公开(公告)号：US08470516B2

公开(公告)日：2013-06-25

申请号：US12542821

申请日：2009-08-18

申请人： Robert D. Allen ,  Luisa Bozano ,  Phillip Brock ,  Qinghuang Lin ,  Alshakim Nelson ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Robert D. Allen ,  Luisa Bozano ,  Phillip Brock ,  Qinghuang Lin ,  Alshakim Nelson ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/26

CPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/2059 ,  G03F7/40

摘要： A method of generating a relief pattern comprises disposing a resist composition on a substrate to form a film, the resist composition comprising a first silsesquioxane polymer of the formula (1): a second silsesquioxane polymer of the formula (2): and a photosensitive acid generator; patternwise exposing the film by e-beam lithography; heating the exposed film to effect crosslinking of the first polymer and second polymer in the exposed area; and developing the exposed film to form a negative relief pattern.

摘要翻译： 产生浮雕图案的方法包括将抗蚀剂组合物设置在基底上以形成膜，抗蚀剂组合物包含式（1）的第一倍半硅氧烷聚合物：式（2）的第二倍半硅氧烷聚合物：和光敏酸 发电机; 通过电子束光刻对图案进行图案曝光; 加热暴露的膜以在暴露的区域中实现第一聚合物和第二聚合物的交联; 并将曝光的胶片显影形成负浮雕图案。

公开(公告)号：US20110045387A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：US12542821

申请日：2009-08-18

申请人： Robert D. Allen ,  Luisa Bozano ,  Phillip Brock ,  Qinghuang Lin ,  Alshakim Nelson ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Robert D. Allen ,  Luisa Bozano ,  Phillip Brock ,  Qinghuang Lin ,  Alshakim Nelson ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/2059 ,  G03F7/40

摘要： A method of generating a relief pattern comprises disposing a resist composition on a substrate to form a film, the resist composition comprising a first silsesquioxane polymer of the formula (1): a second silsesquioxane polymer of the formula (2): and a photosensitive acid generator; patternwise exposing the film by e-beam lithography; heating the exposed film to effect crosslinking of the first polymer and second polymer in the exposed area; and developing the exposed film to form a negative relief pattern.

摘要翻译： 产生浮雕图案的方法包括将抗蚀剂组合物设置在基底上以形成膜，抗蚀剂组合物包含式（1）的第一倍半硅氧烷聚合物：式（2）的第二倍半硅氧烷聚合物：和光敏酸 发电机; 通过电子束光刻对图案进行图案曝光; 加热暴露的膜以在暴露的区域中实现第一聚合物和第二聚合物的交联; 并将曝光的胶片显影形成负浮雕图案。

公开(公告)号：US20080286467A1

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：US11750356

申请日：2007-05-18

申请人： Robert D. Allen ,  Phillip Brock ,  Blake W. Davis ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Alshakim Nelson ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Robert D. Allen ,  Phillip Brock ,  Blake W. Davis ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Alshakim Nelson ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： B05D1/32 ,  C04B41/50

CPC分类号： H01L21/3122 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/121 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126

摘要： A method. The method includes dip coating a film of a composition on a silicon wafer substrate. The composition includes a polymer blend of a first polymer and a second polymer. The first polymer is a substituted silsesquioxane copolymer. The second polymer is a polysilsesquioxane having silanol end groups. The composition includes a photosensitive acid generator, an organic base, and an organic crosslinking agent. The film is patternwise imaged and at least one region is exposed to radiation having a wavelength of about 248 nanometers. The film is baked, resulting in inducing crosslinking in the film. The film is developed resulting in removal of base-soluble unexposed regions of the film, wherein a relief pattern from the film remains. The relief pattern is cured at a temperature between about 300° C. and about 450° C., and the curing utilizes a combination of thermal treatment with UV radiation.

