公开(公告)号：US5569784A

公开(公告)日：1996-10-29

申请号：US379987

申请日：1995-01-27

申请人： Satoshi Watanabe ,  Junji Shimada ,  Youichi Ohsawa ,  Katsuya Takemura ,  Toshinobu Ishihara ,  Kazumasa Maruyama

发明人： Satoshi Watanabe ,  Junji Shimada ,  Youichi Ohsawa ,  Katsuya Takemura ,  Toshinobu Ishihara ,  Kazumasa Maruyama

IPC分类号： C07C381/12 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  C07C217/48

CPC分类号： C07C381/12 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/039

摘要： A novel sulfonium salt having at least one substituted aromatic group having acid labile groups and at least one nitrogenous aromatic group is provided. A chemically amplified, positive resist composition comprising the sulfonium salt as well as an alkali soluble resin and a dissolution inhibitor in an organic solvent has solved the PED problem.

摘要翻译： 提供具有至少一个具有酸不稳定基团和至少一个含氮芳族基团的取代芳族基团的新型锍盐。 在有机溶剂中包含锍盐以及碱溶性树脂和溶解抑制剂的化学增幅阳性抗蚀剂组合物解决了PED问题。

公开(公告)号：US5691112A

公开(公告)日：1997-11-25

申请号：US762861

申请日：1996-12-10

申请人： Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Toshinobu Ishihara ,  Kazumasa Maruyama ,  Yoshihumi Takeda ,  Junji Shimada ,  Fujio Yagihashi ,  Katsuya Takemura

发明人： Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Toshinobu Ishihara ,  Kazumasa Maruyama ,  Yoshihumi Takeda ,  Junji Shimada ,  Fujio Yagihashi ,  Katsuya Takemura

IPC分类号： C07C317/22 ,  C07C381/12 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07C317/22 ,  C07C381/12

摘要： Trifluoromethanesulfonic and p-toluenesulfonic acid bis- or tris(p-tert-butoxyphenyl)sulfonium salts are novel. They are prepared from bis(p-tert-butoxyphenyl)sulfoxide which is also novel. A chemically amplified positive resist composition which contains the sulfonium salt as a photo-acid generator is highly sensitive to deep-UV rays, electron beams and X-rays, can be developed with alkaline aqueous solution to form a pattern, and is thus suitable for use in a fine patterning technique.

摘要翻译： 三氟甲磺酸和对甲苯磺酸双或三（对叔丁氧基苯基）锍盐是新颖的。 它们由双（对叔丁氧基苯基）亚砜制备，也是新的。 含有锍盐作为光酸发生剂的化学增幅正性抗蚀剂组合物对深紫外线，电子束和X射线高度敏感，可以用碱性水溶液显影形成图案，因此适用于 使用精细图案化技术。

公开(公告)号：US5633409A

公开(公告)日：1997-05-27

申请号：US379986

申请日：1995-01-27

申请人： Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Toshinobu Ishihara ,  Kazumasa Maruyama ,  Yoshihumi Takeda ,  Junji Shimada ,  Fujio Yagihashi ,  Katsuya Takemura

发明人： Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Toshinobu Ishihara ,  Kazumasa Maruyama ,  Yoshihumi Takeda ,  Junji Shimada ,  Fujio Yagihashi ,  Katsuya Takemura

IPC分类号： C07C317/22 ,  C07C381/12 ,  G03F7/004 ,  C07C319/00

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07C317/22 ,  C07C381/12

摘要： Trifluoromethanesulfonic and p-toluenesulfonic acid bis- or tris(p-tert-butoxyphenyl)sulfonium salts are novel. They are prepared from bis(p-tert-butoxyphenyl)sulfoxide which is also novel. A chemically amplified positive resist composition which contains the sulfonium salt as a photo-acid generator is highly sensitive to deep-UV rays, electron beams and X-rays, can be developed with alkaline aqueous solution to form a pattern, and is thus suitable for use in a fine patterning technique.

