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    Opaque chrome coating having increased resistance to pinhole formation
    2.
    发明授权
    Opaque chrome coating having increased resistance to pinhole formation 失效
    不透明铬涂层具有增加的针孔形成阻力

    公开(公告)号：US07160628B2

    公开(公告)日：2007-01-09

    申请号：US10971618

    申请日：2004-10-21

    申请人： Robert Bellman ,  Ljerka Ukrainczyk

    发明人： Robert Bellman ,  Ljerka Ukrainczyk

    IPC分类号： C03C27/02 ,  G03C5/00

    CPC分类号： C23C28/322 ,  C23C28/3455 ,  Y10T428/12611 ,  Y10T428/12632 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/24926

    摘要： A substrate with a patterned opaque coating formable into an opaque aperture in one process is provided. The opaque coating includes at least a bottom layer and a top layer. The bottom and top layers each include a material selected from the group consisting of chrome and chrome oxide. The top layer has a compressive stress, which makes the opaque coating more resistant to pinhole formation during downstream processing.

    摘要翻译： 提供了在一个工艺中具有可形成为不透明孔的图案化不透明涂层的基底。 不透明涂层至少包括底层和顶层。 底层和顶层各自包括选自铬和氧化铬的材料。 顶层具有压缩应力，这使得不透明涂层在下游加工期间更能抵抗针孔形成。

    Opaque chrome coating suitable for etching
    5.
    发明授权
    Opaque chrome coating suitable for etching 有权
    不透明铬涂层适用于蚀刻

    公开(公告)号：US07459095B2

    公开(公告)日：2008-12-02

    申请号：US10971611

    申请日：2004-10-21

    申请人： Robert Bellman ,  Ljerka Ukrainczyk

    发明人： Robert Bellman ,  Ljerka Ukrainczyk

    IPC分类号： B32B3/10

    CPC分类号： C03C17/36 ,  C03C17/3615 ,  C03C17/3657 ,  C03C2218/33 ,  C23C14/048 ,  C23C14/083 ,  C23C14/14 ,  C23C14/22 ,  C23C28/322 ,  C23C28/3455 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24331 ,  Y10T428/24917

    摘要： A substrate includes an opaque chrome coating on a surface of the substrate dry-etched to form an aperture, wherein chrome in the aperture is below detectable limit. A method of forming an opaque chrome coating having at least two layers on a substrate includes depositing an initial chrome layer having a thickness of less than 10 nm on the substrate without ion-assist or with undetectable ion-assist, and then depositing the remainder of the at least two layers, with or without ion-assist, to form an opaque chrome coating.

    摘要翻译： 衬底包括在衬底的表面上的不透明的铬涂层，其被干蚀刻以形成孔，其中孔中的铬低于可检测的极限。 在衬底上形成具有至少两层的不透明铬涂层的方法包括在衬底上沉积厚度小于10nm的初始铬层，而不需要离子辅助或不可检测的离子辅助，然后沉积其余的 所述至少两层，具有或不具有离子辅助，以形成不透明的铬涂层。

    Phase-shift mask and fabrication thereof
    7.
    发明申请
    Phase-shift mask and fabrication thereof 审中-公开
    相移掩模及其制造

    公开(公告)号：US20050112476A1

    公开(公告)日：2005-05-26

    申请号：US10950051

    申请日：2004-09-24

    申请人： Robert Bellman ,  Ljerka Ukrainczyk

    发明人： Robert Bellman ,  Ljerka Ukrainczyk

    IPC分类号： G03C5/00 ,  G03F1/00 ,  G03F1/08 ,  G03F9/00

    CPC分类号： G03F1/26 ,  G03F1/30 ,  G03F1/32 ,  G03F1/34

    摘要： Disclosed are phase-shift photomask and method for its fabrication. The phase-shift features of the photomask are formed by using electron-curing sol-gel coatings. Ultra-fine phase-shift features can be created according to the method. The process disclosed is simpler than conventional method for producing phase-shift photomasks.