摘要翻译： 一个方法。 该方法包括在硅晶片衬底上浸涂组合物的膜。 该组合物包括第一聚合物和第二聚合物的聚合物共混物。 第一聚合物是取代的倍半硅氧烷共聚物。 第二聚合物是具有硅烷醇端基的聚倍半硅氧烷。 该组合物包括光敏酸产生剂，有机碱和有机交联剂。 膜被图案化成像，并且至少一个区域暴露于波长为约248纳米的辐射。 该膜被烘烤，导致膜中引起交联。 显影该膜，导致去除基底溶解的膜的未曝光区域，其中残留有膜的浮雕图案。 浮雕图案在约300℃和约450℃之间的温度下固化，并且固化利用与UV辐射的热处理的组合。

公开(公告)号：US07867689B2

公开(公告)日：2011-01-11

申请号：US11750356

申请日：2007-05-18

申请人： Robert D. Allen ,  Phillip Brock ,  Blake W. Davis ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Alshakim Nelson ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Robert D. Allen ,  Phillip Brock ,  Blake W. Davis ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Alshakim Nelson ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/075 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/40

CPC分类号： H01L21/3122 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/121 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126

摘要： A method. The method includes dip coating a film of a composition on a silicon wafer substrate. The composition includes a polymer blend of a first polymer and a second polymer. The first polymer is a substituted silsesquioxane copolymer. The second polymer is a polysilsesquioxane having silanol end groups. The composition includes a photosensitive acid generator, an organic base, and an organic crosslinking agent. The film is patternwise imaged and at least one region is exposed to radiation having a wavelength of about 248 nanometers. The film is baked, resulting in inducing crosslinking in the film. The film is developed resulting in removal of base-soluble unexposed regions of the film, wherein a relief pattern from the film remains. The relief pattern is cured at a temperature between about 300° C. and about 450° C., and the curing utilizes a combination of thermal treatment with UV radiation.

摘要翻译： 一个方法。 该方法包括在硅晶片衬底上浸涂组合物的膜。 该组合物包括第一聚合物和第二聚合物的聚合物共混物。 第一聚合物是取代的倍半硅氧烷共聚物。 第二聚合物是具有硅烷醇端基的聚倍半硅氧烷。 该组合物包括光敏酸产生剂，有机碱和有机交联剂。 膜被图案化成像，并且至少一个区域暴露于波长为约248纳米的辐射。 该膜被烘烤，导致膜中引起交联。 显影该膜，导致去除基底溶解的膜的未曝光区域，其中残留有膜的浮雕图案。 浮雕图案在约300℃和约450℃之间的温度下固化，并且固化利用与UV辐射的热处理的组合。

公开(公告)号：US06770419B2

公开(公告)日：2004-08-03

申请号：US10241937

申请日：2002-09-11

申请人： Mahmoud M. Khojasteh ,  Ranee W. Kwong ,  Kuang-Jung Chen ,  Pushkara Rao Varanasi ,  Robert D. Allen ,  Phillip Brock ,  Frances Houle ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Mahmoud M. Khojasteh ,  Ranee W. Kwong ,  Kuang-Jung Chen ,  Pushkara Rao Varanasi ,  Robert D. Allen ,  Phillip Brock ,  Frances Houle ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： G03C173

CPC分类号： G03F7/094 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0758 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115

摘要： The silicon-containing resist compositions which have low silicon outgassing and high resolution lithographic performance, especially in bilayer or multilayer lithographic applications using 193 nm or shorter wavelength imaging radiation are enabled by the presence of an imaging polymer having silicon-containing, non-acid-labile pendant groups. The resist compositions of the invention are preferably further characterized by the substantial absence of silicon-containing acid-labile moieties.

公开(公告)号：US06927015B2

公开(公告)日：2005-08-09

申请号：US10920762

申请日：2004-08-18

申请人： Mahmoud M. Khojasteh ,  Timothy M. Hughes ,  Ranee W. Kwong ,  Pushkara Rao Varanasi ,  William R. Brunsvold ,  Margaret C. Lawson ,  Robert D. Allen ,  David R. Medeiros ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Phillip Brock

发明人： Mahmoud M. Khojasteh ,  Timothy M. Hughes ,  Ranee W. Kwong ,  Pushkara Rao Varanasi ,  William R. Brunsvold ,  Margaret C. Lawson ,  Robert D. Allen ,  David R. Medeiros ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Phillip Brock

IPC分类号： C08F30/08 ,  C08F32/00 ,  C08F230/08 ,  C08K5/41 ,  C08K5/54 ,  C08L43/04 ,  C08L45/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G11B5/31 ,  H01L21/027 ,  G03F7/40 ,  G03F7/11

CPC分类号： G03F7/094 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0758 ,  G11B5/3163

摘要： Compositions suitable for forming planarizing underlayers for multilayer lithographic processes are characterized by the presence of (A) a polymer containing: (i) cyclic ether moieties, (ii) saturated polycyclic moieties, and (iii) aromatic moieties for compositions not requiring a separate crosslinker, or (B) a polymer containing: (i) saturated polycyclic moieties, and (ii) aromatic moieties for compositions requiring a separate crosslinker. The compositions provide outstanding optical, mechanical and etch selectivity properties. The compositions are especially useful in lithographic processes using radiation less than 200 nm in wavelength to configure underlying material layers.

