公开(公告)号：US07141692B2

公开(公告)日：2006-11-28

申请号：US10721302

申请日：2003-11-24

申请人： Robert David Allen ,  Wu-Song Huang ,  Mahmoud Khojasteh ,  Qinghuang Lin ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Hoa D. Truong

发明人： Robert David Allen ,  Wu-Song Huang ,  Mahmoud Khojasteh ,  Qinghuang Lin ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Hoa D. Truong

IPC分类号： C08G77/14

CPC分类号： C07F7/21 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0755 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/127 ,  Y10T428/31663

摘要： A nonpolymeric silsesquioxane is provided wherein at least one silicon atom of the silsesquioxane is directly or indirectly bound to an acid-cleavable substituent RCL. The silsesquioxane has a glass transition temperature Tg of greater than 50° C., and the RCL substituent can be cleaved from the silsesquioxane at a temperature below Tg, generally at least 5° C. below Tg. The remainder of the silicon atoms within the silsesquioxane structure may be bound to additional acid-cleavable groups, acid-inert polar groups RP, and/or acid-inert nonpolar groups RNP. The nonpolymeric silsesquioxane can be a polyhedral silsesquioxane optionally having one to three open vertices, such that the polyhedron appears to be a “partial cage” structure, or a macromer of two to four such polyhedral silsesquioxanes. Photoresist compositions containing the novel nonpolymeric silsesquioxanes are also provided, as is a method for using the compositions in preparing a patterned substrate.

摘要翻译： 提供了一种非聚合倍半硅氧烷，其中倍半硅氧烷的至少一个硅原子直接或间接地结合到酸可裂解的取代基R CL上。 倍半硅氧烷的玻璃化转变温度T 大于50℃，R CL取代基可以在低于T℃的温度下从倍半硅氧烷中裂解， 通常在T g以下至少5℃。 倍半硅氧烷结构中的剩余硅原子可以与另外的酸可裂解基团，酸惰性极性基团R和P和/或酸惰性非极性基团R SUP>。 非聚合倍半硅氧烷可以是任选具有一至三个开放顶点的多面体倍半硅氧烷，使得多面体看起来是“部分笼”结构，或两至四个这样的多面体倍半硅氧烷的大分子单体。 还提供了含有新型非聚合倍半硅氧烷的光致抗蚀剂组合物，以及在制备图案化基材时使用该组合物的方法。

公开(公告)号：US20050112382A1

公开(公告)日：2005-05-26

申请号：US10721302

申请日：2003-11-24

申请人： Robert Allen ,  Wu-Song Huang ,  Mahmoud Khojasteh ,  Qinghuang Lin ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Hoa Truong

发明人： Robert Allen ,  Wu-Song Huang ,  Mahmoud Khojasteh ,  Qinghuang Lin ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Hoa Truong

IPC分类号： B32B25/20 ,  C07F7/21 ,  G03F7/004 ,  G03F7/075

CPC分类号： C07F7/21 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0755 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/127 ,  Y10T428/31663

摘要： A nonpolymeric silsesquioxane is provided wherein at least one silicon atom of the silsesquioxane is directly or indirectly bound to an acid-cleavable substituent RCL. The silsesquioxane has a glass transition temperature Tg of greater than 50° C, and the RCL substituent can be cleaved from the silsesquioxane at a temperature below Tg, generally at least 5° C. below Tg. The remainder of the silicon atoms within the silsesquioxane structure may be bound to additional acid-cleavable groups, acid-inert polar groups RP, and/or acid-inert nonpolar groups RNP. The nonpolymeric silsesquioxane can be a polyhedral silsesquioxane optionally having one to three open vertices, such that the polyhedron appears to be a “partial cage” structure, or a macromer of two to four such polyhedral silsesquioxanes. Photoresist compositions containing the novel nonpolymeric silsesquioxanes are also provided, as is a method for using the compositions in preparing a patterned substrate.

