公开(公告)号：US20120241881A1

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：US13310154

申请日：2011-12-02

申请人： Tadaomi DAIBOU ,  Junichi Ito ,  Tadashi Kai ,  Minoru Amano ,  Hiroaki Yoda ,  Terunobu Miyazaki ,  Shigemi Mizukami ,  Koji Ando ,  Kay Yakushiji ,  Shinji Yuasa ,  Hitoshi Kubota ,  Akio Fukushima ,  Taro Nagahama ,  Takahide Kubota

发明人： Tadaomi DAIBOU ,  Junichi Ito ,  Tadashi Kai ,  Minoru Amano ,  Hiroaki Yoda ,  Terunobu Miyazaki ,  Shigemi Mizukami ,  Koji Ando ,  Kay Yakushiji ,  Shinji Yuasa ,  Hitoshi Kubota ,  Akio Fukushima ,  Taro Nagahama ,  Takahide Kubota

IPC分类号： H01L43/10

CPC分类号： H01L43/10 ,  H01L23/528 ,  H01L27/222 ,  H01L27/226 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A magnetoresistive element according to an embodiment includes: a base layer; a first magnetic layer formed on the base layer, and including a first magnetic film having an axis of easy magnetization in a direction perpendicular to a film plane, the first magnetic film including MnxGa100-x (45≦x

摘要翻译： 根据实施例的磁阻元件包括：基底层; 第一磁性层，其形成在所述基底层上，并且包括在垂直于膜平面的方向上具有容易磁化的轴的第一磁性膜，所述第一磁性膜包括Mn x Ga 100-x（45≤n1E; x <64原子％）; 形成在第一磁性层上的第一非磁性层; 以及形成在所述第一非磁性层上的第二磁性层，并且包括在垂直于膜平面的方向上具有容易磁化的轴的第二磁性膜，所述第二磁性膜包括MnyGa100-y（45＆lt; IL1; y <64原子％）， 。 第一和第二磁性层包括彼此不同的Mn组成比，第一磁性层的磁化方向可以通过第一非磁性层在第一磁性层和第二磁性层之间流动的电流而改变。

公开(公告)号：US08680632B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13310154

申请日：2011-12-02

申请人： Tadaomi Daibou ,  Junichi Ito ,  Tadashi Kai ,  Minoru Amano ,  Hiroaki Yoda ,  Terunobu Miyazaki ,  Shigemi Mizukami ,  Koji Ando ,  Kay Yakushiji ,  Shinji Yuasa ,  Hitoshi Kubota ,  Akio Fukushima ,  Taro Nagahama ,  Takahide Kubota

发明人： Tadaomi Daibou ,  Junichi Ito ,  Tadashi Kai ,  Minoru Amano ,  Hiroaki Yoda ,  Terunobu Miyazaki ,  Shigemi Mizukami ,  Koji Ando ,  Kay Yakushiji ,  Shinji Yuasa ,  Hitoshi Kubota ,  Akio Fukushima ,  Taro Nagahama ,  Takahide Kubota

IPC分类号： H01L29/82 ,  G11C11/00

CPC分类号： H01L43/10 ,  H01L23/528 ,  H01L27/222 ,  H01L27/226 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A magnetoresistive element according to an embodiment includes: a base layer; a first magnetic layer formed on the base layer, and including a first magnetic film having an axis of easy magnetization in a direction perpendicular to a film plane, the first magnetic film including MnxGa100-x (45≦x

摘要翻译： 根据实施例的磁阻元件包括：基底层; 第一磁性层，其形成在所述基底层上，并且包括在垂直于膜平面的方向上具有容易磁化的轴的第一磁性膜，所述第一磁性膜包括Mn x Ga 100-x（45≤n1E; x <64原子％）; 形成在第一磁性层上的第一非磁性层; 以及形成在所述第一非磁性层上的第二磁性层，并且包括在垂直于膜平面的方向上具有容易磁化的轴的第二磁性膜，所述第二磁性膜包括MnyGa100-y（45＆lt; IL1; y <64原子％）， 。 第一和第二磁性层包括彼此不同的Mn组成比，第一磁性层的磁化方向可以通过第一非磁性层在第一磁性层和第二磁性层之间流动的电流而改变。

