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    SOI schottky source/drain device structure to control encroachment and delamination of silicide
    2.
    发明授权
    SOI schottky source/drain device structure to control encroachment and delamination of silicide 失效
    SOI肖特基源/漏极器件结构，以控制硅化物的侵蚀和分层

    公开(公告)号：US08482084B2

    公开(公告)日：2013-07-09

    申请号：US12726789

    申请日：2010-03-18

    申请人： Marwan H. Khater ,  Christian Lavoie ,  Bin Yang ,  Zhen Zhang

    发明人： Marwan H. Khater ,  Christian Lavoie ,  Bin Yang ,  Zhen Zhang

    IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L31/00

    CPC分类号： H01L29/78654 ,  H01L29/7839

    摘要： A Schottky field effect transistor is provided that includes a substrate having a layer of semiconductor material atop a dielectric layer, wherein the layer of semiconductor material has a thickness of less than 10.0 nm. A gate structure is present on the layer of semiconductor material. Raised source and drain regions comprised of a metal semiconductor alloy are present on the layer of semiconductor material on opposing sides of the gate structure. The raised source and drain regions are Schottky source and drain regions. In one embodiment, a first portion of the Schottky source and drain regions that is adjacent to a channel region of the Schottky field effect transistor contacts the dielectric layer, and a non-reacted semiconductor material is present between a second portion of the Schottky source and drain regions and the dielectric layer.

    摘要翻译： 提供一种肖特基场效应晶体管，其包括在电介质层顶上具有半导体材料层的衬底，其中半导体材料层的厚度小于10.0nm。 栅极结构存在于半导体材料层上。 在栅极结构的相对侧的半导体材料层上存在由金属半导体合金构成的凸起的源极和漏极区域。 凸起的源极和漏极区域是肖特基源极和漏极区域。 在一个实施例中，与肖特基场效应晶体管的沟道区相邻的肖特基源极和漏极区的第一部分接触电介质层，并且未反应的半导体材料存在于肖特基源的第二部分和 漏区和电介质层。

    SOI Schottky Source/Drain Device Structure to Control Encroachment and Delamination of Silicide
    4.
    发明申请
    SOI Schottky Source/Drain Device Structure to Control Encroachment and Delamination of Silicide 失效
    SOI肖特基源/排水装置结构，以控制硅化物的侵蚀和分层

    公开(公告)号：US20110227156A1

    公开(公告)日：2011-09-22

    申请号：US12726789

    申请日：2010-03-18

    申请人： Marwan H. Khater ,  Christian Lavoie ,  Bin Yang ,  Zhen Zhang

    发明人： Marwan H. Khater ,  Christian Lavoie ,  Bin Yang ,  Zhen Zhang

    IPC分类号： H01L27/12

    CPC分类号： H01L29/78654 ,  H01L29/7839

    摘要： A Schottky field effect transistor is provided that includes a substrate having a layer of semiconductor material atop a dielectric layer, wherein the layer of semiconductor material has a thickness of less than 10.0 nm. A gate structure is present on the layer of semiconductor material. Raised source and drain regions comprised of a metal semiconductor alloy are present on the layer of semiconductor material on opposing sides of the gate structure. The raised source and drain regions are Schottky source and drain regions. In one embodiment, a first portion of the Schottky source and drain regions that is adjacent to a channel region of the Schottky field effect transistor contacts the dielectric layer, and a non-reacted semiconductor material is present between a second portion of the Schottky source and drain regions and the dielectric layer.

    摘要翻译： 提供一种肖特基场效应晶体管，其包括在电介质层顶上具有半导体材料层的衬底，其中半导体材料层的厚度小于10.0nm。 栅极结构存在于半导体材料层上。 在栅极结构的相对侧的半导体材料层上存在由金属半导体合金构成的凸起的源极和漏极区域。 凸起的源极和漏极区域是肖特基源极和漏极区域。 在一个实施例中，与肖特基场效应晶体管的沟道区相邻的肖特基源极和漏极区的第一部分接触电介质层，并且未反应的半导体材料存在于肖特基源的第二部分和 漏区和电介质层。

    USE OF EPITAXIAL NI SILICIDE
    6.
    发明申请
    USE OF EPITAXIAL NI SILICIDE 有权
    外用矽硅胶的使用

