公开(公告)号：US20100209595A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：US12708704

申请日：2010-02-19

申请人： Oh-Seong Kwon ,  Kyu-Ho Cho ,  Jung-Hee Chung ,  Jin-Yong Kim ,  Wan-Don Kim ,  Youn-Soo Kim ,  Yong-Suk Tak

发明人： Oh-Seong Kwon ,  Kyu-Ho Cho ,  Jung-Hee Chung ,  Jin-Yong Kim ,  Wan-Don Kim ,  Youn-Soo Kim ,  Yong-Suk Tak

IPC分类号： B05D5/12 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  H01G4/008 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/33 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/91

摘要： In a method of forming a strontium ruthenate thin film using water vapor as an oxidizing agent, a strontium source and a ruthenium source are used. The strontium source includes a cyclopentadienyl (Cp) ligand, an alkoxide ligand, an alkyl ligand, an amide ligand or a halide ligand, and the ruthenium source includes a beta diketonate ligand.

摘要翻译： 在使用水蒸汽作为氧化剂形成钌酸锶薄膜的方法中，使用锶源和钌源。 锶源包括环戊二烯基（Cp）配体，醇盐配体，烷基配体，酰胺配体或卤化物配体，钌源包括β-二酮配体。

公开(公告)号：US20110102968A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12838296

申请日：2010-07-16

申请人： Jae-Hyoung CHOI ,  Youn-Soo Kim ,  Jung-Hyeon Kim ,  Wan-Don Kim ,  Jae-Soon Lim ,  Sang-Yeol Kang

发明人： Jae-Hyoung CHOI ,  Youn-Soo Kim ,  Jung-Hyeon Kim ,  Wan-Don Kim ,  Jae-Soon Lim ,  Sang-Yeol Kang

IPC分类号： H01G4/008 ,  B32B9/04 ,  B05D5/12 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L23/53261 ,  H01L28/56 ,  H01L28/91 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/518 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In a multilayer structure and a method of forming the same, a conductive layer including a metal nitride and a dielectric layer positioned on a surface of the conductive layer and having a high dielectric constant. The metal nitride comprises one of niobium, vanadium and compositions thereof. Thus, the EOT and leakage current of the multilayer structure may be sufficiently improved.

摘要翻译： 在多层结构及其形成方法中，包括位于导电层表面上并具有高介电常数的金属氮化物和电介质层的导电层。 金属氮化物包括铌，钒及其组合物中的一种。 因此，可以充分提高多层结构的EOT和漏电流。

公开(公告)号：US20100047988A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：US12542813

申请日：2009-08-18

申请人： Youn-Joung Cho ,  Youn-Soo Kim ,  Kyu-Ho Cho ,  Jung-Ho Lee ,  Jae-Hyoung Choi ,  Seung-Min Ryu

发明人： Youn-Joung Cho ,  Youn-Soo Kim ,  Kyu-Ho Cho ,  Jung-Ho Lee ,  Jae-Hyoung Choi ,  Seung-Min Ryu

IPC分类号： H01L21/02 ,  C07F7/00 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/10852 ,  C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L28/60

摘要： In a method of forming a layer, a precursor including a metal and a ligand coordinating to the metal is stabilized by contacting the precursor with an electron donating compound to provide a stabilized precursor into a substrate. A reactant is introduced into the substrate to bind to the metal in the stabilized precursor. The precursor stabilized by the electron donating compound has an improved thermal stability and thus the precursor is not dissociated at a high temperature atmosphere, and the layer having a uniform thickness is formed on the substrate.

摘要翻译： 在形成层的方法中，通过使前体与给电子化合物接触来稳定包含与金属配位的配体的前体，从而将稳定的前体提供到基底中。 将反应物引入底物中以与稳定的前体中的金属结合。 由给电子化合物稳定的前体具有改善的热稳定性，因此前体在高温气氛下不解离，并且在基板上形成具有均匀厚度的层。

公开(公告)号：US20110045183A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：US12704755

申请日：2010-02-12

申请人： Youn-Joung Cho ,  Youn-Soo Kim ,  Kyu-Ho Cho ,  Jung-Ho Lee ,  Jae-Hyoung Choi ,  Seung-Min Ryu

