公开(公告)号：US20070254459A1

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：US11790329

申请日：2007-04-25

申请人： Soo Lee ,  Masayoshi Koike ,  Sung Jang ,  Hyo Suh

发明人： Soo Lee ,  Masayoshi Koike ,  Sung Jang ,  Hyo Suh

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36 ,  H01L31/20

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609

摘要： A method of growing a non-polar m-plane nitride semiconductor. A (11-23) plane sapphire substrate is prepared, and a non-polar (10-10) nitride semiconductor is grown on the sapphire substrate. The present invention can also be applied to a method for manufacturing other m-plane hexagonal semiconductors.

摘要翻译： 一种生长非极性m面氮化物半导体的方法。 制备（11-23）平面蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上生长非极性（10-10）氮化物半导体。 本发明也可以应用于制造其它m面六边形半导体的方法。

公开(公告)号：US20070141741A1

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：US11505406

申请日：2006-08-17

申请人： Hyo Suh ,  Masayoshi Koike ,  Sung Jang ,  Soo Lee ,  Jong Yang ,  Jin Hong

发明人： Hyo Suh ,  Masayoshi Koike ,  Sung Jang ,  Soo Lee ,  Jong Yang ,  Jin Hong

IPC分类号： C30B21/04 ,  H01L21/00 ,  H01L21/336

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/04 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079

摘要： In a semiconductor laminated structure, a base substrate has a nitride semiconductor crystal plane in an upper surface thereof. A growth blocking film encloses a flow-through pattern which is extended horizontally on the base substrate at a predetermined interval. A nitride semiconductor crystal layer is formed on the base substrate to contact the upper surface thereof between regions of the flow-through pattern and covers the grow blocking film. The semiconductor laminated structure is employed to obtain a nitride semiconductor crystal layer, nitride semiconductor crystal substrate and nitride semiconductor device exhibiting fewer defects and high quality.

摘要翻译： 在半导体层叠结构中，基板在其上表面具有氮化物半导体晶体面。 生长阻挡膜包围以预定间隔在基底基板上水平延伸的流通图案。 氮化物半导体晶体层形成在基底基板上，以与流通图案的区域之间的上表面接触，并覆盖生长阻挡膜。 采用半导体层叠结构来获得氮化物半导体晶体层，氮化物半导体晶体基板和具有较少缺陷和高质量的氮化物半导体器件。

公开(公告)号：US20060286777A1

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：US11471697

申请日：2006-06-21

申请人： Soo Lee ,  Cheol Kim ,  Jaeun Yoo ,  Sung Jang ,  Masayoshi Koike

发明人： Soo Lee ,  Cheol Kim ,  Jaeun Yoo ,  Sung Jang ,  Masayoshi Koike

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/0079

摘要： In a method for fabricating a nitride-based compound layer, first, a GaN substrate is prepared. A mask layer with a predetermined pattern is formed on the GaN substrate to expose a partial area of the GaN substrate. Then a buffer layer is formed on the partially exposed GaN substrate. The buffer layer is made of a material having a 10% or less lattice mismatch with GaN. Thereafter, the nitride-based compound is grown laterally from a top surface of the buffer layer toward a top surface of the mask layer and the nitride-based compound layer is vertically grown to a predetermined thickness. Also, the mask layer and the buffer layer are removed via wet-etching to separate the nitride-based compound layer from the GaN substrate.

摘要翻译： 在制造氮化物类化合物层的方法中，首先制备GaN衬底。 在GaN衬底上形成具有预定图案的掩模层，以暴露GaN衬底的部分区域。 然后在部分曝光的GaN衬底上形成缓冲层。 缓冲层由具有10％以下与GaN的晶格失配的材料制成。 此后，氮化物类化合物从缓冲层的顶表面朝向掩模层的顶表面横向生长，并且氮化物基化合物层垂直生长至预定厚度。 此外，通过湿蚀刻除去掩模层和缓冲层，以将氮化物基化合物层与GaN衬底分离。

公开(公告)号：US20070012940A1

公开(公告)日：2007-01-18

申请号：US11484758

申请日：2006-07-12

申请人： Hyo Suh ,  Hee Park ,  Masayoshi Koike

发明人： Hyo Suh ,  Hee Park ,  Masayoshi Koike

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/507 ,  H01L33/44 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00014

摘要： The invention relates to a wavelength-convertible LED package including a package substrate having a lead frame, and an LED mounted on the package substrate and electrically connected to the lead frame. The wavelength-convertible LED package also includes a low refractive index region surrounding the LED, having a first refractive index, and a high refractive index layer formed on the low refractive index region, having a rough pattern on an upper surface thereof and a second refractive index higher than the first refractive index. The wavelength-convertible LED package further includes a resin part containing phosphor for converting the wavelength of light emitted from the LED, having a third refractive index lower than the second refractive index.

