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    METHOD FOR PROVIDING OXIDE LAYERS
    4.
    发明申请
    METHOD FOR PROVIDING OXIDE LAYERS 有权
    提供氧化层的方法

    公开(公告)号：US20110086507A1

    公开(公告)日：2011-04-14

    申请号：US12906766

    申请日：2010-10-18

    申请人： Philippe Soussan ,  Eric Beyne ,  Philippe Muller

    发明人： Philippe Soussan ,  Eric Beyne ,  Philippe Muller

    IPC分类号： H01L21/768

    CPC分类号： H01L21/3167 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31675

    摘要： A method for providing an oxide layer on a semiconductor substrate is disclosed. In one aspect, the method includes obtaining a semiconductor substrate. The substrate may have a three-dimensional structure, which may comprise at least one hole. The method may also include forming an oxide layer on the substrate, for example, on the three-dimensional structure, by anodizing the substrate in an acidic electrolyte solution.

    摘要翻译： 公开了一种在半导体衬底上提供氧化物层的方法。 一方面，该方法包括获得半导体衬底。 衬底可以具有三维结构，其可以包括至少一个孔。 该方法还可以包括在基板上形成氧化物层，例如在三维结构上，通过在酸性电解质溶液中阳极氧化基板。

    Method for providing oxide layers
    5.
    发明授权
    Method for providing oxide layers 有权
    提供氧化物层的方法

    公开(公告)号：US08822330B2

    公开(公告)日：2014-09-02

    申请号：US12906766

    申请日：2010-10-18

    申请人： Philippe Soussan ,  Eric Beyne ,  Philippe Muller

    发明人： Philippe Soussan ,  Eric Beyne ,  Philippe Muller

    IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316

    CPC分类号： H01L21/3167 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31675

    摘要： A method for providing an oxide layer on a semiconductor substrate is disclosed. In one aspect, the method includes obtaining a semiconductor substrate. The substrate may have a three-dimensional structure, which may comprise at least one hole. The method may also include forming an oxide layer on the substrate, for example, on the three-dimensional structure, by anodizing the substrate in an acidic electrolyte solution.

    摘要翻译： 公开了一种在半导体衬底上提供氧化物层的方法。 一方面，该方法包括获得半导体衬底。 衬底可以具有三维结构，其可以包括至少一个孔。 该方法还可以包括在基板上形成氧化物层，例如在三维结构上，通过在酸性电解质溶液中阳极氧化基板。

    METHOD FOR FORMING 3D-INTERCONNECT STRUCTURES WITH AIRGAPS
    8.
    发明申请
    METHOD FOR FORMING 3D-INTERCONNECT STRUCTURES WITH AIRGAPS 有权
    用于形成3D互连结构的方法

    公开(公告)号：US20120013022A1

    公开(公告)日：2012-01-19

    申请号：US13183315

    申请日：2011-07-14

    申请人： Deniz Sabuncuoglu Tezcan ,  Yann Civale ,  Eric Beyne

    发明人： Deniz Sabuncuoglu Tezcan ,  Yann Civale ,  Eric Beyne

    IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/28

    CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

    摘要： Ultra-low capacitance interconnect structures, preferably Through Silicon Via (TSV) interconnects and methods for fabricating said interconnects are disclosed. The fabrication method comprises the steps of providing a substrate having a first main surface, producing at least one hollow trench-like structure therein from the first main surface, said trench-like structure surrounding an inner pillar structure of substrate material, depositing a dielectric liner which pinches off said hollow trench-like structure at the first main surface such that an airgap is created in the center of hollow trench-like structure and further creating a TSV hole and filling it at least partly with conductive material.

    摘要翻译： 公开了超低电容互连结构，优选地通过硅通孔（TSV）互连和用于制造所述互连的方法。 该制造方法包括以下步骤：提供具有第一主表面的基底，从第一主表面至少产生一个中空的沟槽状结构，所述沟槽状结构围绕基底材料的内柱结构，沉积介电衬垫 其在第一主表面处夹紧所述中空沟槽状结构，使得在中空沟槽状结构的中心产生气隙，并进一步产生TSV孔并至少部分地用导电材料填充TSV孔。