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    Semiconductor Laser Light Source
    2.
    发明申请
    Semiconductor Laser Light Source 有权
    半导体激光光源

    公开(公告)号：US20130039374A1

    公开(公告)日：2013-02-14

    申请号：US13579209

    申请日：2011-03-21

    申请人： Stephan Lutgen ,  Stefan Groetsch

    发明人： Stephan Lutgen ,  Stefan Groetsch

    IPC分类号： H01S5/00

    CPC分类号： H01S5/02288 ,  G02B6/4214 ,  G02B26/0833 ,  H01L2224/48091 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4087 ,  H01S5/4093 ,  H04N9/3161 ,  H01L2924/00014

    摘要： In at least one embodiment of the semiconductor laser light source, the latter includes a carrier and at least two semiconductor lasers. The semiconductor lasers are mounted on a carrier top. The semiconductor laser light source furthermore includes at least one optical component, which is arranged downstream of at least one of the semiconductor lasers in a direction of emission. The semiconductor lasers and the optical component are housed tightly in a common enclosure by way of a cover. The dimensions of the enclosure, viewed in three orthogonal spatial directions, amount in each case to at most 8 mm×8 mm×7 mm.

    摘要翻译： 在半导体激光光源的至少一个实施例中，后者包括载体和至少两个半导体激光器。 半导体激光器安装在载体顶部。 半导体激光光源还包括至少一个光学部件，其被布置在发射方向上的至少一个半导体激光器的下游。 半导体激光器和光学部件通过盖子紧密地容纳在公共外壳中。 在三个正交的空间方向上观察的外壳的尺寸在每种情况下至多为8mm×8mm×7mm。

    Optoelectronic semiconductor element
    3.
    发明授权
    Optoelectronic semiconductor element 有权
    光电半导体元件

    公开(公告)号：US08351479B2

    公开(公告)日：2013-01-08

    申请号：US12293057

    申请日：2007-03-15

    申请人： Stephan Lutgen ,  Peter Brick ,  Tony Albrecht

    发明人： Stephan Lutgen ,  Peter Brick ,  Tony Albrecht

    IPC分类号： H01S5/183 ,  H01S5/026 ,  H01S5/04

    CPC分类号： H01S5/18388 ,  H01S3/108 ,  H01S3/109 ,  H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/141 ,  H01S5/227 ,  H01S5/4025 ,  H01S5/4031

    摘要： An optoelectronic semiconductor component has a semiconductor body (1) comprising a surface emitting vertical emitter region (2) comprising a vertical emitter layer (3), at least one pump source (4) provided for optically pumping the vertical emitter layer (3), and a radiation passage area (26) through which electromagnetic radiation (31) generated in the vertical emitter layer leaves the semiconductor body (1), wherein the pump source (4) and the vertical emitter layer (3) are at a distance from one another in a vertical direction.

    摘要翻译： 光电子半导体部件具有包括发射垂直发射极区域（2）的表面的半导体本体（1），所述表面发射垂直发射极区域包括垂直发射极层（3），设置用于光学泵浦垂直发射极层（3）的至少一个泵浦源（4） 和在垂直发射极层中产生的电磁辐射（31）离开半导体本体（1）的辐射通道区域（26），其中泵浦源（4）和垂直发射极层（3）距离一个距离 另一个在垂直方向。

    Method for production of a plurality of semiconductor chips, and a semiconductor component
    4.
    发明授权
    Method for production of a plurality of semiconductor chips, and a semiconductor component 有权
    用于制造多个半导体芯片的方法以及半导体部件

    公开(公告)号：US08178372B2

    公开(公告)日：2012-05-15

    申请号：US11541132

    申请日：2006-09-28

    申请人： Stephan Lutgen ,  Tony Albrecht ,  Wolfgang Reill

    发明人： Stephan Lutgen ,  Tony Albrecht ,  Wolfgang Reill

    IPC分类号： H01L21/78

    CPC分类号： H01S5/0425 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/641 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/02 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/041 ,  H01S5/14 ,  H01L2924/00

    摘要： A method for production of a plurality of semiconductor chips (6) in a wafer composite. A semiconductor layer sequence (2) is grown on a growth substrate (1), metallization (3) is applied to the semiconductor layer sequence (2), a metal layer (4) is electrochemically deposited onto the metallization (3), and the semiconductor layer sequence (2) is then structured and separated to form individual semiconductor chips (6). The electrochemically applied metal layer (4) is particularly suitable for use as a heat spreader, for dissipation of the heat produced by the semiconductor chips (6).