摘要翻译： 本发明涉及一种波长可转换的LED封装，其包括具有引线框架的封装基板和安装在封装基板上并电连接到引线框架上的LED。 波长可变的LED封装还包括围绕LED的低折射率区域，具有第一折射率和形成在低折射率区域上的高折射率层，在其上表面上具有粗糙图案，并且具有第二折射率区域 指数高于第一折射率。 波长可变换LED封装还包括含有荧光体的树脂部分，用于转换从LED发射的光的波长，其具有低于第二折射率的第三折射率。

公开(公告)号：US20060091408A1

公开(公告)日：2006-05-04

申请号：US11204226

申请日：2005-08-16

申请人： Min Kim ,  Masayoshi Koike ,  Kyeong Min ,  Seong Lee ,  Sung Jang

发明人： Min Kim ,  Masayoshi Koike ,  Kyeong Min ,  Seong Lee ,  Sung Jang

IPC分类号： H01L29/22

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： Disclosed are a nitride based semiconductor device, including a high-quality GaN layer formed on a silicone substrate, and a process for preparing the same. A nitride based semiconductor device in accordance with the present invention comprises a plurality of nanorods aligned and formed on the silicone substrate in the vertical direction; an amorphous matrix layer filling spaces between nanorods so as to protrude some upper portion of the nanorods; and a GaN layer formed on the matrix layer.

摘要翻译： 公开了一种氮化物基半导体器件及其制备方法，其包括在硅树脂基底上形成的高质量GaN层。 根据本发明的氮化物基半导体器件包括沿着垂直方向对准和形成在硅基底上的多个纳米棒; 填充纳米棒之间的空间的非晶基质层，以便突出所述纳米棒的一些上部; 以及形成在基体层上的GaN层。

公开(公告)号：US20060216914A1

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：US11368184

申请日：2006-03-03

申请人： Soo Lee ,  Rak Choi ,  Naoi Yoshiki ,  Sakai Shiro ,  Masayoshi Koike

发明人： Soo Lee ,  Rak Choi ,  Naoi Yoshiki ,  Sakai Shiro ,  Masayoshi Koike

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262

摘要： The invention provides a method of growing a non-polar a-plane gallium nitride. In the method, first, an r-plane substrate is prepared. Then, a low-temperature nitride-based nucleation layer is deposited on the substrate. Finally, the non-polar a-plane gallium nitride is grown on the nucleation layer. In growing the non-polar a-plane gallium nitride, a gallium source is supplied at a flow rate of about 190 to 390 μmol/min and the flow rate of a nitrogen source is set to produce a V/III ratio of about 770 to 2310.

摘要翻译： 本发明提供一种生长非极性a-平面氮化镓的方法。 在该方法中，首先，准备r面基板。 然后，在基板上沉积低温氮化物基成核层。 最后，在成核层上生长非极性a面平面氮化镓。 在生长非极性a面平面氮化镓的过程中，以约190〜390微摩尔/分钟的流量供给镓源，将氮源的流量设定为V / III比约为770〜 2310。

公开(公告)号：US20120223660A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：US13474240

申请日：2012-05-17

申请人： Pun Jae Choi ,  Masayoshi Koike ,  Sang Yeob Song

发明人： Pun Jae Choi ,  Masayoshi Koike ,  Sang Yeob Song

IPC分类号： H05B33/14

CPC分类号： H01L33/50 ,  H01L25/0753 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A white light emitting device includes a structure for emitting white light having at least four wavelengths by using two or less LEDs, where the LEDs include a blue/green LED emitting blue and green wavelengths of light. The device also includes means for emitting red wavelength of light.