摘要翻译： 提供了一种非聚合倍半硅氧烷，其中倍半硅氧烷的至少一个硅原子直接或间接地结合到酸可裂解的取代基R CL上。 倍半硅氧烷的玻璃化转变温度T 大于50℃，R CL取代基可以在低于T T的温度下从倍半硅氧烷中裂解 通常在T T以下至少5℃。 倍半硅氧烷结构中的剩余硅原子可以与另外的酸可裂解基团，酸惰性极性基团R和P和/或酸惰性非极性基团R SUP>。 非聚合倍半硅氧烷可以是任选具有一至三个开放顶点的多面体倍半硅氧烷，使得多面体看起来是“部分笼”结构，或两至四个这样的多面体倍半硅氧烷的大分子单体。 还提供了含有新型非聚合倍半硅氧烷的光致抗蚀剂组合物，以及在制备图案化基材时使用该组合物的方法。

公开(公告)号：US07014980B2

公开(公告)日：2006-03-21

申请号：US10916934

申请日：2004-08-12

申请人： Robert David Allen ,  Gregory Breyta ,  Phillip Brock ,  Richard A. DiPietro ,  Debra Fenzel-Alexander ,  Carl Larson ,  David R. Medeiros ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Hoa D. Truong ,  Gregory M. Wallraff

发明人： Robert David Allen ,  Gregory Breyta ,  Phillip Brock ,  Richard A. DiPietro ,  Debra Fenzel-Alexander ,  Carl Larson ,  David R. Medeiros ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Hoa D. Truong ,  Gregory M. Wallraff

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/32 ,  G03F7/38 ,  C08J3/28

CPC分类号： C08F220/22 ,  C08F220/28 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  Y10S430/108

摘要： A photoresist composition is provided that includes a polymer having at least one acrylate or methacrylate monomer having a formula where R1 represents hydrogen (H), a linear or branched alkyl group of 1 to 20 carbons, or a semi- or perfluorinated linear or branched alkyl group of 1 to 20 carbons; and where R2 represents an unsubstituted aliphatic group or a substituted aliphatic group having zero or one trifluoromethyl (CF3) group attached to each carbon of the substituted aliphatic group, or a substituted or unsubstituted aromatic group; and where R3 represents hydrogen (H), methyl (CH3), trifluoromethyl (CF3), difluoromethyl(CHF2), fluoromethyl (CH2F), or a semi- or perfluorinated aliphatic chain; and where R4 represents trifluoromethyl (CF3), difluoromethyl (CHF2), fluoromethyl (CH2F), or a semi- or perfluorinated substituted or unsubstituted aliphatic group. A method of patterning a substrate using the photoresist composition is also provided herein.

摘要翻译： 提供了一种光致抗蚀剂组合物，其包括具有至少一个具有下式的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯单体的聚合物，其中R 1表示氢（H），1至20个碳的直链或支链烷基或 1至20个碳的半或全氟化直链或支链烷基; 其中R 2表示未取代的脂族基团或具有与取代的脂族基团的每个碳上连接的具有0或1个三氟甲基（CF 3 N 3）基团的取代的脂族基团，或 取代或未取代的芳基; 其中R 3表示氢（H），甲基（CH 3），三氟甲基（CF 3），二氟甲基（CHF 2） （CH 2 CO 2），或半或全氟化脂族链; 并且其中R 4表示三氟甲基（CF 3 S），二氟甲基（CH 2）2，氟甲基（CH 2 CH 2） ）或半或全氟取代或未取代的脂族基团。 本文还提供了使用光致抗蚀剂组合物图案化衬底的方法。

公开(公告)号：US06806026B2

公开(公告)日：2004-10-19

申请号：US10159635

申请日：2002-05-31

申请人： Robert David Allen ,  Gregory Breyta ,  Phillip Brock ,  Richard A. DiPietro ,  Debra Fenzel-Alexander ,  Carl Larson ,  David R. Medeiros ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Hoa D. Truong ,  Gregory M. Wallraff

发明人： Robert David Allen ,  Gregory Breyta ,  Phillip Brock ,  Richard A. DiPietro ,  Debra Fenzel-Alexander ,  Carl Larson ,  David R. Medeiros ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Hoa D. Truong ,  Gregory M. Wallraff