公开(公告)号：US20120069640A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13232782

申请日：2011-09-14

申请人： Toshihiko Nagase ,  Tadashi Kai ,  Makoto Nagamine ,  Katsuya Nishiyama ,  Eiji Kitagawa ,  Tadaomi Daibou ,  Koji Ueda ,  Hiroaki Yoda ,  Kay Yakushiji ,  Shinji Yuasa ,  Hitoshi Kubota ,  Taro Nagahama ,  Akio Fukushima ,  Koji Ando

发明人： Toshihiko Nagase ,  Tadashi Kai ,  Makoto Nagamine ,  Katsuya Nishiyama ,  Eiji Kitagawa ,  Tadaomi Daibou ,  Koji Ueda ,  Hiroaki Yoda ,  Kay Yakushiji ,  Shinji Yuasa ,  Hitoshi Kubota ,  Taro Nagahama ,  Akio Fukushima ,  Koji Ando

IPC分类号： G11C11/16

CPC分类号： H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： A magnetoresistive element according to an embodiment includes: a first and second magnetic layers having an easy axis of magnetization in a direction perpendicular to a film plane; and a first nonmagnetic layer interposed between the first and second magnetic layers, at least one of the first and second magnetic layers including a structure formed by stacking a first and second magnetic films, the second magnetic film being located closer to the first nonmagnetic layer, the second magnetic film including a structure formed by repeating stacking of a magnetic material layer and a nonmagnetic material layer at least twice, the nonmagnetic material layers of the second magnetic film containing at least one element selected from the group consisting of Ta, W, Hf, Zr, Nb, Mo, Ti, V, and Cr, one of the first and second magnetic layers having a magnetization direction that is changed by applying a current.

摘要翻译： 根据实施例的磁阻元件包括：在垂直于膜平面的方向上具有易磁化轴的第一和第二磁性层; 以及介于所述第一和第二磁性层之间的第一非磁性层，所述第一和第二磁性层中的至少一个包括通过堆叠第一和第二磁性膜形成的结构，所述第二磁性膜位于更靠近所述第一非磁性层的位置， 所述第二磁性膜包括通过将磁性材料层和非磁性材料层重复堆叠至少两次形成的结构，所述第二磁性膜的非磁性材料层含有选自Ta，W，Hf中的至少一种元素 ，Zr，Nb，Mo，Ti，V和Cr中的一种，所述第一和第二磁性层之一具有通过施加电流而改变的磁化方向。

公开(公告)号：US08705269B2

公开(公告)日：2014-04-22

申请号：US13232782

申请日：2011-09-14

申请人： Toshihiko Nagase ,  Tadashi Kai ,  Makoto Nagamine ,  Katsuya Nishiyama ,  Eiji Kitagawa ,  Tadaomi Daibou ,  Koji Ueda ,  Hiroaki Yoda ,  Kay Yakushiji ,  Shinji Yuasa ,  Hitoshi Kubota ,  Taro Nagahama ,  Akio Fukushima ,  Koji Ando

发明人： Toshihiko Nagase ,  Tadashi Kai ,  Makoto Nagamine ,  Katsuya Nishiyama ,  Eiji Kitagawa ,  Tadaomi Daibou ,  Koji Ueda ,  Hiroaki Yoda ,  Kay Yakushiji ,  Shinji Yuasa ,  Hitoshi Kubota ,  Taro Nagahama ,  Akio Fukushima ,  Koji Ando

IPC分类号： G11C11/16

CPC分类号： H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： A magnetoresistive element according to an embodiment includes: a first and second magnetic layers having an easy axis of magnetization in a direction perpendicular to a film plane; and a first nonmagnetic layer interposed between the first and second magnetic layers, at least one of the first and second magnetic layers including a structure formed by stacking a first and second magnetic films, the second magnetic film being located closer to the first nonmagnetic layer, the second magnetic film including a structure formed by repeating stacking of a magnetic material layer and a nonmagnetic material layer at least twice, the nonmagnetic material layers of the second magnetic film containing at least one element selected from the group consisting of Ta, W, Hf, Zr, Nb, Mo, Ti, V, and Cr, one of the first and second magnetic layers having a magnetization direction that is changed by applying a current.