    公开(公告)号：US20130012020A1

    公开(公告)日：2013-01-10

    申请号：US13612240

    申请日：2012-09-12

    申请人： Marwan H. Khater ,  Christian Lavoie ,  Bin Yang ,  Zhen Zhang

    发明人： Marwan H. Khater ,  Christian Lavoie ,  Bin Yang ,  Zhen Zhang

    IPC分类号： H01L21/3205

    CPC分类号： H01L29/7839 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28537 ,  H01L29/47 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78618

    摘要： An epitaxial Ni silicide film that is substantially non-agglomerated at high temperatures, and a method for forming the epitaxial Ni silicide film, is provided. The Ni silicide film of the present disclosure is especially useful in the formation of ETSOI (extremely thin silicon-on-insulator) Schottky junction source/drain FETs. The resulting epitaxial Ni silicide film exhibits improved thermal stability and does not agglomerate at high temperatures.

    摘要翻译： 提供了在高温下基本上未附聚的外延Ni硅化物膜，以及形成外延Ni硅化物膜的方法。 本公开的Ni硅化物膜特别可用于形成ETSOI（极薄的绝缘体上硅）肖特基结源极/漏极FET。 得到的外延Ni硅化物膜具有改善的热稳定性，并且在高温下不聚结。

    Method for forming an SOI schottky source/drain device to control encroachment and delamination of silicide
    7.
    发明授权
    Method for forming an SOI schottky source/drain device to control encroachment and delamination of silicide 有权
    用于形成SOI肖特基源极/漏极器件以控制硅化物侵蚀和分层的方法

    公开(公告)号：US08168503B2

    公开(公告)日：2012-05-01

    申请号：US12726736

    申请日：2010-03-18

    申请人： Marwan H. Khater ,  Christian Lavoie ,  Bin Yang ,  Zhen Zhang

    发明人： Marwan H. Khater ,  Christian Lavoie ,  Bin Yang ,  Zhen Zhang

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/7839 ,  H01L29/78654

    摘要： A method of fabricating a Schottky field effect transistor is provided that includes providing a substrate having at least a first semiconductor layer overlying a dielectric layer, wherein the first semiconductor layer has a thickness of less than 10.0 nm. A gate structure is formed directly on the first semiconductor layer. A raised semiconductor material is selectively formed on the first semiconductor layer adjacent to the gate structure. The raised semiconductor material is converted into Schottky source and drain regions composed of a metal semiconductor alloy. A non-reacted semiconductor material is present between the Schottky source and drain regions and the dielectric layer.

    摘要翻译： 提供一种制造肖特基场效应晶体管的方法，其包括提供具有覆盖在电介质层上的至少第一半导体层的衬底，其中第一半导体层具有小于10.0nm的厚度。 栅极结构直接形成在第一半导体层上。 凸起的半导体材料选择性地形成在与栅极结构相邻的第一半导体层上。 凸起的半导体材料被转换成由金属半导体合金构成的肖特基源极和漏极区域。 在肖特基源极和漏极区域与电介质层之间存在未反应的半导体材料。

    Method for Forming an SOI Schottky Source/Drain Device to Control Encroachment and Delamination of Silicide
    8.
    发明申请
    Method for Forming an SOI Schottky Source/Drain Device to Control Encroachment and Delamination of Silicide 有权
    用于形成SOI肖特基源/排水装置以控制硅化物的侵蚀和分层的方法

    公开(公告)号：US20110230017A1

    公开(公告)日：2011-09-22

    申请号：US12726736

    申请日：2010-03-18

    申请人： Marwan H. Khater ,  Christian Lavoie ,  Bin Yang ,  Zhen Zhang

    发明人： Marwan H. Khater ,  Christian Lavoie ,  Bin Yang ,  Zhen Zhang

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/7839 ,  H01L29/78654

    摘要： A method of fabricating a Schottky field effect transistor is provided that includes providing a substrate having at least a first semiconductor layer overlying a dielectric layer, wherein the first semiconductor layer has a thickness of less than 10.0 nm. A gate structure is formed directly on the first semiconductor layer. A raised semiconductor material is selectively formed on the first semiconductor layer adjacent to the gate structure. The raised semiconductor material is converted into Schottky source and drain regions composed of a metal semiconductor alloy. A non-reacted semiconductor material is present between the Schottky source and drain regions and the dielectric layer.

