公开(公告)号：US07812526B2

公开(公告)日：2010-10-12

申请号：US11808564

申请日：2007-06-11

申请人： Mitch M. C. Chou ,  Jih-Jen Wu ,  Wen-Ching Hsu

发明人： Mitch M. C. Chou ,  Jih-Jen Wu ,  Wen-Ching Hsu

IPC分类号： H01L51/50 ,  H05B33/00 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04

CPC分类号： C30B29/20 ,  C30B29/16 ,  H01L33/0066 ,  H01S2301/173

摘要： A lithium aluminum oxide (LiAlO2) substrate suitable for a zinc oxide (ZnO) buffer layer is found. The ZnO buffer layer is grown on the LiAlO2 substrate. Because the LiAlO2 substrate has a similar structure to that of the ZnO buffer layer, a quantum confined stark effect (QCSE) is effectively eliminated. And a photoelectrical device made with the present invention, like a light emitting diode, a piezoelectric material or a laser diode, thus obtains an enhanced light emitting efficiency.

摘要翻译： 发现适用于氧化锌（ZnO）缓冲层的氧化铝锂（LiAlO 2）底物。 在LiAlO 2衬底上生长ZnO缓冲层。 由于LiAlO 2衬底具有与ZnO缓冲层相似的结构，因此有效地消除了量子限制Stark效应（QCSE）。 并且，通过本发明制造的光电器件，如发光二极管，压电材料或激光二极管，从而获得增强的发光效率。

公开(公告)号：US20080233415A1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：US11808564

申请日：2007-06-11

申请人： Mitch M. C. Chou ,  Jih-Jen Wu ,  Wen-Ching Hsu

发明人： Mitch M. C. Chou ,  Jih-Jen Wu ,  Wen-Ching Hsu

IPC分类号： B32B15/04

CPC分类号： C30B29/20 ,  C30B29/16 ,  H01L33/0066 ,  H01S2301/173

摘要： A lithium aluminum oxide (LiAlO2) substrate suitable for a zinc oxide (ZnO) buffer layer is found. The ZnO buffer layer is grown on the LiAlO2 substrate. Because the LiAlO2 substrate has a similar structure to that of the ZnO buffer layer, a quantum confined stark effect (QCSE) is effectively eliminated. And a photoelectrical device made with the present invention, like a light emitting diode, a piezoelectric material or a laser diode, thus obtains an enhanced light emitting efficiency.

摘要翻译： 发现适用于氧化锌（ZnO）缓冲层的氧化锂铝（LiAlO 2 N 2）衬底。 ZnO缓冲层在LiAlO 2衬底上生长。 由于LiAlO 2衬底具有与ZnO缓冲层类似的结构，因此有效地消除了量子限制的Stark效应（QCSE）。 并且，通过本发明制造的光电器件，如发光二极管，压电材料或激光二极管，从而获得增强的发光效率。

公开(公告)号：US20080233671A1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：US11808565

申请日：2007-06-11

申请人： Mitch M. C. Chou ,  Jih-Jen Wu ,  Wen-Ching Hsu

发明人： Mitch M. C. Chou ,  Jih-Jen Wu ,  Wen-Ching Hsu

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L33/0079

摘要： A light emitting diode (LED) is made. The LED had a LiAlO2 substrate and a GaN layer. Between them, there is a zinc oxide (ZnO) layer. Because GaN and ZnO have a similar. Wurtzite structure, GaN can easily grow on ZnO. By using the ZnO layer, the GaN layer is successfully grown as a single crystal thin film on the LiAlO2 substrate. Thus, GaN defect density is reduced and lattice match is obtained to have a good crystal interface quality and an enhanced light emitting efficiency of a device thus made.

摘要翻译： 制造发光二极管（LED）。 LED具有LiAlO 2 N 2衬底和GaN层。 在它们之间，存在氧化锌（ZnO）层。 因为GaN和ZnO有类似的。 纤锌矿结构，GaN可以容易地在ZnO上生长。 通过使用ZnO层，GaN层在LiAlO 2衬底上成功生长为单晶薄膜。 因此，GaN缺陷密度降低，并且获得晶格匹配以具有良好的晶体界面质量和提高的发光效率。

公开(公告)号：US20070289947A1

公开(公告)日：2007-12-20

申请号：US11454005

申请日：2006-06-16

申请人： Mitch M. C. Chou ,  Wen-Ching Hsu ,  Chi-Tse Lee ,  Sin-Jie Huang

发明人： Mitch M. C. Chou ,  Wen-Ching Hsu ,  Chi-Tse Lee ,  Sin-Jie Huang

IPC分类号： C03C15/00

CPC分类号： C09K3/1463 ,  B24B1/00

摘要： The present invention polishes a lithium aluminum oxide (LiAlo2) crystal several times with three different materials and then the LiAlo2 crystal are soaked into an acid solution to be washed for obtaining a LiAlo2 crystal of film-free, scratch-free with smooth surface.