摘要翻译： 根据实施例的磁阻元件包括：在垂直于膜平面的方向上具有易磁化轴的第一和第二磁性层; 以及介于所述第一和第二磁性层之间的第一非磁性层，所述第一和第二磁性层中的至少一个包括通过堆叠第一和第二磁性膜形成的结构，所述第二磁性膜位于更靠近所述第一非磁性层的位置， 所述第二磁性膜包括通过将磁性材料层和非磁性材料层重复堆叠至少两次形成的结构，所述第二磁性膜的非磁性材料层含有选自Ta，W，Hf中的至少一种元素 ，Zr，Nb，Mo，Ti，V和Cr中的一种，所述第一和第二磁性层之一具有通过施加电流而改变的磁化方向。

公开(公告)号：US08502331B2

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：US13234720

申请日：2011-09-16

申请人： Eiji Kitagawa ,  Tadaomi Daibou ,  Yutaka Hashimoto ,  Masaru Tokou ,  Tadashi Kai ,  Makoto Nagamine ,  Toshihiko Nagase ,  Katsuya Nishiyama ,  Koji Ueda ,  Hiroaki Yoda ,  Kay Yakushiji ,  Shinji Yuasa ,  Hitoshi Kubota ,  Taro Nagahama ,  Akio Fukushima ,  Koji Ando

发明人： Eiji Kitagawa ,  Tadaomi Daibou ,  Yutaka Hashimoto ,  Masaru Tokou ,  Tadashi Kai ,  Makoto Nagamine ,  Toshihiko Nagase ,  Katsuya Nishiyama ,  Koji Ueda ,  Hiroaki Yoda ,  Kay Yakushiji ,  Shinji Yuasa ,  Hitoshi Kubota ,  Taro Nagahama ,  Akio Fukushima ,  Koji Ando

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L43/10 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/133 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/307 ,  H01L27/228 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive effect element includes a first magnetic layer including perpendicular anisotropy to a film surface and an invariable magnetization direction, the first magnetic layer having a magnetic film including an element selected from a first group including Tb, Gd, and Dy and an element selected from a second group including Co and Fe, a second magnetic layer including perpendicular magnetic anisotropy to the film surface and a variable magnetization direction, and a nonmagnetic layer between the first magnetic layer and the second magnetic layer. The magnetic film includes amorphous phases and crystals whose particle sizes are 0.5 nm or more.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻效应元件包括第一磁性层，其包括对膜表面的垂直各向异性和不变的磁化方向，第一磁性层具有包括从包括Tb，Gd和Dy的第一组中选择的元素的磁性膜 以及从包括Co和Fe的第二组中选择的元素，对膜表面具有垂直磁各向异性的第二磁性层和可变磁化方向，以及在第一磁性层和第二磁性层之间的非磁性层。 磁性膜包括非晶相和粒径为0.5nm以上的晶体。

公开(公告)号：US20120068285A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13234720

申请日：2011-09-16

申请人： Eiji KITAGAWA ,  Tadaomi Daibou ,  Yutaka Hashimoto ,  Masaru Tokou ,  Tadashi Kai ,  Makoto Nagamine ,  Toshihiko Nagase ,  Katsuya Nishiyama ,  Koji Ueda ,  Hiroaki Yoda ,  Kay Yakushiji ,  Shinji Yuasa ,  Hitoshi Kubota ,  Taro Nagahama ,  Akio Fukushima ,  Koji Ando

发明人： Eiji KITAGAWA ,  Tadaomi Daibou ,  Yutaka Hashimoto ,  Masaru Tokou ,  Tadashi Kai ,  Makoto Nagamine ,  Toshihiko Nagase ,  Katsuya Nishiyama ,  Koji Ueda ,  Hiroaki Yoda ,  Kay Yakushiji ,  Shinji Yuasa ,  Hitoshi Kubota ,  Taro Nagahama ,  Akio Fukushima ,  Koji Ando