    摘要翻译： 提供一种制造肖特基场效应晶体管的方法，其包括提供具有覆盖在电介质层上的至少第一半导体层的衬底，其中第一半导体层具有小于10.0nm的厚度。 栅极结构直接形成在第一半导体层上。 凸起的半导体材料选择性地形成在与栅极结构相邻的第一半导体层上。 凸起的半导体材料被转换成由金属半导体合金构成的肖特基源极和漏极区域。 在肖特基源极和漏极区域与电介质层之间存在未反应的半导体材料。

    Schottky FET fabricated with gate last process
    9.
    发明授权
    Schottky FET fabricated with gate last process 失效
    用最后一道工艺制造的肖特基FET

    公开(公告)号：US08420469B2

    公开(公告)日：2013-04-16

    申请号：US12834428

    申请日：2010-07-12

    申请人： Jin Cai ,  Dechao Guo ,  Marwan H. Khater ,  Christian Lavoie ,  Zhen Zhang

    发明人： Jin Cai ,  Dechao Guo ,  Marwan H. Khater ,  Christian Lavoie ,  Zhen Zhang

    IPC分类号： H01L21/338

    CPC分类号： H01L29/66772 ,  H01L29/458 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621

    摘要： A method for forming a field effect transistor (FET) includes forming a dummy gate on a top semiconductor layer of a semiconductor on insulator substrate; forming source and drain regions in the top semiconductor layer, wherein the source and drain regions are located in the top semiconductor layer on either side of the dummy gate; forming a supporting material over the source and drain regions adjacent to the dummy gate; removing the dummy gate to form a gate opening, wherein a channel region of the top semiconductor layer is exposed through the gate opening; thinning the channel region of the top semiconductor layer through the gate opening; and forming gate spacers and a gate in the gate opening over the thinned channel region.

    摘要翻译： 一种形成场效应晶体管（FET）的方法包括在绝缘体上半导体衬底的顶部半导体层上形成一个虚拟栅极; 在顶部半导体层中形成源极和漏极区域，其中源极和漏极区域位于虚拟栅极的任一侧的顶部半导体层中; 在与所述虚拟栅极相邻的所述源极和漏极区域上形成支撑材料; 去除所述伪栅极以形成栅极开口，其中所述顶部半导体层的沟道区域通过所述栅极开口暴露; 通过栅极开口来稀薄顶部半导体层的沟道区域; 以及在所述变薄的通道区域上的所述栅极开口中形成栅极间隔物和栅极。

    Schottky FET fabricated with gate last process
    10.
    发明授权
    Schottky FET fabricated with gate last process 有权
    用最后一道工艺制造的肖特基FET

    公开(公告)号：US08541835B2

    公开(公告)日：2013-09-24

    申请号：US13571429

    申请日：2012-08-10

    申请人： Jin Cai ,  Dechao Guo ,  Marwan H. Khater ,  Christian Lavoie ,  Zhen Zhang

    发明人： Jin Cai ,  Dechao Guo ,  Marwan H. Khater ,  Christian Lavoie ,  Zhen Zhang

    IPC分类号： H01L29/66

    CPC分类号： H01L29/66772 ,  H01L29/458 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621

    摘要： A field effect transistor (FET) includes a semiconductor on insulator substrate, the substrate comprising a top semiconductor layer; source and drain regions located in the top semiconductor layer; a channel region located in the top semiconductor layer between the source region and the drain region, the channel region having a thickness that is less than a thickness of the source and drain regions; a gate located over the channel region; and a supporting material located over the source and drain regions adjacent to the gate.

    摘要翻译： 场效应晶体管（FET）包括绝缘体上半导体衬底，所述衬底包括顶部半导体层; 源极和漏极区域位于顶部半导体层中; 位于源极区域和漏极区域之间的顶部半导体层中的沟道区域，沟道区域的厚度小于源极和漏极区域的厚度; 位于通道区域上方的门; 以及位于与栅极相邻的源极和漏极区域之上的支撑材料。