公开(公告)号：US20080296657A1

公开(公告)日：2008-12-04

申请号：US12128078

申请日：2008-05-28

申请人： Suk-Kang Sung ,  Choong-Ho Lee ,  Sang-wook Lim ,  Dong-Uk Choi ,  Hee-Soo Kang ,  Kyu-Charn Park

发明人： Suk-Kang Sung ,  Choong-Ho Lee ,  Sang-wook Lim ,  Dong-Uk Choi ,  Hee-Soo Kang ,  Kyu-Charn Park

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324

摘要： A non-volatile memory device includes a substrate and a tunnel insulation layer pattern, such that each portion of the tunnel insulation pattern extends along a first direction and adjacent portions of the tunnel insulation layer pattern may be separated in a second direction that is substantially perpendicular to the first direction. A non-volatile memory device may include a gate structure formed on the tunnel insulation layer pattern. The gate structure may include a floating gate formed on the tunnel insulation layer pattern along the second direction, a first conductive layer pattern formed on the floating gate in the second direction, a dielectric layer pattern formed on the first conductive layer pattern along the second direction, and a control gate formed on the dielectric layer pattern in the second direction.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括衬底和隧道绝缘层图案，使得隧道绝缘图案的每个部分沿着第一方向延伸，并且隧道绝缘层图案的相邻部分可以在基本垂直的第二方向上分离 到第一个方向。 非易失性存储器件可以包括形成在隧道绝缘层图案上的栅极结构。 栅极结构可以包括沿着第二方向形成在隧道绝缘层图案上的浮动栅极，在第二方向上形成在浮置栅极上的第一导电层图案，沿着第二方向形成在第一导电层图案上的电介质层图案 以及在第二方向上形成在电介质层图案上的控制栅极。

公开(公告)号：US08120091B2

公开(公告)日：2012-02-21

申请号：US12128078

申请日：2008-05-28

申请人： Suk-Kang Sung ,  Choong-Ho Lee ,  Sang-wook Lim ,  Dong-Uk Choi ,  Hee-Soo Kang ,  Kyu-Charn Park

发明人： Suk-Kang Sung ,  Choong-Ho Lee ,  Sang-wook Lim ,  Dong-Uk Choi ,  Hee-Soo Kang ,  Kyu-Charn Park

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324

摘要： A non-volatile memory device includes a substrate and a tunnel insulation layer pattern, such that each portion of the tunnel insulation pattern extends along a first direction and adjacent portions of the tunnel insulation layer pattern may be separated in a second direction that is substantially perpendicular to the first direction. A non-volatile memory device may include a gate structure formed on the tunnel insulation layer pattern. The gate structure may include a floating gate formed on the tunnel insulation layer pattern along the second direction, a first conductive layer pattern formed on the floating gate in the second direction, a dielectric layer pattern formed on the first conductive layer pattern along the second direction, and a control gate formed on the dielectric layer pattern in the second direction.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括衬底和隧道绝缘层图案，使得隧道绝缘图案的每个部分沿着第一方向延伸，并且隧道绝缘层图案的相邻部分可以在基本垂直的第二方向上分离 到第一个方向。 非易失性存储器件可以包括形成在隧道绝缘层图案上的栅极结构。 栅极结构可以包括沿着第二方向形成在隧道绝缘层图案上的浮动栅极，在第二方向上形成在浮置栅极上的第一导电层图案，沿着第二方向形成在第一导电层图案上的电介质层图案 以及在第二方向上形成在电介质层图案上的控制栅极。

公开(公告)号：US08455344B2

公开(公告)日：2013-06-04

申请号：US13238084

申请日：2011-09-21

申请人： Suk-Kang Sung ,  Choong-Ho Lee ,  Dong-Uk Choi ,  Hee-Soo Kang

发明人： Suk-Kang Sung ,  Choong-Ho Lee ,  Dong-Uk Choi ,  Hee-Soo Kang

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L27/11568

摘要： A non-volatile memory device includes field insulating layer patterns on a substrate to define an active region of the substrate, upper portions of the field insulating layer patterns protruding above an upper surface of the substrate, a tunnel insulating layer on the active region, a charge trapping layer on the tunnel insulating layer, a blocking layer on the charge trapping layer, first insulating layers on upper surfaces of the field insulating layer patterns, and a word line structure on the blocking layer and first insulating layers.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括在衬底上的场绝缘层图案，以限定衬底的有源区，场绝缘层图案的上部突出在衬底的上表面上，在有源区上的隧道绝缘层， 隧道绝缘层上的电荷俘获层，电荷俘获层上的阻挡层，场绝缘层图案的上表面上的第一绝缘层，以及阻挡层和第一绝缘层上的字线结构。