发明人： Youn-Joung Cho ,  Youn-Soo Kim ,  Kyu-Ho Cho ,  Jung-Ho Lee ,  Jae-Hyoung Choi ,  Seung-Min Ryu

IPC分类号： C23C16/06 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40 ,  H01L28/91

摘要： In a method of forming a layer, a precursor including a metal and a ligand chelating to the metal is stabilized by contacting the precursor with an electron donating compound to provide a stabilized precursor onto a substrate. A reactant is introduced onto the substrate to bind to the metal in the stabilized precursor. The precursor stabilized by the electron donating compound has an improved thermal stability and thus the precursor is not dissociated at a high temperature atmosphere, and the layer having a uniform thickness is formed on the substrate.

摘要翻译： 在形成层的方法中，通过使前体与给电子化合物接触来使包含金属和与金属螯合的配体的前体稳定化，以将稳定的前体提供到基底上。 将反应物引入到底物上以与稳定的前体中的金属结合。 通过给电子化合物稳定的前体具有改善的热稳定性，因此前体在高温气氛下不解离，并且在基板上形成具有均匀厚度的层。

公开(公告)号：US08563085B2

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：US13035659

申请日：2011-02-25

申请人： Youn-Joung Cho ,  Youn-Soo Kim ,  Kyu-Ho Cho ,  Jung-Ho Lee ,  Jae-Hyoung Choi ,  Seung-Min Ryu

发明人： Youn-Joung Cho ,  Youn-Soo Kim ,  Kyu-Ho Cho ,  Jung-Ho Lee ,  Jae-Hyoung Choi ,  Seung-Min Ryu

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40 ,  H01L28/91

摘要： In a method of forming a layer, a precursor composition including a metal and a ligand chelating to the metal is stabilized by contacting the precursor composition with an electron donating compound to provide a stabilized precursor composition onto a substrate. A reactant is introduced onto the substrate to bind to the metal in the stabilized precursor composition. The stabilized precursor composition is provided onto the substrate by introducing the precursor composition onto the substrate after the electron donating compound is introduced onto the substrate. The electron donating compound is continuously introduced onto the substrate during and after the precursor composition is introduced.

摘要翻译： 在形成层的方法中，通过使前体组合物与给电子化合物接触以将稳定的前体组合物接触到基底上来稳定包含金属和螯合金属的配体的前体组合物。 将反应物引入到底物上以与稳定化的前体组合物中的金属结合。 在将供电子化合物引入到基板上之后，将前体组合物引入到基板上，将稳定化的前体组合物提供到基板上。 引入前体组合物之前和之后，将电子给体化合物连续引入到基质上。

公开(公告)号：US08685494B2

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：US13242037

申请日：2011-09-23

申请人： Jae-Soon Lim ,  Jae-Hyoung Choi ,  Youn-Soo Kim ,  Min-Young Park ,  Sang-Yeol Kang

发明人： Jae-Soon Lim ,  Jae-Hyoung Choi ,  Youn-Soo Kim ,  Min-Young Park ,  Sang-Yeol Kang

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/45525

摘要： A method of forming a metal thin film can reduce leakage current while improving electric properties by improving step coverage of a device. The method of forming a metal thin film includes supplying a metal precursor including chlorine, purging byproducts produced after the supplying of the metal precursor by injecting a purge gas, supplying a reactant to allow the reactant and the metal precursor to react with each other to form a thin film layer, and purging the byproducts produced after the reaction by injecting a purge gas, wherein before the supplying of the metal precursor, the method further includes supplying a reactant to be adsorbed on a treated product.

摘要翻译： 形成金属薄膜的方法可以通过提高器件的台阶覆盖率来改善电性能来减少漏电流。 形成金属薄膜的方法包括：供给包含氯的金属前体，通过注入吹扫气体，在供给金属前体之后产生的副产物，供应反应物以允许反应物和金属前体彼此反应形成 薄膜层，并且通过注入吹扫气体来净化反应后产生的副产物，其中在供给金属前体之前，所述方法还包括供给被处理产物上被吸附的反应物。