摘要翻译： 适用于形成用于多层平版印刷工艺的平坦化底层的组合物的特征在于（A）含有（i）环醚部分，（ii）饱和多环部分和（iii）不需要单独交联剂的组合物的芳族部分的聚合物 ，或（B）含有：（i）饱和多环部分的聚合物，和（ii）需要单独交联剂的组合物的芳族部分。 该组合物提供优异的光学，机械和蚀刻选择性。 组合物在使用波长小于200nm的辐射的光刻工艺中特别有用，以配置下层材料层。

公开(公告)号：US06818381B2

公开(公告)日：2004-11-16

申请号：US10026184

申请日：2001-12-21

申请人： Mahmoud M. Khojasteh ,  Timothy M. Hughes ,  Ranee W. Kwong ,  Pushkara Rao Varanasi ,  William R. Brunsvold ,  Margaret C. Lawson ,  Robert D. Allen ,  David R. Medeiros ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Phillip Brock

发明人： Mahmoud M. Khojasteh ,  Timothy M. Hughes ,  Ranee W. Kwong ,  Pushkara Rao Varanasi ,  William R. Brunsvold ,  Margaret C. Lawson ,  Robert D. Allen ,  David R. Medeiros ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Phillip Brock

IPC分类号： G03F711

CPC分类号： G03F7/094 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0758 ,  G11B5/3163

摘要： Compositions suitable for forming planarizing underlayers for multilayer lithographic processes are characterized by the presence of (A) a polymer containing: (i) cyclic ether moieties, (ii) saturated polycyclic moieties, and (iii) aromatic moieties for compositions not requiring a separate crosslinker, or (B) a polymer containing: (i) saturated polycyclic moieties, and (ii) aromatic moieties for compositions requiring a separate crosslinker. The compositions provide outstanding optical, mechanical and etch selectivity properties. The compositions are especially useful in lithographic processes using radiation less than 200 nm in wavelength to configure underlying material layers.

摘要翻译： 适用于形成用于多层平版印刷工艺的平坦化底层的组合物的特征在于（A）含有（i）环醚部分，（ii）饱和多环部分和（iii）不需要单独交联剂的组合物的芳族部分的聚合物 ，或（B）含有：（i）饱和多环部分的聚合物，和（ii）需要单独交联剂的组合物的芳族部分。 该组合物提供优异的光学，机械和蚀刻选择性。 组合物在使用波长小于200nm的辐射的光刻工艺中特别有用，以配置下层材料层。

公开(公告)号：US06730454B2

公开(公告)日：2004-05-04

申请号：US10124087

申请日：2002-04-16

申请人： Dirk Pfeiffer ,  Marie Angelopoulos ,  Katherina Babich ,  Phillip Brock ,  Wu-Song Huang ,  Arpan P. Mahorowala ,  David R. Medeiros ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Dirk Pfeiffer ,  Marie Angelopoulos ,  Katherina Babich ,  Phillip Brock ,  Wu-Song Huang ,  Arpan P. Mahorowala ,  David R. Medeiros ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： G03F700

CPC分类号： H01L21/0276 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/151

摘要： Antireflective compositions characterized by the presence of an SiO-containing polymer having chromophore moieties and transparent moieties are useful antireflective hardmask compositions in lithographic processes. These compositions provide outstanding optical, mechanical and etch selectivity properties while being applicable using spin-on application techniques. The compositions of the invention are advantageously useful with shorter wavelength lithographic processes and/or have minimal residual acid content.