摘要翻译： 三氟甲磺酸和对甲苯磺酸双或三（对叔丁氧基苯基）锍盐是新颖的。 它们由双（对叔丁氧基苯基）亚砜制备，也是新的。 含有锍盐作为光酸发生剂的化学增幅正性抗蚀剂组合物对深紫外线，电子束和X射线高度敏感，可以用碱性水溶液显影形成图案，因此适用于 使用精细图案化技术。

公开(公告)号：US5847218A

公开(公告)日：1998-12-08

申请号：US811530

申请日：1997-03-04

申请人： Youichi Ohsawa ,  Satoshi Watanabe ,  Junji Shimada ,  Katsuya Takemura ,  Shigehiro Nagura ,  Toshinobu Ishihara

发明人： Youichi Ohsawa ,  Satoshi Watanabe ,  Junji Shimada ,  Katsuya Takemura ,  Shigehiro Nagura ,  Toshinobu Ishihara

IPC分类号： C07C381/12 ,  G03F7/004 ,  G03F7/029 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027 ,  C07C211/44

CPC分类号： C07C381/12 ,  G03F7/0045

摘要： The invention provides a novel sulfonium salt having a substituted or unsubstituted arylsulfonate anion. The novel sulfonium salt minimizes the influence of deactivation by basic compounds not only at a resist surface, but also at a resist-substrate interface, assists a resist to be configured to a definite pattern profile. When the sulfonium salt has an acid labile group, it is effective for increasing the dissolution contrast between exposed and unexposed areas. The sulfonium salt is useful in a chemically amplified positive resist composition which lends itself to fine patterning and features high resolution.

摘要翻译： 本发明提供了具有取代或未取代的芳基磺酸根阴离子的新型锍盐。 新型锍盐不仅在抗蚀剂表面，而且在抗蚀剂 - 基材界面处，使碱性化合物失活的影响最小化，有助于将抗蚀剂配置成确定的图案轮廓。 当锍盐具有酸不稳定基团时，对于增加暴露区域和未暴露区域之间的溶解度对比度是有效的。 锍盐可用于化学放大的正性抗蚀剂组合物，其具有精细的图案化并具有高分辨率。

公开(公告)号：US5728508A

公开(公告)日：1998-03-17

申请号：US672961

申请日：1996-07-01

申请人： Katsuya Takemura ,  Toshinobu Ishihara ,  Satoshi Watanabe ,  Kazumasa Maruyama ,  Hirofumi Kishita ,  Kouichi Yamaguchi

发明人： Katsuya Takemura ,  Toshinobu Ishihara ,  Satoshi Watanabe ,  Kazumasa Maruyama ,  Hirofumi Kishita ,  Kouichi Yamaguchi

IPC分类号： G03F7/09 ,  G03C1/835

CPC分类号： G03F7/091

摘要： A method of forming a resist pattern comprising forming a photoresist layer on a substrate, forming a transparent anti-reflective film on said photoresist layer by applying an anti-reflective material onto said photoresist layer, said anti-reflective material comprising a fluorinated resin which is soluble in an organic hydrocarbon solvent, exposing a light to said resist layer through said transparent anti-reflective film, removing said anti-reflective film using an organic hydrocarbon solvent, and developing said photoresist layer.

摘要翻译： 一种形成抗蚀剂图案的方法，包括在基材上形成光致抗蚀剂层，在所述光致抗蚀剂层上形成透明的抗反射膜，通过在所述光致抗蚀剂层上施加抗反射材料，所述抗反射材料包括氟化树脂， 可溶于有机烃溶剂中，通过所述透明抗反射膜将光暴露于所述抗蚀剂层，使用有机烃溶剂除去所述抗反射膜，并显影所述光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：US5759739A

公开(公告)日：1998-06-02

申请号：US635856

申请日：1996-04-22

申请人： Katsuya Takemura ,  Toshinobu Ishihara ,  Kazumasa Maruyama ,  Yoshihumi Takeda ,  Minoru Shigemitsu ,  Ken'ichi Itoh

发明人： Katsuya Takemura ,  Toshinobu Ishihara ,  Kazumasa Maruyama ,  Yoshihumi Takeda ,  Minoru Shigemitsu ,  Ken'ichi Itoh

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03C1/73

CPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/111

摘要： A resist composition comprising an alkali-soluble resin, typically a partially t-butoxycarbonylated polyhydroxystyrene, a p-butoxystyrene/t-butylacrylate copolymer or p-butoxystyrene/maleic anhydride copolymer as a dissolution inhibitor, and a iodonium or sulfonium salt as a photoacid generator is effective for forming a resist film which can be precisely and finely patterned using high energy radiation such as a KrF excimer laser.