    摘要翻译： 一种用于在晶片复合材料中制造多个半导体芯片（6）的方法。 在生长衬底（1）上生长半导体层序列（2），向半导体层序列（2）施加金属化（3），金属层（4）电化学沉积到金属化层（3）上， 半导体层序列（2）然后被构造和分离以形成单独的半导体芯片（6）。 电化学施加的金属层（4）特别适合用作散热器，用于散发由半导体芯片（6）产生的热量。

    Surface emitting semiconductor body with vertical emission direction and stabilized emission wavelength
    6.
    发明授权
    Surface emitting semiconductor body with vertical emission direction and stabilized emission wavelength 有权
    具有垂直发射方向和稳定的发射波长的表面发射半导体体

    公开(公告)号：US08208512B2

    公开(公告)日：2012-06-26

    申请号：US12307120

    申请日：2007-06-28

    申请人： Peter Brick ,  Wolfgang Diehl ,  Stephan Lutgen

    发明人： Peter Brick ,  Wolfgang Diehl ,  Stephan Lutgen

    IPC分类号： H01S3/13 ,  H01S5/00

    CPC分类号： H01S5/14 ,  H01S3/109 ,  H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/068 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/18383

    摘要： A surface emitting semiconductor body with a vertical emission direction is specified, which is provided for operation with a resonator and comprises a semiconductor layer sequence with an active region, wherein the semiconductor body is embodied in wavelength-stabilizing fashion in such a way that a peak wavelength of the radiation generated in the active region, in a predetermined operating range of the semiconductor body, is stabilized with respect to changes in the output power of the radiation generated in the active region.

    摘要翻译： 规定具有垂直发射方向的表面发射半导体本体，其用于与谐振器一起工作，并且包括具有有源区的半导体层序列，其中半导体主体以波长稳定方式体现，使得峰 相对于在有源区域中产生的辐射的输出功率的变化，在半导体主体的预定操作范围内在有源区域中产生的辐射的波长稳定。

    Vertically emitting optically pumped diode laser with external resonator
    7.
    发明授权
    Vertically emitting optically pumped diode laser with external resonator 有权
    用外部谐振器垂直发射光泵浦二极管激光器

    公开(公告)号：US07522646B2

    公开(公告)日：2009-04-21

    申请号：US10745378

    申请日：2003-12-22

    申请人： Peter Brick ,  Stephan Lutgen ,  Norbert Linder

    发明人： Peter Brick ,  Stephan Lutgen ,  Norbert Linder

    IPC分类号： H01S5/00

    CPC分类号： H01S5/183 ,  H01S5/028 ,  H01S5/041 ,  H01S5/141

    摘要： A vertically emitting semiconductor laser with an external resonator, a semiconductor body (1) in which a quantum well structure (4) is located as active zone that includes quantum wells (6) and barrier layers (5) situated therebetween, and at least one pumping radiation source (9) for irradiating into the active zone at an incidence angle αp pumping radiation (10) of wavelength λp. The wavelength λp and the incidence angle αp of the pumping radiation are selected in such a way that the absorption of the pumping radiation takes place substantially inside the quantum wells. This avoids the losses during the capture of charge carriers from the barrier layers into the quantum wells that occur in the case of optically pumped semiconductor lasers where the pumping radiation is absorbed in the barrier layers. Also specified are advantageous refinements of the semiconductor body and combinations for incidence angle and wavelength of the pumping radiation source that permit a particularly effective optical pumping process of the quantum wells.

