公开(公告)号：US07390529B2

公开(公告)日：2008-06-24

申请号：US10854651

申请日：2004-05-26

申请人： Min Li ,  Cheng T. Horng ,  Cherng Chyi Han ,  Yu-Hsia Chen ,  Ru-Ying Tong

发明人： Min Li ,  Cheng T. Horng ,  Cherng Chyi Han ,  Yu-Hsia Chen ,  Ru-Ying Tong

IPC分类号： B05D5/12

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/3929 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/302 ,  Y10T29/49032 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49044

摘要： By using a free layer that includes a NiFe layer containing between 65 and 72 atomic percent iron, an improved CPP GMR device has been created. The resulting structure yields a higher CPP GMR ratio than prior art devices, while maintaining free layer softness and acceptable magnetostriction. A process for manufacturing the device is also described.

摘要翻译： 通过使用包含含有65至72原子％铁的NiFe层的自由层，已经创建了改进的CPP GMR器件。 所得到的结构产生比现有技术的装置更高的CPP GMR比，同时保持自由层柔软性和可接受的磁致伸缩。 还描述了用于制造该装置的方法。

公开(公告)号：US07978440B2

公开(公告)日：2011-07-12

申请号：US12008151

申请日：2008-01-09

申请人： Min Li ,  Cheng T. Horng ,  Cherng Chyi Han ,  Yue Liu ,  Yu-Hsia Chen ,  Ru-Ying Tong

发明人： Min Li ,  Cheng T. Horng ,  Cherng Chyi Han ,  Yue Liu ,  Yu-Hsia Chen ,  Ru-Ying Tong

IPC分类号： G11B5/127

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3932 ,  G11B2005/3996 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T428/115

摘要： Improved CPP GMR devices have been fabricated by replacing the conventional seed layer (typically Ta) with a bilayer of NiCr on Ta, said seed being deposited on the NiFe layer that constitutes a magnetic shield. Additional improvement was also obtained by replacing the conventional non-magnetic spacer layer of copper with a sandwich structure of two copper layers with an NOL (nano-oxide layer) between them. A process for manufacturing the devices is also described.

摘要翻译： 已经通过用Ta上的NiCr双层替代常规种子层（通常为Ta）来制造改进的CPP GMR器件，所述种子沉积在构成磁屏蔽的NiFe层上。 通过用它们之间的NOL（纳米氧化物层）的两层铜层的夹层结构代替铜的常规非磁性间隔层也获得了另外的改进。 还描述了用于制造器件的工艺。

公开(公告)号：US07331100B2

公开(公告)日：2008-02-19

申请号：US10886288

申请日：2004-07-07

申请人： Min Li ,  Cheng T. Horng ,  Cherng Chyi Han ,  Yue Liu ,  Yu-Hsia Chen ,  Ru-Ying Tong

发明人： Min Li ,  Cheng T. Horng ,  Cherng Chyi Han ,  Yue Liu ,  Yu-Hsia Chen ,  Ru-Ying Tong

IPC分类号： G11B5/187 ,  B05D5/12

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3932 ,  G11B2005/3996 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T428/115

摘要： An improved seed/AFM structure is formed by first depositing a layer of tantalum on the lower shield. A NiCr layer is then deposited on the Ta followed by a layer of IrMn. The latter functions effectively as an AFM for thicknesses in the 40-80 Angstrom range, enabling a reduced shield-to-shield spacing.

摘要翻译： 通过首先在下屏蔽层上沉积钽层来形成改进的种子/ AFM结构。 然后将NiCr层沉积在Ta上，随后沉积一层IrMn。 后者作为AFM在40-80埃范围内有效地起作用，从而能够减少屏蔽间隔。

公开(公告)号：US20050264954A1

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：US10854651

申请日：2004-05-26

申请人： Min Li ,  Cheng Horng ,  Cherng Chyi Han ,  Yu-Hsia Chen ,  Ru-Ying Tong

发明人： Min Li ,  Cheng Horng ,  Cherng Chyi Han ,  Yu-Hsia Chen ,  Ru-Ying Tong

IPC分类号： G11B5/39 ,  G11B5/127 ,  G11B5/33 ,  H01F10/32 ,  H01F41/30 ,  H01L43/08 ,  H04R31/00

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/3929 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/302 ,  Y10T29/49032 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49044

摘要： By using a free layer that includes a NiFe layer containing between 65 and 72 atomic percent iron, an improved CPP GMR device has been created. The resulting structure yields a higher CPP GMR ratio than prior art devices, while maintaining free layer softness and acceptable magnetostriction. A process for manufacturing the device is also described.