摘要翻译： 抗蚀剂组合物，其包含碱溶性树脂，通常为部分叔丁氧基羰基化的聚羟基苯乙烯，作为溶解抑制剂的对丁氧基苯乙烯/叔丁基丙烯酸酯共聚物或对丁氧基苯乙烯/马来酸酐共聚物，以及作为光酸产生剂的碘鎓盐或锍盐 对于形成可以使用高能辐射如KrF准分子激光器精确和精细地图案化的抗蚀剂膜是有效的。

公开(公告)号：US08129100B2

公开(公告)日：2012-03-06

申请号：US12418090

申请日：2009-04-03

申请人： Katsuya Takemura ,  Jun Hatakeyama ,  Kazumi Noda ,  Mutsuo Nakashima ,  Masaki Ohashi ,  Toshinobu Ishihara

发明人： Katsuya Takemura ,  Jun Hatakeyama ,  Kazumi Noda ,  Mutsuo Nakashima ,  Masaki Ohashi ,  Toshinobu Ishihara

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  G03F7/039

CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/40

摘要： Double patterns are formed by coating a chemically amplified positive resist composition comprising an acid labile group-bearing resin and a photoacid generator and prebaking to form a resist film on a processable substrate, exposing the resist film to high-energy radiation, PEB, and developing with an alkaline developer to form a positive resist pattern, treating the positive resist pattern to be alkali soluble and solvent resistant, coating a negative resist composition and prebaking to form a reversal film, and exposing the reversal film to high-energy radiation, PEB, and developing with an alkaline developer to form a negative resist pattern. The last development step includes the reversal transfer step of dissolving away the positive resist pattern which has been converted to be soluble in developer.

摘要翻译： 通过涂覆化学放大的正性抗蚀剂组合物形成双重图案，所述正性抗蚀剂组合物包含含酸不稳定基团的树脂和光致酸发生剂和预烘烤以在可加工的基材上形成抗蚀剂膜，将抗蚀剂膜暴露于高能量辐射，PEB和显影 用碱性显影剂形成正的抗蚀剂图案，将正性抗蚀剂图案处理为碱溶性和耐溶剂性，涂覆负性抗蚀剂组合物和预烘烤以形成反转膜，并将反转膜暴露于高能辐射PEB， 并用碱性显影剂显影以形成负的抗蚀剂图案。 最后的显影步骤包括将已被转化为可溶于显影剂的正性抗蚀图案溶解的反转移步骤。

公开(公告)号：US5691396A

公开(公告)日：1997-11-25

申请号：US719011

申请日：1996-09-24

申请人： Katsuya Takemura ,  Junji Tsuchiya ,  Osamu Watanabe ,  Toshinobu Ishihara

发明人： Katsuya Takemura ,  Junji Tsuchiya ,  Osamu Watanabe ,  Toshinobu Ishihara

IPC分类号： G03F7/004 ,  C08G77/14 ,  C08G77/22 ,  C08G77/38 ,  C09D5/25 ,  C09D183/06 ,  G03F7/029 ,  G03F7/039 ,  G03F7/075 ,  G03F7/30 ,  H01L21/027 ,  C08J3/28

CPC分类号： G03F7/075 ,  C08G77/38 ,  C09D183/06

摘要： The invention provides a novel polysiloxane compound, typically polyhydroxybenzylsilsesquioxane, having some hydroxyl groups replaced by acetal groups and optionally acid labile groups. The polysiloxane compound is useful as an alkali soluble polymer for positive resist material.