    摘要翻译： 公开了相移光掩模及其制造方法。 通过使用电子固化溶胶 - 凝胶涂层形成光掩模的相移特征。 可以根据该方法创建超细相移特征。 所公开的方法比用于制备相移光掩模的常规方法简单。

    Process for making hard pellicles
    9.
    发明申请
    Process for making hard pellicles 审中-公开
    制造硬胶囊的方法

    公开(公告)号：US20050042524A1

    公开(公告)日：2005-02-24

    申请号：US10646409

    申请日：2003-08-22

    申请人： Robert Bellman

    发明人： Robert Bellman

    IPC分类号： C23C26/00 ,  C23C28/00 ,  G03F1/14 ,  A47G1/12 ,  B44F1/00 ,  C23C4/04 ,  G03F9/00 ,  G03G16/00

    CPC分类号： G03F1/62 ,  C23C26/00 ,  Y10T156/11

    摘要： Disclosed is a process for making thin hard pellicle for photomasks used in projection photolithography. The process can be used for making thin hard pellicles comprising a pellicle layer having a thickness in the range of about 5 to 120 μm and a mount frame attached to the peripheral area of a surface of the pellicle layer. The pellicle layer can consist essentially of a material selected from silica, fluorine doped silica, aluminum doped silica, methylated silica, fluorinated and methylated silica, fluorinated aluminum doped silica, CaF2, MgF2, BaF2 and SiC. The mount frame is preferred to have substantially the same CTE of the pellicle layer to minimize stress caused by temperature change. The mount frame is preferred to be porous to the purging gas. The process for making the hard pellicle involves deposition of an intermediate layer comprising a hydrogenated amorphous silicon layer on a flat substrate, deposition of the pellicle layer on the intermediate layer, mounting the frame to the pellicle layer and the separation of the pellicle from the substrate by heat treatment.

    摘要翻译： 公开了用于投影光刻中使用的用于光掩模的薄硬膜的方法。 该方法可用于制备包括厚度在约5至120μm范围内的防护薄膜的薄硬质薄膜和附着到防护薄膜组件表面的周边区域的安装框架。 防护薄膜层可以基本上由选自二氧化硅，掺氟二氧化硅，掺铝二氧化硅，甲基化二氧化硅，氟化和甲基化二氧化硅，氟化铝掺杂二氧化硅，CaF 2，MgF 2，BaF 2和SiC的材料组成。 安装框架优选具有防护薄膜层的基本相同的CTE，以使由温度变化引起的应力最小化。 安装框架优选为清洗气体是多孔的。 制造硬防护薄膜的方法包括在平坦基板上沉积包括氢化非晶硅层的中间层，将防护薄膜层沉积在中间层上，将框架安装到防护薄膜组件上并将防护薄膜组件与基材分离 通过热处理。

    Dehydroxylation and purification of calcium fluoride materials using a halogen containing plasma
    10.
    发明申请
    Dehydroxylation and purification of calcium fluoride materials using a halogen containing plasma 失效
    使用含卤素等离子体对氟化钙材料进行脱羟基化和纯化

    公开(公告)号：US20050263064A1

    公开(公告)日：2005-12-01

    申请号：US10856633

    申请日：2004-05-28

    申请人： Robert Bellman ,  Dana Bookbinder ,  Kishor Gadkaree ,  Cynthia Giroux

    发明人： Robert Bellman ,  Dana Bookbinder ,  Kishor Gadkaree ,  Cynthia Giroux

    IPC分类号： C01B9/08 ,  C01F11/22 ,  C30B1/00 ,  C30B9/00 ,  C30B11/00 ,  C30B17/00 ,  C30B28/06 ,  C30B29/12

    CPC分类号： C01B9/08 ,  C01F11/22 ,  C30B11/00 ,  C30B29/12

    摘要： The invention is directed to a process of purifying metal fluoride materials used to make metal fluoride single crystals suitable for making optical elements used in the transmission of wavelengths below 200 nm, and in particular to a process of purifying such materials by the use of a halogen containing plasma to convert metal oxygenates contaminating the feedstocks used in the preparation of the crystals to metal fluorides. The invention also is directed to a process of growing a metal fluoride single crystal using a crystal growth furnace to carry out the foregoing purification procedure followed by the steps of melting the purified material and cooling it using s selected time and temperature cycle to from a metal fluoride single crystal. The plasmas used in practicing the invention can be derived from a variety of halogenated materials including, for example, fluorocarbons, chlorocarbons, boron trihalides, chlorine, fluorine, xenon difluoride and other gaseous or easily volatilized halogenated substances known in the art.

    摘要翻译： 本发明涉及一种净化金属氟化物材料的方法，所述金属氟化物材料用于制备适于制造用于波长低于200nm的透射体的光学元件的金属氟化物单晶，并且特别涉及一种通过使用卤素 将等离子体转化成金属氧化物，将用于制备晶体的原料污染成金属氟化物。 本发明还涉及使用晶体生长炉生长金属氟化物单晶的方法，以执行上述纯化程序，然后是将精制材料熔化并使用选定的时间和温度循环冷却至金属 氟化物单晶。 用于实施本发明的等离子体可以衍生自各种卤化物质，包括例如碳氟化合物，氯代烃，三卤化硼，氯，氟，氙二氟化物以及本领域已知的其它气态或易挥发的卤化物质。