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L43/10 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/133 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/307 ,  H01L27/228 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive effect element includes a first magnetic layer including perpendicular anisotropy to a film surface and an invariable magnetization direction, the first magnetic layer having a magnetic film including an element selected from a first group including Tb, Gd, and Dy and an element selected from a second group including Co and Fe, a second magnetic layer including perpendicular magnetic anisotropy to the film surface and a variable magnetization direction, and a nonmagnetic layer between the first magnetic layer and the second magnetic layer. The magnetic film includes amorphous phases and crystals whose particle sizes are 0.5 nm or more.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻效应元件包括第一磁性层，其包括对膜表面的垂直各向异性和不变的磁化方向，第一磁性层具有包括从包括Tb，Gd和Dy的第一组中选择的元素的磁性膜 以及从包括Co和Fe的第二组中选择的元素，对膜表面具有垂直磁各向异性的第二磁性层和可变磁化方向，以及在第一磁性层和第二磁性层之间的非磁性层。 磁性膜包括非晶相和粒径为0.5nm以上的晶体。

公开(公告)号：US20090224342A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：US12248484

申请日：2008-10-09

申请人： Masahiko NAKAYAMA ,  Kay Yakushiji ,  Sumio Ikegawa ,  Shinji Yuasa ,  Tadashi Kai ,  Toshihiko Nagase ,  Minoru Amano ,  Hisanori Aikawa ,  Tatsuya Kishi ,  Hiroaki Yoda

发明人： Masahiko NAKAYAMA ,  Kay Yakushiji ,  Sumio Ikegawa ,  Shinji Yuasa ,  Tadashi Kai ,  Toshihiko Nagase ,  Minoru Amano ,  Hisanori Aikawa ,  Tatsuya Kishi ,  Hiroaki Yoda

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L27/228 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/15 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/123 ,  H01F10/325 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01L43/08

摘要： A magnetoresistive effect element includes a reference layer, a recording layer, and a nonmagnetic layer. The reference layer is made of a magnetic material, has an invariable magnetization which is perpendicular to a film surface. The recording layer is made of a magnetic material, has a variable magnetization which is perpendicular to the film surface. The nonmagnetic layer is arranged between the reference layer and the recording layer. A critical diameter which is determined by magnetic anisotropy, saturation magnetization, and switched connection of the recording layer and has a single-domain state as a unique stable state or a critical diameter which has a single-domain state as a unique stable state and is inverted while keeping the single-domain state in an inverting process is larger than an element diameter of the magnetoresistive effect element.

摘要翻译： 磁阻效应元件包括参考层，记录层和非磁性层。 参考层由磁性材料制成，具有垂直于膜表面的不变磁化。 记录层由磁性材料制成，具有垂直于膜表面的可变磁化强度。 非磁性层布置在参考层和记录层之间。 临界直径由磁各向异性，饱和磁化强度和记录层的开关连接确定，并且具有作为独特稳定状态的单畴状态或具有单域状态作为唯一稳定状态的临界直径，并且是 在反转过程中保持单畴状态的反转大于磁阻效应元件的元件直径。

公开(公告)号：US08378437B2

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US12248484

申请日：2008-10-09

申请人： Masahiko Nakayama ,  Kay Yakushiji ,  Sumio Ikegawa ,  Shinji Yuasa ,  Tadashi Kai ,  Toshihiko Nagase ,  Minoru Amano ,  Hisanori Aikawa ,  Tatsuya Kishi ,  Hiroaki Yoda

发明人： Masahiko Nakayama ,  Kay Yakushiji ,  Sumio Ikegawa ,  Shinji Yuasa ,  Tadashi Kai ,  Toshihiko Nagase ,  Minoru Amano ,  Hisanori Aikawa ,  Tatsuya Kishi ,  Hiroaki Yoda

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L27/228 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/15 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/123 ,  H01F10/325 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01L43/08

摘要： A magnetoresistive effect element includes a reference layer, a recording layer, and a nonmagnetic layer. The reference layer is made of a magnetic material, has an invariable magnetization which is perpendicular to a film surface. The recording layer is made of a magnetic material, has a variable magnetization which is perpendicular to the film surface. The nonmagnetic layer is arranged between the reference layer and the recording layer. A critical diameter which is determined by magnetic anisotropy, saturation magnetization, and switched connection of the recording layer and has a single-domain state as a unique stable state or a critical diameter which has a single-domain state as a unique stable state and is inverted while keeping the single-domain state in an inverting process is larger than an element diameter of the magnetoresistive effect element.