公开(公告)号：US20120015512A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：US13238084

申请日：2011-09-21

申请人： Suk-Kang SUNG ,  Choong-Ho Lee ,  Dong-Uk Choi ,  Hee-Soo Kang

发明人： Suk-Kang SUNG ,  Choong-Ho Lee ,  Dong-Uk Choi ,  Hee-Soo Kang

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L27/11568

摘要： A non-volatile memory device includes field insulating layer patterns on a substrate to define an active region of the substrate, upper portions of the field insulating layer patterns protruding above an upper surface of the substrate, a tunnel insulating layer on the active region, a charge trapping layer on the tunnel insulating layer, a blocking layer on the charge trapping layer, first insulating layers on upper surfaces of the field insulating layer patterns, and a word line structure on the blocking layer and first insulating layers.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括在衬底上的场绝缘层图案，以限定衬底的有源区，场绝缘层图案的上部突出在衬底的上表面上，在有源区上的隧道绝缘层， 隧道绝缘层上的电荷俘获层，电荷俘获层上的阻挡层，场绝缘层图案的上表面上的第一绝缘层，以及阻挡层和第一绝缘层上的字线结构。

公开(公告)号：US20090166714A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：US12318451

申请日：2008-12-30

申请人： Suk-Kang Sung ,  Choong-Ho Lee ,  Dong-Uk Choi ,  Hee-Soo Kang

发明人： Suk-Kang Sung ,  Choong-Ho Lee ,  Dong-Uk Choi ,  Hee-Soo Kang

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L27/11568

摘要： A non-volatile memory device includes field insulating layer patterns on a substrate to define an active region of the substrate, upper portions of the field insulating layer patterns protruding above an upper surface of the substrate, a tunnel insulating layer on the active region, a charge trapping layer on the tunnel insulating layer, a blocking layer on the charge trapping layer, first insulating layers on upper surfaces of the field insulating layer patterns, and a word line structure on the blocking layer and first insulating layers.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括在衬底上的场绝缘层图案，以限定衬底的有源区，场绝缘层图案的上部突出在衬底的上表面上，在有源区上的隧道绝缘层， 隧道绝缘层上的电荷俘获层，电荷俘获层上的阻挡层，场绝缘层图案的上表面上的第一绝缘层，以及阻挡层和第一绝缘层上的字线结构。

公开(公告)号：US08044453B2

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US12318451

申请日：2008-12-30

申请人： Suk-Kang Sung ,  Choong-Ho Lee ,  Dong-Uk Choi ,  Hee-Soo Kang

发明人： Suk-Kang Sung ,  Choong-Ho Lee ,  Dong-Uk Choi ,  Hee-Soo Kang

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L27/11568

摘要： A non-volatile memory device includes field insulating layer patterns on a substrate to define an active region of the substrate, upper portions of the field insulating layer patterns protruding above an upper surface of the substrate, a tunnel insulating layer on the active region, a charge trapping layer on the tunnel insulating layer, a blocking layer on the charge trapping layer, first insulating layers on upper surfaces of the field insulating layer patterns, and a word line structure on the blocking layer and first insulating layers.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括在衬底上的场绝缘层图案，以限定衬底的有源区，场绝缘层图案的上部突出在衬底的上表面上，在有源区上的隧道绝缘层， 隧道绝缘层上的电荷俘获层，电荷俘获层上的阻挡层，场绝缘层图案的上表面上的第一绝缘层，以及阻挡层和第一绝缘层上的字线结构。

公开(公告)号：US20110076812A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：US12959814

申请日：2010-12-03

申请人： Choong-Ho LEE ,  Hee-Soo Kang ,  Kyu-Charn Park

发明人： Choong-Ho LEE ,  Hee-Soo Kang ,  Kyu-Charn Park

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L21/823412 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/792 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a first substrate, a plurality of cell transistors and a second substrate. The first substrate has a first surface and a second surface opposite to the first surface. The plurality of cell transistors is formed extending on the first surface of the first substrate in a direction. The second substrate has an upper surface making contact with the second surface of the first substrate. Further, the upper surface of the second substrate has a bent structure to apply tensile stresses to the first substrate in the extending direction of the plurality of cell transistors. Thus, tensile stresses may be applied to the first substrate to improve the mobility of carriers in a channel region of the cell transistors.

