公开(公告)号：US09159914B2

公开(公告)日：2015-10-13

申请号：US14136522

申请日：2013-12-20

申请人： Samsung Electronics Co., LTD.

发明人： Eun-Kyung Yim ,  In-Gyu Baek ,  Jang-Eun Lee ,  Se-Chung Oh ,  Kyung-Tae Nam ,  Jin-Shi Zhao

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L27/112 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC分类号： H01L45/1253 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146

摘要： A nonvolatile memory device includes a bottom electrode on a semiconductor substrate, a data storage layer on the bottom electrode, the data storage layer including a transition metal oxide, and a switching layer provided on a top surface and/or a bottom surface of the data storage layer, wherein a bond energy of material included in the switching layer and oxygen is more than a bond energy of a transition metal in the transition metal oxide and oxygen.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括半导体衬底上的底电极，底电极上的数据存储层，包含过渡金属氧化物的数据存储层以及设置在数据的顶表面和/或底表面上的开关层 存储层，其中包含在所述开关层中的材料的键能和氧比所述过渡金属氧化物和氧中的过渡金属的键能大。

公开(公告)号：US20140124727A1

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：US14136522

申请日：2013-12-20

申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： Eun-Kyung Yim ,  In-Gyu Baek ,  Jang-Eun Lee ,  Se-Chung Oh ,  Kyung-Tae Nam ,  Jin-Shi Zhao

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/1253 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146

摘要： A nonvolatile memory device includes a bottom electrode on a semiconductor substrate, a data storage layer on the bottom electrode, the data storage layer including a transition metal oxide, and a switching layer provided on a top surface and/or a bottom surface of the data storage layer, wherein a bond energy of material included in the switching layer and oxygen is more than a bond energy of a transition metal in the transition metal oxide and oxygen.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括半导体衬底上的底电极，底电极上的数据存储层，包含过渡金属氧化物的数据存储层以及设置在数据的顶表面和/或底表面上的开关层 存储层，其中包含在所述开关层中的材料的键能和氧比所述过渡金属氧化物和氧中的过渡金属的键能大。