公开(公告)号：US20100329022A1

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：US12827754

申请日：2010-06-30

申请人： Seung Hwan Baik ,  Ju Yeab Lee

发明人： Seung Hwan Baik ,  Ju Yeab Lee

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/3418 ,  G11C11/5628

摘要： A method of programming a nonvolatile memory device comprises performing a first program operation on first memory cells and second memory cells so that threshold voltages of the first and second memory cells have a first reference level lower than a first target level, the first memory cells having the first target level as a first target level, and the second memory cells having a second target level higher than the first target level as a second target level; performing a second program operation on the second memory cells so that the threshold voltages of the second memory cells have a second reference level lower than the second target level; and performing a third program operation on the first and second memory cells to have the respective target levels.

摘要翻译： 一种对非易失性存储器件进行编程的方法包括：对第一存储器单元和第二存储器单元执行第一程序操作，使得第一和第二存储器单元的阈值电压具有低于第一目标电平的第一参考电平，第一存储器单元具有 所述第一目标级别作为第一目标级别，并且所述第二存储器单元具有比所述第一目标级别高的第二目标级别作为第二目标级别; 对所述第二存储器单元执行第二编程操作，使得所述第二存储器单元的阈值电压具有低于所述第二目标电平的第二参考电平; 以及对所述第一和第二存储器单元执行第三程序操作以具有各自的目标电平。

公开(公告)号：US07826273B2

公开(公告)日：2010-11-02

申请号：US12324713

申请日：2008-11-26

申请人： Seung Hwan Baik

发明人： Seung Hwan Baik

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C16/34

摘要： A first verify voltage is applied to a word line of a selected memory cell, after a bit line is precharged, to program-verify the memory cell in a nonvolatile memory device. A first read evaluation operation for changing a voltage of the bit line is performed. Results of the first read evaluation operation are sensed using a first sensing voltage. A second read evaluation operation for changing the voltage of the bit line is performed again. Results of the second read verify operation are then sensed using the first sensing voltage.

摘要翻译： 在位线被预充电之后，第一验证电压被施加到所选择的存储器单元的字线，以对非易失性存储器件中的存储器单元进行编程验证。 执行用于改变位线的电压的第一读取评估操作。 使用第一感测电压来感测第一读取评估操作的结果。 再次执行用于改变位线的电压的第二读取评估操作。 然后使用第一感测电压来感测第二读取验证操作的结果。

公开(公告)号：US20130163345A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：US13605552

申请日：2012-09-06

申请人： Sang Tae AHN ,  Gyu Seog Cho ,  Chae Moon Lim ,  Yoo Nam Jeon ,  Seung Hwan Baik ,  Hee Jin Lee ,  Jae Seok Kim ,  Kyung Sik Mun ,  U Seon Im

发明人： Sang Tae AHN ,  Gyu Seog Cho ,  Chae Moon Lim ,  Yoo Nam Jeon ,  Seung Hwan Baik ,  Hee Jin Lee ,  Jae Seok Kim ,  Kyung Sik Mun ,  U Seon Im

IPC分类号： G11C16/12 ,  G11C16/04

CPC分类号： G11C16/0483 ,  G11C16/12 ,  G11C16/3427

摘要： A method of operating a semiconductor memory device includes an operation of applying a first voltage to selected bit lines, a second voltage to unselected bit lines and a common source line, and turning on drain and source selection transistors, an operation of applying a program voltage to a selected word line and a switch voltage to a switch word line, and applying a first pass voltage to first unselected word lines disposed between the switch word line and a common source line and between the selected word line and a bit line, and elevating the switch voltage to generate hot electrons and inject the hot electrons to a selected memory cell of the selected word line to program the selected cell.

摘要翻译： 一种操作半导体存储器件的方法包括：将第一电压施加到所选择的位线，将第二电压施加到未选定位线和公共源极线，以及接通漏极和源极选择晶体管的操作，施加编程电压 将选择的字线和开关电压切换到开关字线，并且将第一通过电压施加到设置在开关字线和公共源极线之间以及所选择的字线和位线之间的第一未选择字线，并且升高 所述开关电压产生热电子并将热电子注入到所选择的字线的选定的存储单元中以对所选择的单元进行编程。

公开(公告)号：US08351267B2

公开(公告)日：2013-01-08

申请号：US12827754

申请日：2010-06-30

申请人： Seung Hwan Baik ,  Ju Yeab Lee

发明人： Seung Hwan Baik ,  Ju Yeab Lee

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/3418 ,  G11C11/5628

摘要： A method of programming a nonvolatile memory device comprises performing a first program operation on first memory cells and second memory cells so that threshold voltages of the first and second memory cells have a first reference level lower than a first target level, the first memory cells having the first target level as a first target level, and the second memory cells having a second target level higher than the first target level as a second target level; performing a second program operation on the second memory cells so that the threshold voltages of the second memory cells have a second reference level lower than the second target level; and performing a third program operation on the first and second memory cells to have the respective target levels.

摘要翻译： 一种对非易失性存储器件进行编程的方法包括：对第一存储器单元和第二存储器单元执行第一程序操作，使得第一和第二存储器单元的阈值电压具有低于第一目标电平的第一参考电平，第一存储器单元具有 所述第一目标级别作为第一目标级别，并且所述第二存储器单元具有比所述第一目标级别高的第二目标级别作为第二目标级别; 对所述第二存储器单元执行第二编程操作，使得所述第二存储器单元的阈值电压具有低于所述第二目标电平的第二参考电平; 以及对所述第一和第二存储器单元执行第三程序操作以具有各自的目标电平。