清洁气体的寄生泵送。 本发明还提供了一种具有改进的处理工具的半导体处理室，例如所述的套件。 在一种布置中，室是串联处理室。

公开(公告)号：US07407893B2

公开(公告)日：2008-08-05

申请号：US11065464

申请日：2005-02-24

申请人： Martin Jay Seamons ,  Wendy H. Yeh ,  Sudha S. R. Rathi ,  Deenesh Padhi ,  Andy (Hsin Chiao) Luan ,  Sum-Yee Betty Tang ,  Priya Kulkarni ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Bok Hoen Kim ,  Hichem M'Saad ,  Yuxiang May Wang ,  Michael Chiu Kwan

发明人： Martin Jay Seamons ,  Wendy H. Yeh ,  Sudha S. R. Rathi ,  Deenesh Padhi ,  Andy (Hsin Chiao) Luan ,  Sum-Yee Betty Tang ,  Priya Kulkarni ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Bok Hoen Kim ,  Hichem M'Saad ,  Yuxiang May Wang ,  Michael Chiu Kwan

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/461

CPC分类号： C23C16/505 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76829

摘要： Methods are provided for depositing amorphous carbon materials. In one aspect, the invention provides a method for processing a substrate including positioning the substrate in a processing chamber, introducing a processing gas into the processing chamber, wherein the processing gas comprises a carrier gas, hydrogen, and one or more precursor compounds, generating a plasma of the processing gas by applying power from a dual-frequency RF source, and depositing an amorphous carbon layer on the substrate.

摘要翻译： 提供了沉积无定形碳材料的方法。 一方面，本发明提供了一种处理衬底的方法，包括将衬底定位在处理室中，将处理气体引入处理室，其中处理气体包括载气，氢气和一种或多种前体化合物，产生 处理气体的等离子体，通过从双频RF源施加电力，以及在基板上沉积无定形碳层。