摘要翻译： 磁阻效应元件包括参考层，记录层和非磁性层。 参考层由磁性材料制成，具有垂直于膜表面的不变磁化。 记录层由磁性材料制成，具有垂直于膜表面的可变磁化强度。 非磁性层布置在参考层和记录层之间。 临界直径由磁各向异性，饱和磁化强度和记录层的开关连接确定，并且具有作为独特稳定状态的单畴状态或具有单域状态作为唯一稳定状态的临界直径，并且是 在反转过程中保持单畴状态的反转大于磁阻效应元件的元件直径。

公开(公告)号：US20100131578A1

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：US12452012

申请日：2008-03-24

申请人： Akio Fukushima ,  Hitoshi Kubota ,  Kay Yakushiji ,  Shinji Yuasa ,  Koji Ando

发明人： Akio Fukushima ,  Hitoshi Kubota ,  Kay Yakushiji ,  Shinji Yuasa ,  Koji Ando

IPC分类号： G06F7/58

CPC分类号： G06F7/588

摘要： A random number generating device is constructed such that it has improved random number generation rate and allows for construction of compact circuit with ease.The random number generating device includes a magnetoresistive element that has three layers consisting of a magnetization free layer, an interlayer, and a magnetization fixed layer, and has at least two resistance values depending on arrangement of magnetization in the magnetization free layer and the magnetization fixed layer, wherein the magnetoresistive element is subjected to be applied with a magnetization current so that the inversion probability of the magnetization free layer assumes a value between 0 and 1, through which the resistance value of the magnetoresistive element is extracted as random numbers.

摘要翻译： 构造随机数生成装置，使其具有改善的随机数生成速率并且容易地构造紧凑电路。 该随机数生成装置包括具有由磁化自由层，中间层和磁化固定层构成的三层的磁致电阻元件，并且具有取决于磁化自由层的磁化排列和磁化固定的至少两个电阻值 层，其中磁阻元件经受施加磁化电流，使得磁化自由层的反转概率为0和1之间的值，磁阻元件的电阻值通过该值提取为随机数。

公开(公告)号：US08521795B2

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：US12452012

申请日：2008-03-24

申请人： Akio Fukushima ,  Hitoshi Kubota ,  Kay Yakushiji ,  Shinji Yuasa ,  Koji Ando

发明人： Akio Fukushima ,  Hitoshi Kubota ,  Kay Yakushiji ,  Shinji Yuasa ,  Koji Ando

IPC分类号： G06F7/58

CPC分类号： G06F7/588

摘要： A random number generating device is constructed such that it has improved random number generation rate and allows for construction of compact circuit with ease.The random number generating device includes a magnetoresistive element that has three layers consisting of a magnetization free layer, an interlayer, and a magnetization fixed layer, and has at least two resistance values depending on arrangement of magnetization in the magnetization free layer and the magnetization fixed layer, wherein the magnetoresistive element is subjected to be applied with a magnetization current so that the inversion probability of the magnetization free layer assumes a value between 0 and 1, through which the resistance value of the magnetoresistive element is extracted as random numbers.

摘要翻译： 构造随机数生成装置，使其具有改善的随机数生成速率并且容易地构造紧凑电路。 该随机数生成装置包括具有由磁化自由层，中间层和磁化固定层构成的三层的磁致电阻元件，并且具有取决于磁化自由层的磁化排列和磁化固定的至少两个电阻值 层，其中磁阻元件经受施加磁化电流，使得磁化自由层的反转概率为0和1之间的值，磁阻元件的电阻值通过该值提取为随机数。