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    Electrostatic discharge (ESD) protection structure and a circuit using the same
    1.
    发明申请
    Electrostatic discharge (ESD) protection structure and a circuit using the same 有权
    静电放电（ESD）保护结构和使用其的电路

    公开(公告)号：US20070120190A1

    公开(公告)日：2007-05-31

    申请号：US11254387

    申请日：2005-10-20

    申请人： Stefan Schwantes ,  Michael Graf ,  Volker Dudek ,  Gayle Miller ,  Irwin Rathbun ,  Peter Grombach ,  Manfred Klaussner

    发明人： Stefan Schwantes ,  Michael Graf ,  Volker Dudek ,  Gayle Miller ,  Irwin Rathbun ,  Peter Grombach ,  Manfred Klaussner

    IPC分类号： H01L23/62

    CPC分类号： H01L27/0266 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/7835

    摘要： An electrostatic discharge (ESD) protection structure is disclosed. The ESD protection structure comprises an active device. The active device includes a plurality of drains. Each of the drains has a contact row and at least one body contact row. The at least one body contact row is located on the active device in a manner to reduce the amount of voltage required for triggering the ESD protection structure. A system and method in accordance with the present invention utilizes a LDNMOS transistor as ESD protection element with optimised substrate contacts. The ratio of substrate contact rows to drain contact rows is smaller than one in order to reduce the triggering voltage of the inherent bipolar transistor.

    摘要翻译： 公开了一种静电放电（ESD）保护结构。 ESD保护结构包括有源器件。 有源器件包括多个漏极。 每个排水沟具有接触排和至少一个身体接触排。 所述至少一个体接触排以减少触发ESD保护结构所需的电压量的方式位于有源器件上。 根据本发明的系统和方法利用LDNMOS晶体管作为具有优化的衬底接触的ESD保护元件。 为了降低固有双极晶体管的触发电压，衬底接触行与漏极接触行的比例小于1。

    ESD protection circuit with scalable current capacity and voltage capacity
    5.
    发明申请
    ESD protection circuit with scalable current capacity and voltage capacity 审中-公开
    ESD保护电路具有可扩展的电流容量和电压容量

    公开(公告)号：US20060220138A1

    公开(公告)日：2006-10-05

    申请号：US11376139

    申请日：2006-03-16

    申请人： Volker Dudek ,  Michael Graf ,  Peter Grombach ,  Manfred Klaussner

    发明人： Volker Dudek ,  Michael Graf ,  Peter Grombach ,  Manfred Klaussner

    IPC分类号： H01L29/76

    CPC分类号： H01L27/0255

    摘要： An ESD protection circuit includes semiconductor structures as basic elements whose electrical conductivity changes in a breakdown or avalanche manner in the presence of an applied voltage which exceeds a threshold value. The ESD protection circuit has a matrix of basic elements in which a desired current capacity can be set by specifying a number of basic elements in each row, and a desired voltage capacity can be set by specifying a number of rows.

    摘要翻译： ESD保护电路包括作为基本元件的半导体结构，其在存在超过阈值的施加电压的情况下，电导率以击穿或雪崩方式变化。 ESD保护电路具有基本元件的矩阵，其中可以通过指定每行中的基本元素的数量来设置期望的电流容量，并且可以通过指定行数来设置期望的电压容量。

    ESD protection circuit for low voltages
    7.
    发明授权
    ESD protection circuit for low voltages 有权
    低电压ESD保护电路

    公开(公告)号：US08233252B2

    公开(公告)日：2012-07-31

    申请号：US11376138

    申请日：2006-03-16

    申请人： Peter Grombach ,  Manfred Klaussner

    发明人： Peter Grombach ,  Manfred Klaussner

    IPC分类号： H02H9/00

    CPC分类号： H02H9/046 ,  H01L27/0266 ,  H03K17/0822 ,  H03K17/302

    摘要： An ESD protection circuit is provided having a first field-effect transistor, which has a first drain terminal, a first source terminal and a first control terminal, and having an input network which, in the event that a first voltage present between the first drain terminal and the first source terminal crosses a threshold value, alters a second voltage that appears between the first control terminal and the first source terminal. The input network contains a second field-effect transistor, complementary to the first field-effect transistor, having a second drain terminal, a second source terminal and a second control terminal, wherein the first drain terminal is connected to the second source terminal and, through a first resistance, to the second control terminal, and the second drain terminal is connected to the first control terminal and, through a second resistance, to the first source terminal.

    摘要翻译： 提供一种ESD保护电路，其具有第一场效应晶体管，该第一场效应晶体管具有第一漏极端子，第一源极端子和第一控制端子，并且具有输入网络，在第一漏极 终端和第一源极端子跨越阈值，改变出现在第一控制端子和第一源极端子之间的第二电压。 输入网络包含与第一场效应晶体管互补的第二场效应晶体管，具有第二漏极端子，第二源极端子和第二控制端子，其中第一漏极端子连接到第二源极端子， 通过第一电阻连接到第二控制端子，并且第二漏极端子连接到第一控制端子，并且通过第二电阻连接到第一源极端子。

    ESD protection circuit for low voltages
    8.
    发明申请
    ESD protection circuit for low voltages 有权
    低电压ESD保护电路

    公开(公告)号：US20060209479A1

    公开(公告)日：2006-09-21

    申请号：US11376138

    申请日：2006-03-16

    申请人： Peter Grombach ,  Manfred Klaussner

    发明人： Peter Grombach ,  Manfred Klaussner

    IPC分类号： H02H9/00

    CPC分类号： H02H9/046 ,  H01L27/0266 ,  H03K17/0822 ,  H03K17/302

    摘要： An ESD protection circuit is provided having a first field-effect transistor, which has a first drain terminal, a first source terminal and a first control terminal, and having an input network which, in the event that a first voltage present between the first drain terminal and the first source terminal crosses a threshold value, alters a second voltage that appears between the first control terminal and the first source terminal. The input network contains a second field-effect transistor, complementary to the first field-effect transistor, having a second drain terminal, a second source terminal and a second control terminal, wherein the first drain terminal is connected to the second source terminal and, through a first resistance, to the second control terminal, and the second drain terminal is connected to the first control terminal and, through a second resistance, to the first source terminal.

    摘要翻译： 提供一种ESD保护电路，其具有第一场效应晶体管，该第一场效应晶体管具有第一漏极端子，第一源极端子和第一控制端子，并且具有输入网络，在第一漏极 终端和第一源极端子跨越阈值，改变出现在第一控制端子和第一源极端子之间的第二电压。 输入网络包含与第一场效应晶体管互补的第二场效应晶体管，具有第二漏极端子，第二源极端子和第二控制端子，其中第一漏极端子连接到第二源极端子， 通过第一电阻连接到第二控制端子，并且第二漏极端子连接到第一控制端子，并且通过第二电阻连接到第一源极端子。