IPC分类号： G03F7039

CPC分类号： C08F220/22 ,  C08F220/28 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  Y10S430/108

摘要： A photoresist composition is provided that includes a polymer having at least one acrylate or methacrylate monomer having a formula: where R1 represents hydrogen (H), a linear or branched alkyl group of 1 to 20 carbons, or a semi- or perfluorinated linear or branched alkyl group of 1 to 20 carbons; and where R2 represents an unsubstituted aliphatic group or a substituted aliphatic group having zero or one trifluoromethyl (CF3) group attached to each carbon of the substituted aliphatic group, or a substituted or unsubstituted aromatic group; and where R3 represents hydrogen (H), methyl (CH3), trifluoromethyl (CF3), difluoromethyl (CHF2), fluoromethyl (CH2F), or a semi- or perfluorinated aliphatic chain; and where R4 represents trifluoromethyl (CF3), difluoromethyl (CHF2), fluoromethyl (CH2F), or a semi- or perfluorinated substituted or unsubstituted aliphatic group. A method of patterning a substrate using the photoresist composition is also provided herein.

摘要翻译： 提供了一种光致抗蚀剂组合物，其包括具有至少一种具有下式的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯单体的聚合物：其中R 1表示氢（H），1-20个碳的直链或支链烷基，或半或全氟 1〜20个碳原子的直链或支链烷基; 并且其中R 2表示未取代的脂族基团或具有连接在取代的脂族基团的每个碳上的零个或一个三氟甲基（CF 3）基团的取代的脂族基团，或取代或未取代的芳族基团; 并且其中R 3表示氢（H），甲基（CH 3），三氟甲基（CF 3），二氟甲基（CHF 2），氟甲基（CH 2 F）或半或全氟化脂族链; 并且其中R 4表示三氟甲基（CF 3），二氟甲基（CHF 2），氟甲基（CH 2 F）或半或全氟取代或未取代的脂族基团。 本文还提供了使用光致抗蚀剂组合物图案化衬底的方法。

公开(公告)号：US07135595B2

公开(公告)日：2006-11-14

申请号：US11330659

申请日：2006-01-12

申请人： Robert David Allen ,  Gregory Breyta ,  Phillip Brock ,  Richard A. DiPietro ,  Debra Fenzel-Alexander ,  Carl Larson ,  David R. Medeiros ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Hoa D. Truong ,  Gregory M. Wallraff

发明人： Robert David Allen ,  Gregory Breyta ,  Phillip Brock ,  Richard A. DiPietro ,  Debra Fenzel-Alexander ,  Carl Larson ,  David R. Medeiros ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Hoa D. Truong ,  Gregory M. Wallraff

IPC分类号： C08F118/00 ,  C08F18/20 ,  C08F120/22 ,  C07C69/62 ,  C07C69/52

CPC分类号： C08F220/22 ,  C08F220/28 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  Y10S430/108

摘要： A photoresist composition is provided that includes a polymer having at least one acrylate or methacrylate monomer having a formula where R1 represents hydrogen (H), a linear or branched alkyl group of 1 to 20 carbons, or a semi- or perfluorinated linear or branched alkyl group of 1 to 20 carbons; and where R2 represents an unsubstituted aliphatic group or a substituted aliphatic group having zero or one trifluoromethyl (CF3) group attached to each carbon of the substituted aliphatic group, or a substituted or unsubstituted aromatic group; and where R3 represents hydrogen (H), methyl (CH3), trifluoromethyl (CF3), difluoromethyl (CHF2), fluoromethyl (CH2F), or a semi- or perfluorinated aliphatic chain; and where R4 represents trifluoromethyl (CF3), difluoromethyl (CHF2), fluoromethyl (CH2F), or a semi- or perfluorinated substituted or unsubstituted aliphatic group. A method of patterning a substrate using the photoresist composition is also provided herein.