摘要翻译： 通过使用包含含有65至72原子％铁的NiFe层的自由层，已经创建了改进的CPP GMR器件。 所得到的结构产生比现有技术的装置更高的CPP GMR比，同时保持自由层柔软性和可接受的磁致伸缩。 还描述了用于制造该装置的方法。

公开(公告)号：US07152304B2

公开(公告)日：2006-12-26

申请号：US11036959

申请日：2005-01-14

申请人： Cheng T. Horng ,  Min Li ,  Ru-Ying Tong ,  Yun-Fei Li ,  You Fong Zheng ,  Simon Liao ,  Kochan Ju ,  Cherng Chyi Han

发明人： Cheng T. Horng ,  Min Li ,  Ru-Ying Tong ,  Yun-Fei Li ,  You Fong Zheng ,  Simon Liao ,  Kochan Ju ,  Cherng Chyi Han

IPC分类号： G11B5/127 ,  H04R31/00

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3143 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3932 ,  G11B2005/3996 ,  Y10T29/49032 ,  Y10T29/49034 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T29/49046 ,  Y10T29/49048 ,  Y10T29/49052

摘要： Patterned, longitudinally and transversely antiferromagnetically exchange biased GMR sensors are provided which have narrow effective trackwidths and reduced side reading. The exchange biasing significantly reduces signals produced by the portion of the ferromagnetic free layer that is underneath the conducting leads while still providing a strong pinning field to maintain sensor stability. In the case of the transversely biased sensor, the magnetization of the free and biasing layers in the same direction as the pinned layer simplifies the fabrication process and permits the formation of thinner leads by eliminating the necessity for current shunting.

摘要翻译： 提供了图案化，纵向和横向反铁磁交换偏置GMR传感器，其具有窄的有效轨迹宽度和减少的侧读数。 交换偏置显着降低了由导电引线下方的铁磁自由层部分产生的信号，同时仍然提供了一个很强的钉扎场，以保持传感器的稳定性。 在横向偏置传感器的情况下，自由和偏压层与被钉扎层的方向相同的磁化简化了制造工艺，并且通过消除了电流分流的必要性，可以形成较薄的引线。

公开(公告)号：US06857180B2

公开(公告)日：2005-02-22

申请号：US10104802

申请日：2002-03-22

申请人： Cheng T. Horng ,  Min Li ,  Ru-Ying Tong ,  Yun-Fei Li ,  You Feng Zheng ,  Simon Liao ,  Kochan Ju ,  Cherng Chyi Han

发明人： Cheng T. Horng ,  Min Li ,  Ru-Ying Tong ,  Yun-Fei Li ,  You Feng Zheng ,  Simon Liao ,  Kochan Ju ,  Cherng Chyi Han

IPC分类号： G01R33/09 ,  G11B5/31 ,  G11B5/39 ,  G11B5/127 ,  H04R31/00

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3143 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3932 ,  G11B2005/3996 ,  Y10T29/49032 ,  Y10T29/49034 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T29/49046 ,  Y10T29/49048 ,  Y10T29/49052

摘要： Patterned, longitudinally and transversely antiferromagnetically exchange biased GMR sensors are provided which have narrow effective trackwidths and reduced side reading. The exchange biasing significantly reduces signals produced by the portion of the ferromagnetic free layer that is underneath the conducting leads while still providing a strong pinning field to maintain sensor stability. In the case of the transversely biased sensor, the magnetization of the free and biasing layers in the same direction as the pinned layer simplifies the fabrication process and permits the formation of thinner leads by eliminating the necessity for current shunting.

摘要翻译： 提供了图案化，纵向和横向反铁磁交换偏置GMR传感器，其具有窄的有效轨迹宽度和减少的侧读数。 交换偏置显着降低了由导电引线下方的铁磁自由层部分产生的信号，同时仍然提供了一个很强的钉扎场，以保持传感器的稳定性。 在横向偏置传感器的情况下，自由和偏压层与被钉扎层的方向相同的磁化简化了制造工艺，并且通过消除了电流分流的必要性，可以形成较薄的引线。

公开(公告)号：US07400475B2

公开(公告)日：2008-07-15

申请号：US11036529

申请日：2005-01-14

申请人： Cheng T. Horng ,  Min Li ,  Ru-Ying Tong ,  Yun-Fei Li ,  You Fong Zheng ,  Simon Liao ,  Kochan Ju ,  Cherng Chyi Han

发明人： Cheng T. Horng ,  Min Li ,  Ru-Ying Tong ,  Yun-Fei Li ,  You Fong Zheng ,  Simon Liao ,  Kochan Ju ,  Cherng Chyi Han

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3143 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3932 ,  G11B2005/3996 ,  Y10T29/49032 ,  Y10T29/49034 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T29/49046 ,  Y10T29/49048 ,  Y10T29/49052

摘要： Patterned, longitudinally and transversely antiferromagnetically exchange biased GMR sensors are provided which have narrow effective trackwidths and reduced side reading. The exchange biasing significantly reduces signals produced by the portion of the ferromagnetic free layer that is underneath the conducting leads while still providing a strong pinning field to maintain sensor stability. In the case of the transversely biased sensor, the magnetization of the free and biasing layers in the same direction as the pinned layer simplifies the fabrication process and permits the formation of thinner leads by eliminating the necessity for current shunting.