摘要翻译： 本发明提供了一种新的聚硅氧烷化合物，典型的是多羟基苄基倍半硅氧烷，其中一些羟基被缩醛基团和任选的酸不稳定基团取代。 聚硅氧烷化合物可用作正性抗蚀剂材料的碱溶性聚合物。

公开(公告)号：US6066433A

公开(公告)日：2000-05-23

申请号：US37023

申请日：1998-03-09

申请人： Katsuya Takemura ,  Junji Tsuchiya ,  Ichiro Kaneko ,  Toshinobu Ishihara

发明人： Katsuya Takemura ,  Junji Tsuchiya ,  Ichiro Kaneko ,  Toshinobu Ishihara

IPC分类号： C08G77/14 ,  G03F7/004 ,  G03F7/075

CPC分类号： C08G77/14 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0757 ,  Y10S430/106

摘要： In a silicone polymer having phenolic hydroxyl groups, the hydrogen atoms of some of the phenolic hydroxyl groups are replaced by acid labile groups of at least one type. The silicone polymer is crosslinked at some of the remaining phenolic hydroxyl groups with crosslinking groups having C--O--C linkages within a molecule and/or between molecules. The silicone polymer has a Mw of 5,000 to 50,000. A chemically amplified positive resist composition comprising the silicone polymer as a base resin has a high sensitivity and resolution so that it is suitable for fine patterning with electron beams or deep UV. Because of improved oxygen plasma etching resistance, the composition is suitable for use in the two-layer resist technique.

摘要翻译： 在具有酚羟基的硅氧烷聚合物中，一些酚羟基的氢原子被至少一种类型的酸不稳定基团取代。 硅氧烷聚合物在一些剩余的酚羟基上与在分子内和/或分子之间具有C-O-C键的交联基团交联。 有机硅聚合物的Mw为5,000至50,000。 包含作为基础树脂的硅氧烷聚合物的化学放大型正性抗蚀剂组合物具有高灵敏度和分辨率，使其适用于用电子束或深紫外线精细构图。 由于氧等离子体抗蚀刻性能的改善，组合物适用于双层抗蚀剂技术。

公开(公告)号：US5612170A

公开(公告)日：1997-03-18

申请号：US569659

申请日：1995-12-08

申请人： Katsuya Takemura ,  Junji Tsuchiya ,  Toshinobu Ishihara ,  Akinobu Tanaka ,  Yoshio Kawai ,  Jiro Nakamura

发明人： Katsuya Takemura ,  Junji Tsuchiya ,  Toshinobu Ishihara ,  Akinobu Tanaka ,  Yoshio Kawai ,  Jiro Nakamura

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  G03C1/73

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/0757 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/122

摘要： A positive resist composition based on a silicone polymer contains a photo acid generator which will decompose to generate an acid upon exposure to radiation. The silicone polymer includes hydroxybenzyl units wherein some OH groups are replaced by t-butoxycarbonyl, t-butoxycarbonylmethyl, trimethylsilyl or tetrahydropyranyl groups. In a first form, the photo acid generator is a specific onium salt having at least one phenyl group with a t-alkoxy, t-butoxycarbonyloxy or t-butoxycarbonylmethoxy substituent. In a second form, the composition further contains a nitrogenous compound. In a third form, the composition further contains a dissolution inhibitor in the form of a specific silicone compound. The composition is sensitive to high energy radiation and has high sensitivity and resolution.

摘要翻译： 基于有机硅聚合物的正型抗蚀剂组合物含有光致酸产生剂，其将在暴露于辐射时分解产生酸。 有机硅聚合物包括其中一些OH基被叔丁氧基羰基，叔丁氧基羰基甲基，三甲基甲硅烷基或四氢吡喃基代替的羟基苄基单元。 在第一种形式中，光酸产生剂是具有至少一个具有叔烷氧基，叔丁氧基羰基氧基或叔丁氧基羰基甲氧基取代基的苯基的特定鎓盐。 在第二种形式中，组合物还含有含氮化合物。 在第三种形式中，组合物还含有特定硅氧烷化合物形式的溶解抑制剂。 该成分对高能辐射敏感，灵敏度高，分辨率高。