公开(公告)号：US06763713B2

公开(公告)日：2004-07-20

申请号：US10331886

申请日：2002-12-30

申请人： Youn-Soo Kim ,  Je-Young Seo

发明人： Youn-Soo Kim ,  Je-Young Seo

IPC分类号： G01F2300

CPC分类号： G01F25/0061 ,  F02D33/003 ,  F02D41/045 ,  F02D41/222 ,  F02D2200/0404 ,  F02D2200/602 ,  F02M37/0082

摘要： The present invention provides a fuel level sensor malfunction detecting method and system for a vehicle. In the method and system the rate of change in the opening of the throttle valve and the detection of a transmission kick-down are conditions for determining the malfunction of the fuel level sensor, thereby making it possible to detect a malfunctioning fuel level sensor more accurately.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于车辆的燃料液位传感器故障检测方法和系统。 在该方法和系统中，节流阀的开度变化率和变速器启动的检测是用于确定燃料液位传感器的故障的条件，从而可以更准确地检测故障燃料液位传感器 。

公开(公告)号：US20130244445A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13775595

申请日：2013-02-25

申请人： Min-Young Park ,  Youn-Soo Kim ,  Sang-Yeol Kang ,  Cha-Young Yoo ,  Jae-Soon Lim ,  Jae-Hyoung Choi

发明人： Min-Young Park ,  Youn-Soo Kim ,  Sang-Yeol Kang ,  Cha-Young Yoo ,  Jae-Soon Lim ,  Jae-Hyoung Choi

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C16/045 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/28282 ,  H01L28/40

摘要： Methods of fabricating a semiconductor device include forming a deposited film on a semiconductor substrate in a process chamber by repeatedly forming unit layers on the semiconductor substrate. The unit layer is formed by forming a preliminary unit layer on the semiconductor substrate by supplying a process material including a precursor material and film-control material into the process chamber, purging the process chamber, forming a unit layer from the preliminary unit layer, and again purging the process chamber. The precursor material includes a central atom and a ligand bonded to the central atom, and the film-control material includes a hydride of the ligand.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括通过在半导体衬底上重复形成单位层，在处理室中的半导体衬底上形成沉积膜。 单元层通过在半导体基板上形成预备单元层而形成，该方法是将包括前体材料和薄膜控制材料的处理材料供应到处理室中，从处理室中清除处理室，从预备单元层形成单位层，以及 再次清洗处理室。 前体材料包括中心原子和与中心原子键合的配体，膜控制材料包括配体的氢化物。

公开(公告)号：US08122639B2

公开(公告)日：2012-02-28

申请号：US12664876

申请日：2008-06-13

申请人： Youn-Soo Kim

发明人： Youn-Soo Kim

IPC分类号： A01G13/02

CPC分类号： A01G13/0268

摘要： A method for manufacturing a functional mulching film for rice direct seeding, and a mulching film manufactured by the same method. The mulching film is installed in a paddy field and formed to suppress weed growth and contains a fertilizer for enhancing rice growth and a powder ore for reinforcing the fertility of the soil.

摘要翻译： 一种水稻直播用功能性覆盖膜的制造方法以及通过相同的方法制造的覆盖膜。 覆盖膜安装在水田中，形成以抑制杂草生长，并含有用于增强水稻生长的肥料和用于增强土壤肥力的粉矿。

公开(公告)号：US20110151639A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US12855191

申请日：2010-08-12

申请人： Jae-Soon Lim ,  Youn-Soo Kim ,  Jae-Hyoung Choi ,  Sang-Yeol Kang ,  Suk-Jin Chung

发明人： Jae-Soon Lim ,  Youn-Soo Kim ,  Jae-Hyoung Choi ,  Sang-Yeol Kang ,  Suk-Jin Chung

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L28/40 ,  C01G23/047 ,  C01G25/02 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/40

摘要： Provided are a semiconductor device, a method of fabricating the same, and a semiconductor module, an electronic circuit board, and an electronic system including the device. The semiconductor device includes a lower electrode, a rutile state lower vanadium dioxide layer on the lower electrode, a rutile state titanium oxide on the lower vanadium dioxide layer, and an upper electrode on the titanium oxide layer.

摘要翻译： 提供一种半导体器件及其制造方法，以及半导体模块，电子电路板和包括该器件的电子系统。 半导体器件包括下电极，下电极上的金红石状态较低二氧化钒层，下二氧化钒层上的金红石型氧化钛，以及氧化钛层上的上电极。