摘要翻译： 本发明用三种不同的材料将锂铝氧化物（LiAl 2 O 3）晶体抛光数次，然后将LiAl 2 Cl 2晶体浸泡在酸洗液中以得到 无光泽的LiAlo 2＆lt; 2＆gt;晶体，无光滑，表面光滑。

公开(公告)号：US20100248461A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US11808931

申请日：2007-06-13

申请人： Mitch M. C. Chou ,  Wen-Ching Hsu

发明人： Mitch M. C. Chou ,  Wen-Ching Hsu

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0262

摘要： A thick gallium nitride (GaN) film is formed on a LiAlO2 substrate through two stages. First, GaN nanorods are formed on the LiAlO2 substrate through chemical vapor deposition (CVD). Then the thick GaN film is formed through hydride vapor phase epitaxy (HVPE) by using the GaN nanorods as nucleus sites. In this way, a quantum confined stark effect (QCSE) becomes small and a problem of spreading lithium element into gaps in GaN on using the LiAlO2 substrate is mended.

摘要翻译： 通过两个阶段在LiAlO 2衬底上形成厚的氮化镓（GaN）膜。 首先，通过化学气相沉积（CVD）在LiAlO 2衬底上形成GaN纳米棒。 然后通过使用GaN纳米棒作为核部位，通过氢化物气相外延（HVPE）形成厚的GaN膜。 以这种方式，量子限制效应（QCSE）变小，并且在使用LiAlO 2衬底时将锂元素扩散到GaN中的间隙中的问题被修补。

公开(公告)号：US07868535B2

公开(公告)日：2011-01-11

申请号：US11808770

申请日：2007-06-12

申请人： Mitch M. C. Chou ,  Wen-Ching Hsu ,  Cheng-Hung Wei

发明人： Mitch M. C. Chou ,  Wen-Ching Hsu ,  Cheng-Hung Wei

IPC分类号： H01J1/62 ,  H01J63/04 ,  C09K11/02 ,  C09K11/77

CPC分类号： H05B33/14 ,  C09K11/7721 ,  H01L33/502 ,  Y02B20/181

摘要： The present invention is a light emitting device which uses a specific phosphor powder. The phosphor powder is a combination of cerium (Ce) and lithium aluminum oxide (LiAlO2). They are mixed under a specific range of composition ratio. With the specific phosphor powder applied, the light emitting device has advantages in a low cost, a reduced power consumption, an easy production, a long life, and so on. In addition, a transformation efficiency of the phosphor powder is high and so a light emitting efficiency of the light emitting device is enhanced.

摘要翻译： 本发明是使用特定荧光体粉末的发光装置。 荧光体粉末是铈（Ce）和氧化铝锂（LiAlO 2）的组合。 它们在特定的组成比范围内混合。 通过使用特定的荧光体粉末，发光装置具有成本低廉，功耗降低，生产容易，寿命长等优点。 此外，荧光体粉末的转换效率高，因此发光器件的发光效率提高。

公开(公告)号：US07863164B2

公开(公告)日：2011-01-04

申请号：US11808931

申请日：2007-06-13

申请人： Mitch M. C. Chou ,  Wen-Ching Hsu

发明人： Mitch M. C. Chou ,  Wen-Ching Hsu

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0262

摘要： A thick gallium nitride (GaN) film is formed on a LiAlO2 substrate through two stages. First, GaN nanorods are formed on the LiAlO2 substrate through chemical vapor deposition (CVD). Then the thick GaN film is formed through hydride vapor phase epitaxy (HVPE) by using the GaN nanorods as nucleus sites. In this way, a quantum confined stark effect (QCSE) becomes small and a problem of spreading lithium element into gaps in GaN on using the LiAlO2 substrate is mended.

摘要翻译： 通过两个阶段在LiAlO 2衬底上形成厚的氮化镓（GaN）膜。 首先，通过化学气相沉积（CVD）在LiAlO 2衬底上形成GaN纳米棒。 然后通过使用GaN纳米棒作为核部位，通过氢化物气相外延（HVPE）形成厚的GaN膜。 以这种方式，量子限制效应（QCSE）变小，并且在使用LiAlO 2衬底时将锂元素扩散到GaN中的间隙中的问题被修补。

公开(公告)号：US20080231172A1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：US11808770

申请日：2007-06-12

申请人： Mitch M. C. Chou ,  Wen-Ching Hsu ,  Cheng-Hung Wei

发明人： Mitch M. C. Chou ,  Wen-Ching Hsu ,  Cheng-Hung Wei

IPC分类号： H01J1/62

CPC分类号： H05B33/14 ,  C09K11/7721 ,  H01L33/502 ,  Y02B20/181

摘要： The present invention is a light emitting device which uses a specific phosphor powder. The phosphor powder is a combination of cerium (Ce) and lithium aluminum oxide (LiAlO2). They are mixed under a specific range of composition ratio. With the specific phosphor powder applied, the light emitting device has advantages in a low cost, a reduced power consumption, an easy production, a long life, and so on. In addition, a transformation efficiency of the phosphor powder is high and so a light emitting efficiency of the light emitting device is enhanced.