摘要翻译： 存在具有发色团部分和透明部分的含SiO聚合物的抗反射组合物是光刻工艺中有用的抗反射硬掩模组​​合物。 这些组合物提供突出的光学，机械和蚀刻选择性，同时适用于使用旋涂应用技术。 本发明的组合物有利地用于较短波长的光刻工艺和/或具有最小的残留酸含量。

公开(公告)号：US07014980B2

公开(公告)日：2006-03-21

申请号：US10916934

申请日：2004-08-12

申请人： Robert David Allen ,  Gregory Breyta ,  Phillip Brock ,  Richard A. DiPietro ,  Debra Fenzel-Alexander ,  Carl Larson ,  David R. Medeiros ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Hoa D. Truong ,  Gregory M. Wallraff

发明人： Robert David Allen ,  Gregory Breyta ,  Phillip Brock ,  Richard A. DiPietro ,  Debra Fenzel-Alexander ,  Carl Larson ,  David R. Medeiros ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Hoa D. Truong ,  Gregory M. Wallraff

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/32 ,  G03F7/38 ,  C08J3/28

CPC分类号： C08F220/22 ,  C08F220/28 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  Y10S430/108

摘要： A photoresist composition is provided that includes a polymer having at least one acrylate or methacrylate monomer having a formula where R1 represents hydrogen (H), a linear or branched alkyl group of 1 to 20 carbons, or a semi- or perfluorinated linear or branched alkyl group of 1 to 20 carbons; and where R2 represents an unsubstituted aliphatic group or a substituted aliphatic group having zero or one trifluoromethyl (CF3) group attached to each carbon of the substituted aliphatic group, or a substituted or unsubstituted aromatic group; and where R3 represents hydrogen (H), methyl (CH3), trifluoromethyl (CF3), difluoromethyl(CHF2), fluoromethyl (CH2F), or a semi- or perfluorinated aliphatic chain; and where R4 represents trifluoromethyl (CF3), difluoromethyl (CHF2), fluoromethyl (CH2F), or a semi- or perfluorinated substituted or unsubstituted aliphatic group. A method of patterning a substrate using the photoresist composition is also provided herein.

摘要翻译： 提供了一种光致抗蚀剂组合物，其包括具有至少一个具有下式的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯单体的聚合物，其中R 1表示氢（H），1至20个碳的直链或支链烷基或 1至20个碳的半或全氟化直链或支链烷基; 其中R 2表示未取代的脂族基团或具有与取代的脂族基团的每个碳上连接的具有0或1个三氟甲基（CF 3 N 3）基团的取代的脂族基团，或 取代或未取代的芳基; 其中R 3表示氢（H），甲基（CH 3），三氟甲基（CF 3），二氟甲基（CHF 2） （CH 2 CO 2），或半或全氟化脂族链; 并且其中R 4表示三氟甲基（CF 3 S），二氟甲基（CH 2）2，氟甲基（CH 2 CH 2） ）或半或全氟取代或未取代的脂族基团。 本文还提供了使用光致抗蚀剂组合物图案化衬底的方法。

公开(公告)号：US20080193879A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：US12023108

申请日：2008-01-31

申请人： Robert Allen ,  Phillip Brock ,  Shiro Kusumoto ,  Yukio Nishimura ,  Daniel P. Sanders ,  Mark Steven Slezak ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Linda K. Sundberg ,  Hoa Truong ,  Gregory M. Wallraff

发明人： Robert Allen ,  Phillip Brock ,  Shiro Kusumoto ,  Yukio Nishimura ,  Daniel P. Sanders ,  Mark Steven Slezak ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Linda K. Sundberg ,  Hoa Truong ,  Gregory M. Wallraff

IPC分类号： C08F220/22 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/2041 ,  C08F220/22 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111

摘要： Photoresist additive polymers and photoresist formulations that can be used in immersion lithography without the use of an additional topcoat. The resist compositions include a photoresist polymer, at least one photoacid generator, a solvent; and a photoresist additive polymer. Also a method of forming using photoresist formulations including photoresist additive polymers.

摘要翻译： 光刻胶添加剂聚合物和光致抗蚀剂制剂，可用于浸没式光刻，而不使用额外的面漆。 抗蚀剂组合物包括光致抗蚀剂聚合物，至少一种光致酸产生剂，溶剂; 和光致抗蚀剂添加剂聚合物。 还有一种使用包括光致抗蚀剂添加剂聚合物的光致抗蚀剂制剂的方法。