摘要翻译： 提供了一种光致抗蚀剂组合物，其包括具有至少一个具有下式的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯单体的聚合物，其中R 1表示氢（H），1至20个碳的直链或支链烷基或 1至20个碳的半或全氟化直链或支链烷基; 其中R 2表示未取代的脂族基团或具有与取代的脂族基团的每个碳上连接的具有0或1个三氟甲基（CF 3 N 3）基团的取代的脂族基团，或 取代或未取代的芳基; 其中R 3表示氢（H），甲基（CH 3），三氟甲基（CF 3），二氟甲基（CHF 2） （CH 2 CO 2），或半或全氟化脂族链; 并且其中R 4表示三氟甲基（CF 3 S），二氟甲基（CH 2）2，氟甲基（CH 2 CH 2） ）或半或全氟取代或未取代的脂族基团。 本文还提供了使用光致抗蚀剂组合物图案化衬底的方法。

公开(公告)号：US07901864B2

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：US10948826

申请日：2004-09-23

申请人： Wu-Song Huang ,  Marie Angelopoulos ,  Timothy A. Brunner ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Wu-Song Huang ,  Marie Angelopoulos ,  Timothy A. Brunner ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： G03C1/00 ,  H01L21/00 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F7/0755 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392

摘要： A radiation-sensitive composition (and method of fabricating a device using the composition) includes a nonpolymeric silsesquioxane including at least one acid labile moiety, a polymer including at least one member selected from the group consisting of an aqueous base soluble moiety and an acid labile moiety, and a radiation-sensitive acid generator. Another radiation-senstive composition (and method of fabricating a device using the composition) includes a nonpolymerc silsesquioxane including at least one aqueous base soluble moiety, a polymer including an aqueous base soluble moiety, a crosslinker, and a radiation-sensitive acid generator.

摘要翻译： 辐射敏感性组合物（以及使用该组合物制造器件的方法）包括非聚合倍半硅氧烷，其包含至少一种酸不稳定部分，包含至少一种选自碱性水溶性部分和酸不稳定性的成员的聚合物 部分和辐射敏感性酸产生剂。 另一种辐射敏感组合物（以及使用该组合物制造器件的方法）包括非聚合物倍半硅氧烷，其包括至少一种水溶性基团可溶部分，包含水溶性基团可溶部分的聚合物，交联剂和辐射敏感性酸发生剂。

公开(公告)号：US06730454B2

公开(公告)日：2004-05-04

申请号：US10124087

申请日：2002-04-16

申请人： Dirk Pfeiffer ,  Marie Angelopoulos ,  Katherina Babich ,  Phillip Brock ,  Wu-Song Huang ,  Arpan P. Mahorowala ,  David R. Medeiros ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Dirk Pfeiffer ,  Marie Angelopoulos ,  Katherina Babich ,  Phillip Brock ,  Wu-Song Huang ,  Arpan P. Mahorowala ,  David R. Medeiros ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： G03F700

CPC分类号： H01L21/0276 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/151

摘要： Antireflective compositions characterized by the presence of an SiO-containing polymer having chromophore moieties and transparent moieties are useful antireflective hardmask compositions in lithographic processes. These compositions provide outstanding optical, mechanical and etch selectivity properties while being applicable using spin-on application techniques. The compositions of the invention are advantageously useful with shorter wavelength lithographic processes and/or have minimal residual acid content.

摘要翻译： 存在具有发色团部分和透明部分的含SiO聚合物的抗反射组合物是光刻工艺中有用的抗反射硬掩模组​​合物。 这些组合物提供突出的光学，机械和蚀刻选择性，同时适用于使用旋涂应用技术。 本发明的组合物有利地用于较短波长的光刻工艺和/或具有最小的残留酸含量。

公开(公告)号：US07270931B2

公开(公告)日：2007-09-18

申请号：US10679782

申请日：2003-10-06

申请人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Arpan P. Mahorowila ,  Wayne Moreau ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Arpan P. Mahorowila ,  Wayne Moreau ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： G03C1/73 ,  G03C1/825 ,  G03C1/835

CPC分类号： G03F7/0754 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115

摘要： Antireflective compositions characterized by the presence of an Si-containing polymer having pendant chromophore moieties are useful antireflective coating/hardmask compositions in lithographic processes. These compositions provide outstanding optical, mechanical and etch selectivity properties while being applicable using spin-on application techniques. The compositions are especially useful in lithographic processes used to configure underlying material layers on a substrate, especially metal or semiconductor layers.