摘要翻译： 本发明是使用特定荧光体粉末的发光装置。 荧光体粉末是铈（Ce）和氧化铝锂（LiAlO 2/2）的组合。 它们在特定的组成比范围内混合。 通过使用特定的荧光体粉末，发光装置具有成本低廉，功耗降低，生产容易，寿命长等优点。 此外，荧光体粉末的转换效率高，因此发光器件的发光效率提高。

公开(公告)号：US07576372B2

公开(公告)日：2009-08-18

申请号：US11627712

申请日：2007-01-26

申请人： Herbert Paul Maruska ,  John Joseph Gallagher ,  Mitch M. C. Chou ,  David W. Hill

发明人： Herbert Paul Maruska ,  John Joseph Gallagher ,  Mitch M. C. Chou ,  David W. Hill

IPC分类号： H01L31/072 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： A method for making a free-standing, single crystal, aluminum gallium nitride (AlGaN) wafer includes forming a single crystal AlGaN layer directly on a single crystal LiAlO2 substrate using an aluminum halide reactant gas, a gallium halide reactant gas, and removing the single crystal LiAlO2 substrate from the single crystal AlGaN layer to make the free-standing, single crystal AlGaN wafer. Forming the single crystal AlGaN layer may comprise depositing AlGaN by vapor phase epitaxy (VPE) using aluminum and gallium halide reactant gases and a nitrogen-containing reactant gas. The growth of the AlGaN layer using VPE provides commercially acceptable rapid growth rates. In addition, the AlGaN layer can be devoid of carbon throughout. Because the AlGaN layer produced is high quality single crystal, it may have a defect density of less than about 107cm−2.

摘要翻译： 制造独立的单晶，氮化镓铝（AlGaN）晶片的方法包括使用卤化铝反应物气体，卤化镓反应物气体直接在单晶LiAlO 2衬底上形成单晶AlGaN层，并除去单晶 晶体LiAlO2基板由单晶AlGaN层制成独立的单晶AlGaN晶片。 形成单晶AlGaN层可以包括使用铝和卤化镓反应物气体和含氮反应气体通过气相外延（VPE）沉积AlGaN。 使用VPE的AlGaN层的生长提供商业上可接受的快速生长速率。 此外，AlGaN层整体上不含碳。 由于所生产的AlGaN层是高质量的单晶，所以它的缺陷密度可能小于约107cm-2。

公开(公告)号：US07169227B2

公开(公告)日：2007-01-30

申请号：US10396986

申请日：2003-03-25

申请人： Herbert Paul Maruska ,  John Joseph Gallagher ,  Mitch M. C. Chou ,  David W. Hill

发明人： Herbert Paul Maruska ,  John Joseph Gallagher ,  Mitch M. C. Chou ,  David W. Hill

IPC分类号： C30B25/12 ,  C30B25/14

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： A method for making a free-standing, single crystal, aluminum gallium nitride (AlGaN) wafer includes forming a single crystal AlGaN layer directly on a single crystal LiAlO2 substrate using an aluminum halide reactant gas, a gallium halide reactant gas, and removing the single crystal LiAlO2 substrate from the single crystal AlGaN layer to make the free-standing, single crystal AlGaN wafer. Forming the single crystal AlGaN layer may comprise depositing AlGaN by vapor phase epitaxy (VPE) using aluminum and gallium halide reactant gases and a nitrogen-containing reactant gas. The growth of the AlGaN layer using VPE provides commercially acceptable rapid growth rates. In addition, the AlGaN layer can be devoid of carbon throughout. Because the AlGaN layer produced is high quality single crystal, it may have a defect density of less than about 107 cm−2.

摘要翻译： 制造独立的单晶，氮化镓铝（AlGaN）晶片的方法包括：使用卤化铝反应物气体，镓（AlGaN）形成直接在单晶LiAl 2 O 3衬底上的单晶AlGaN层 卤化物反应物气体，并从单晶AlGaN层除去单晶LiAlO 2衬底以制造独立的单晶AlGaN晶片。 形成单晶AlGaN层可以包括使用铝和卤化镓反应物气体和含氮反应气体通过气相外延（VPE）沉积AlGaN。 使用VPE的AlGaN层的生长提供商业上可接受的快速生长速率。 此外，AlGaN层整体上不含碳。 因为所生产的AlGaN层是高质量的单晶，所以它的缺陷密度可能小于约10 -7 cm -2。