摘要翻译： 提供了图案化，纵向和横向反铁磁交换偏置GMR传感器，其具有窄的有效轨迹宽度和减少的侧读数。 交换偏置显着降低了由导电引线下方的铁磁自由层部分产生的信号，同时仍然提供了一个很强的钉扎场，以保持传感器的稳定性。 在横向偏置传感器的情况下，自由和偏压层与被钉扎层的方向相同的磁化简化了制造工艺，并且通过消除了电流分流的必要性，可以形成较薄的引线。

公开(公告)号：US07134186B2

公开(公告)日：2006-11-14

申请号：US11036922

申请日：2005-01-14

申请人： Cheng T. Horng ,  Min Li ,  Ru-Ying Tong ,  Yun-Fei Li ,  You Fong Zheng ,  Simon Liao ,  Kochan Ju ,  Cherng Chyi Han

发明人： Cheng T. Horng ,  Min Li ,  Ru-Ying Tong ,  Yun-Fei Li ,  You Fong Zheng ,  Simon Liao ,  Kochan Ju ,  Cherng Chyi Han

IPC分类号： G11B5/127 ,  H04R31/00

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3143 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3932 ,  G11B2005/3996 ,  Y10T29/49032 ,  Y10T29/49034 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T29/49046 ,  Y10T29/49048 ,  Y10T29/49052

摘要： Patterned, longitudinally and transversely antiferromagnetically exchange biased GMR sensors are provided which have narrow effective trackwidths and reduced side reading. The exchange biasing significantly reduces signals produced by the portion of the ferromagnetic free layer that is underneath the conducting leads while still providing a strong pinning field to maintain sensor stability. In the case of the transversely biased sensor, the magnetization of the free and biasing layers in the same direction as the pinned layer simplifies the fabrication process and permits the formation of thinner leads by eliminating the necessity for current shunting.

摘要翻译： 提供了图案化，纵向和横向反铁磁交换偏置GMR传感器，其具有窄的有效轨迹宽度和减少的侧读数。 交换偏置显着降低了由导电引线下方的铁磁自由层部分产生的信号，同时仍然提供了一个很强的钉扎场，以保持传感器的稳定性。 在横向偏置传感器的情况下，自由和偏压层与被钉扎层的方向相同的磁化简化了制造工艺，并且通过消除了电流分流的必要性，可以形成较薄的引线。

公开(公告)号：US07288281B2

公开(公告)日：2007-10-30

申请号：US10933031

申请日：2004-09-02

申请人： Min Li ,  Kunliang Zhang ,  Cheng T. Horng ,  Chyu Jiuh Torng ,  Yu-Hsia Chen ,  Ru-Ying Tong

发明人： Min Li ,  Kunliang Zhang ,  Cheng T. Horng ,  Chyu Jiuh Torng ,  Yu-Hsia Chen ,  Ru-Ying Tong

IPC分类号： B05D5/12

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3929 ,  G11B2005/3996

摘要： Fe rich CoFe can be used in AP1 to enhance CPP GMR. However, this is found to degrade the electro-migration performance of the device. This problem has been solved by using an AP1 that is a laminate of several CoFe(25%) layers, separated from one another by copper layers. Ultra-thin layers of iron-rich CoFe are then inserted at all the copper-CoFe interfaces.

摘要翻译： FeFe CoFe可用于AP1，以提高CPP GMR。 然而，这被发现降低了器件的电迁移性能。 通过使用作为多层CoFe（25％）层的层叠体的AP1，通过铜层彼此分离，解决了该问题。 然后在所有铜 - 钴Fe界面上插入超薄的富铁CoFe层。

公开(公告)号：US07646568B2

公开(公告)日：2010-01-12

申请号：US11317598

申请日：2005-12-23

申请人： Kunliang Zhang ,  Hui-Chuan Wang ,  Tong Zhao ,  Yu-Hsia Chen ,  Min Li ,  Cherng-Chyi Han

发明人： Kunliang Zhang ,  Hui-Chuan Wang ,  Tong Zhao ,  Yu-Hsia Chen ,  Min Li ,  Cherng-Chyi Han

IPC分类号： G11B5/127

CPC分类号： G11B5/3906 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  Y10T29/49021

摘要： Improved magnetic devices have been fabricated by replacing the conventional seed layer (typically Ta) with a bilayer of Ru on Ta. Although both Ru and Ta layers are ultra thin (between 5 and 20 Angstroms), good exchange bias between the seed and the AFM layer (IrMn about 70 Angstroms thick) is retained. This arrangement facilitates minimum shield-to-shield spacing and gives excellent performance in CPP, CCP-CPP, or TMR configurations.

摘要翻译： 已经通过用Ta上的Ru的双层代替常规种子层（通常为Ta）来制造改进的磁性器件。 虽然Ru和Ta层都是超薄的（5到20埃之间），但保留种子和AFM层之间良好的交换偏差（约为70埃的IrMn）。 这种安排有助于最小的屏蔽间隔，并在CPP，CCP-CPP或TMR配置中提供出色的性能。