摘要翻译： 特征在于存在具有侧生发色团部分的含Si聚合物的抗反射组合物是光刻工艺中有用的抗反射涂层/硬掩模组合物。 这些组合物提供突出的光学，机械和蚀刻选择性，同时适用于使用旋涂应用技术。 所述组合物在用于在基材上，尤其是金属或半导体层上配置下层材料层的光刻工艺中特别有用。

公开(公告)号：US20060063103A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：US10948826

申请日：2004-09-23

申请人： Wu-Song Huang ,  Marie Angelopoulos ,  Timothy Brunner ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Wu-Song Huang ,  Marie Angelopoulos ,  Timothy Brunner ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/00

CPC分类号： G03F7/0755 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392

摘要： A radiation-sensitive composition (and method of fabricating a device using the composition) includes a nonpolymeric silsesquioxane including at least one acid labile moiety, a polymer including at least one member selected from the group consisting of an aqueous base soluble moiety and an acid labile moiety, and a radiation-sensitive acid generator. Another radiation-senstive composition (and method of fabricating a device using the composition) includes a nonpolymerc silsesquioxane including at least one aqueous base soluble moiety, a polymer including an aqueous base soluble moiety, a crosslinker, and a radiation-sensitive acid generator.

摘要翻译： 辐射敏感性组合物（以及使用该组合物制造器件的方法）包括非聚合倍半硅氧烷，其包含至少一种酸不稳定部分，包含至少一种选自碱性水溶性部分和酸不稳定性的成员的聚合物 部分和辐射敏感性酸产生剂。 另一种辐射敏感组合物（以及使用该组合物制造器件的方法）包括非聚合物倍半硅氧烷，包括至少一种水溶性基团可溶部分，包含碱性水溶性部分的聚合物，交联剂和辐射敏感性酸产生剂。

公开(公告)号：US08916978B2

公开(公告)日：2014-12-23

申请号：US13613890

申请日：2012-09-13

申请人： Qinghuang Lin ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Qinghuang Lin ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/532 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  G03F7/00 ,  H01L21/311 ,  G03F7/40

CPC分类号： H01L23/5329 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： An interconnect structure is provided which comprises a semiconductor substrate; a patterned and cured photoresist wherein the photoresist contains a low k dielectric substitutent and contains a fortification layer on its top and sidewall surfaces forming vias or trenches; and a conductive fill material in the vias or trenches. Also provided is a method for fabricating an interconnect structure which comprises depositing a photoresist onto a semiconductor substrate, wherein the photoresist contains a low k dielectric constituent; imagewise exposing the photoresist to actinic radiation; then forming a pattern of vias or trenches in the photoresist; surface fortifying the pattern of vias or trenches proving a fortification layer on the top and sidewalls of the vias or trenches; curing the pattern of vias or trenches thereby converting the photoresist into a dielectric; and filling the vias and trenches with a conductive fill material.

摘要翻译： 提供一种互连结构，其包括半导体衬底; 图案化和固化的光致抗蚀剂，其中光致抗蚀剂含有低k电介质替代物，并且在其顶部和侧壁表面上包含形成通孔或沟槽的强化层; 以及通孔或沟槽中的导电填充材料。 还提供了一种用于制造互连结构的方法，其包括在半导体衬底上沉积光致抗蚀剂，其中光致抗蚀剂含有低k电介质成分; 将光刻胶成像曝光于光化辐射; 然后在光致抗蚀剂中形成通孔或沟槽的图案; 表面强化通孔或沟槽的图案，证明通孔或沟槽的顶部和侧壁上的强化层; 固化通孔或沟槽的图案，从而将光致抗蚀剂转化为电介质; 并用导电填充材料填充通孔和沟槽。