摘要翻译： 白色发光器件包括通过使用两个或更少的LED发射具有至少四个波长的白光的结构，其中LED包括发射蓝色和绿色波长的光的蓝/绿LED。 该装置还包括用于发射红色波长的光的装置。

公开(公告)号：US07998767B2

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US12704570

申请日：2010-02-12

申请人： Tae Won Lee ,  Hee Seok Park ,  Masayoshi Koike

发明人： Tae Won Lee ,  Hee Seok Park ,  Masayoshi Koike

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/20

摘要： A facet extraction LED improved in light extraction efficiency and a manufacturing method thereof. A substrate is provided. A light emitting part includes an n-type semiconductor layer, an active layer and a p-type semiconductor layer sequentially stacked on the substrate. A p-electrode and an n-electrode are connected to the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer, respectively. The p- and n-electrodes are formed on the same side of the LED. The light emitting part is structured as a ring.

摘要翻译： 提取光提取效率的小面提取LED及其制造方法。 提供基板。 发光部包括依次层叠在基板上的n型半导体层，有源层和p型半导体层。 p电极和n电极分别连接到p型半导体层和n型半导体层。 p电极和n电极形成在LED的同一侧。 发光部分被构造为环。

公开(公告)号：US07569461B2

公开(公告)日：2009-08-04

申请号：US11471697

申请日：2006-06-21

申请人： Soo Min Lee ,  Cheol Kyu Kim ,  Jaeun Yoo ,  Sung Hwan Jang ,  Masayoshi Koike

发明人： Soo Min Lee ,  Cheol Kyu Kim ,  Jaeun Yoo ,  Sung Hwan Jang ,  Masayoshi Koike

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/0079

摘要： In a method for fabricating a nitride-based compound layer, first, a GaN substrate is prepared. A mask layer with a predetermined pattern is formed on the GaN substrate to expose a partial area of the GaN substrate. Then a buffer layer is formed on the partially exposed GaN substrate. The buffer layer is made of a material having a 10% or less lattice mismatch with GaN. Thereafter, the nitride-based compound is grown laterally from a top surface of the buffer layer toward a top surface of the mask layer and the nitride-based compound layer is vertically grown to a predetermined thickness. Also, the mask layer and the buffer layer are removed via wet-etching to separate the nitride-based compound layer from the GaN substrate.

摘要翻译： 在制造氮化物类化合物层的方法中，首先制备GaN衬底。 在GaN衬底上形成具有预定图案的掩模层，以暴露GaN衬底的部分区域。 然后在部分曝光的GaN衬底上形成缓冲层。 缓冲层由具有10％以下与GaN的晶格失配的材料制成。 此后，氮化物类化合物从缓冲层的顶表面朝向掩模层的顶表面横向生长，并且氮化物基化合物层垂直生长至预定厚度。 此外，通过湿蚀刻除去掩模层和缓冲层，以将氮化物基化合物层与GaN衬底分离。

公开(公告)号：US07491984B2

公开(公告)日：2009-02-17

申请号：US10978438

申请日：2004-11-02

申请人： Masayoshi Koike ,  Yuta Tezen ,  Toshio Hiramatsu ,  Seiji Nagai

发明人： Masayoshi Koike ,  Yuta Tezen ,  Toshio Hiramatsu ,  Seiji Nagai

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： The present invention provides a Group III nitride compound semiconductor with suppressed generation of threading dislocations.A GaN layer 31 is subjected to etching, so as to form an island-like structure having a shape of, for example, dot, stripe, or grid, thereby providing a trench/mesa structure, and a mask 4 is formed at the bottom of the trench such that the upper surface of the mask 4 is positioned below the top surface of the GaN layer 31. A GaN layer 32 is lateral-epitaxially grown with the top surface 31a of the mesa and sidewalls 31b of the trench serving as nuclei, to thereby bury the trench, and then epitaxial growth is effected in the vertical direction. In the upper region of the GaN layer 32 formed above the mask 4 through lateral epitaxial growth, propagation of threading dislocations contained in the GaN layer 31 can be prevented.

摘要翻译： 本发明提供了具有抑制的穿透位错产生的III族氮化物化合物半导体。 对GaN层31进行蚀刻，以形成具有例如点状，条状或格栅形状的岛状结构，由此提供沟槽/台面结构，并且在底部形成掩模4 使得掩模4的上表面位于GaN层31的顶表面之下。GaN层32被侧壁外延生长，台面的顶表面31a和用作核的沟槽的侧壁31b ，从而埋入沟槽，然后在垂直方向进行外延生长。 在通过横向外延生长形成在掩模4上方的GaN层32的上部区域中，可以防止包含在GaN层31中的穿透位错的传播。