    摘要翻译： 一种具有外部谐振器的垂直发射半导体激光器，其中量子阱结构（4）位于其中的量子阱（6）和位于其间的阻挡层（5）的有源区的半导体本体（1）和至少一个 泵浦辐射源（9），用于以波长兰波特的入射角alphap泵浦辐射（10）照射到有源区域中。 泵浦辐射的波长羔羊和入射角alphap以这样的方式选择，使得泵浦辐射的吸收基本上在量子阱内部发生。 这避免了在从泵浦辐射被吸收在阻挡层中的光泵浦半导体激光器的情况下，从阻挡层捕获到电荷载流子到量子阱期间的损耗。 还规定了半导体主体的有利改进以及允许量子阱的特别有效的光泵浦过程的泵浦辐射源的入射角和波长的组合。

    Edge-emitting semiconductor laser
    9.
    发明授权
    Edge-emitting semiconductor laser 有权
    边缘发射半导体激光器

    公开(公告)号：US08331411B2

    公开(公告)日：2012-12-11

    申请号：US13255632

    申请日：2010-04-22

    申请人： Marc Schillgalies ,  Stephan Lutgen ,  Uwe Strauss

    发明人： Marc Schillgalies ,  Stephan Lutgen ,  Uwe Strauss

    IPC分类号： H01S5/00

    CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0281 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34 ,  H01S2301/185 ,  H01L2924/00014

    摘要： The invention relates to an edge-emitting semiconductor laser comprising a semiconductor body (10), which comprises a waveguide region (4), wherein the waveguide region (4) comprises a first waveguide layer (2A), a second waveguide layer (2B) and an active layer (3) arranged between the first waveguide layer (2A) and the second waveguide layer (2B) and serving for generating laser radiation (5), and the waveguide region (4) is arranged between a first cladding layer (1A) and a second cladding layer (1B) disposed downstream of the waveguide region (4) in the growth direction of the semiconductor body (10). The waveguide region (4) has a thickness d of 400 nm or less, and an emission angle of the laser radiation (5) emerging from the semiconductor body (10) in a direction parallel to the layer plane of the active layer (3) and the emission angle of the laser radiation (5) emerging from the semiconductor body (10) in a direction perpendicular to the layer plane of the active layer (3) differ from one another by less than a factor of 3.

    摘要翻译： 本发明涉及一种包括半导体本体（10）的边缘发射半导体激光器，其包括波导区域（4），其中波导区域（4）包括第一波导层（2A），第二波导层（2B） 以及布置在所述第一波导层（2A）和所述第二波导层（2B）之间并用于产生激光辐射（5）的有源层（3），并且所述波导区域（4）布置在第一包层 ）和在半导体本体（10）的生长方向上设置在波导区域（4）的下游的第二包覆层（1B）。 波导区域（4）的厚度d为400nm以下，从与半导体本体（10）平行的方向与激活层（3）的层面平行的方向的激光辐射（5）的发射角度， 并且在垂直于有源层（3）的层平面的方向上从半导体本体（10）出射的激光辐射（5）的发射角彼此相差小于3倍。

    Surface Emitting Semiconductor Body with Vertical Emission Direction and Stabilized Emission Wavelength
    10.
    发明申请
    Surface Emitting Semiconductor Body with Vertical Emission Direction and Stabilized Emission Wavelength 有权
    具有垂直发射方向和稳定发射波长的表面发射半导体体

    公开(公告)号：US20100014549A1

    公开(公告)日：2010-01-21

    申请号：US12307120

    申请日：2007-06-28

    申请人： Peter Brick ,  Wolfgang Diehl ,  Stephan Lutgen

    发明人： Peter Brick ,  Wolfgang Diehl ,  Stephan Lutgen

    IPC分类号： H01S5/183

    CPC分类号： H01S5/14 ,  H01S3/109 ,  H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/068 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/18383

    摘要： A surface emitting semiconductor body with a vertical emission direction is specified, which is provided for operation with a resonator and comprises a semiconductor layer sequence with an active region, wherein the semiconductor body is embodied in wavelength-stabilizing fashion in such a way that a peak wavelength of the radiation generated in the active region, in a predetermined operating range of the semiconductor body, is stabilized with respect to changes in the output power of the radiation generated in the active region.

    摘要翻译： 规定具有垂直发射方向的表面发射半导体本体，其用于与谐振器一起工作，并且包括具有有源区的半导体层序列，其中半导体主体以波长稳定方式体现，使得峰 相对于在有源区域中产生的辐射的输出功率的变化，在半导体主体的预定操作范围内在有源区域中产生的辐射的波长稳定。