摘要翻译： 半导体器件包括第一衬底，多个单元晶体管和第二衬底。 第一基板具有与第一表面相对的第一表面和第二表面。 多个单元晶体管形成在第一基板的第一表面上沿一个方向延伸。 第二基板具有与第一基板的第二表面接触的上表面。 此外，第二基板的上表面具有弯曲结构，以在多个单元晶体管的延伸方向上向第一基板施加拉伸应力。 因此，可以向第一衬底施加拉伸应力以改善电池晶体管的沟道区域中载流子的迁移率。

公开(公告)号：US07868467B2

公开(公告)日：2011-01-11

申请号：US12167875

申请日：2008-07-03

申请人： Choong-Ho Lee ,  Hee-Soo Kang ,  Kyu-Charn Park

发明人： Choong-Ho Lee ,  Hee-Soo Kang ,  Kyu-Charn Park

IPC分类号： H01L29/40

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L21/823412 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/792 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a first substrate, a plurality of cell transistors and a second substrate. The first substrate has a first surface and a second surface opposite to the first surface. The plurality of cell transistors is formed extending on the first surface of the first substrate in a direction. The second substrate has an upper surface making contact with the second surface of the first substrate. Further, the upper surface of the second substrate has a bent structure to apply tensile stresses to the first substrate in the extending direction of the plurality of cell transistors. Thus, tensile stresses may be applied to the first substrate to improve the mobility of carriers in a channel region of the cell transistors.

摘要翻译： 半导体器件包括第一衬底，多个单元晶体管和第二衬底。 第一基板具有与第一表面相对的第一表面和第二表面。 多个单元晶体管形成在第一基板的第一表面上沿一个方向延伸。 第二基板具有与第一基板的第二表面接触的上表面。 此外，第二基板的上表面具有弯曲结构，以在多个单元晶体管的延伸方向上向第一基板施加拉伸应力。 因此，可以向第一衬底施加拉伸应力以改善电池晶体管的沟道区域中载流子的迁移率。

公开(公告)号：US07936600B2

公开(公告)日：2011-05-03

申请号：US12141249

申请日：2008-06-18

申请人： Hee-Soo Kang ,  Choong-Ho Lee ,  Dong-Uk Choi

发明人： Hee-Soo Kang ,  Choong-Ho Lee ,  Dong-Uk Choi

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/11524

摘要： Methods of programming data in a non-volatile memory cell are provided. A memory cell according to some embodiments may include a gate structure that includes a tunnel oxide layer pattern, a floating gate, a dielectric layer and a control gate sequentially stacked on a substrate, impurity regions that are formed in the substrate at both sides of the gate structure, and a conductive layer pattern that is arranged spaced apart from and facing the floating gate. Embodiments of such methods may include applying a programming voltage to the control gate, grounding the impurity regions and applying a fringe voltage to the conductive layer pattern to generate a fringe field in the floating gate.

摘要翻译： 提供了在非易失性存储单元中编程数据的方法。 根据一些实施例的存储器单元可以包括栅极结构，其包括隧道氧化物层图案，浮动栅极，电介质层和顺序堆叠在衬底上的控制栅极，杂质区域形成在衬底的两侧的衬底中 栅极结构以及与浮动栅极间隔开并面对浮栅的导电层图案。 这种方法的实施例可以包括将编程电压施加到控制栅极，使杂质区域接地并且向导电层图案施加边缘电压以在浮动栅极中产生边缘场。

公开(公告)号：US20090180317A1

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：US12416477

申请日：2009-04-01

申请人： Hee-Soo Kang ,  Dong-Uk Choi ,  Choong-Ho Lee ,  Sang-Gu Kang

发明人： Hee-Soo Kang ,  Dong-Uk Choi ,  Choong-Ho Lee ,  Sang-Gu Kang

IPC分类号： G11C16/06

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C16/0483

摘要： A non-volatile memory device includes a selection transistor coupled to a bit line. The device also includes a plurality of memory cells serially coupled to the selection transistor and at least one dummy cell located between the plurality of memory cells. The dummy cell is turned off during a programming operation of a memory cell located between the dummy cell and the selection transistor.

摘要翻译： 非挥发性存储器件包括耦合到位线的选择晶体管。 该装置还包括串联耦合到选择晶体管的多个存储单元和位于多个存储单元之间的至少一个虚拟单元。 在位于虚设单元和选择晶体管之间的存储单元的编程操作期间，虚设单元关闭。