公开(公告)号：US20100209849A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：US12708196

申请日：2010-02-18

申请人： Takeru Watanabe ,  Masashi Iio ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Yoshio Kawai

发明人： Takeru Watanabe ,  Masashi Iio ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Yoshio Kawai

IPC分类号： G03F7/027 ,  G03F7/20 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40

摘要： A patterning process includes (1) coating and baking a first positive resist composition to form a first resist film, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a first resist pattern, (2) applying a resist-modifying composition to the first resist pattern and heating to modify the first resist pattern, (3) coating and baking a second positive resist composition to form a second resist film, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a second resist pattern. The modified first resist film has a contact angle with pure water of 50°-85°.

摘要翻译： 图案化工艺包括（1）涂覆和烘烤第一正性抗蚀剂组合物以形成第一抗蚀剂膜，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第一抗蚀剂图案，（2）将抗蚀剂改性组合物施加到 第一抗蚀剂图案和加热以修饰第一抗蚀剂图案，（3）涂覆和烘烤第二正性抗蚀剂组合物以形成第二抗蚀剂膜，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第二抗蚀剂图案。 改性的第一抗蚀剂膜与纯水的接触角为50°-85°。

公开(公告)号：US08367310B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US12708196

申请日：2010-02-18

申请人： Takeru Watanabe ,  Masashi Iio ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Yoshio Kawai

发明人： Takeru Watanabe ,  Masashi Iio ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Yoshio Kawai

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40

摘要： A patterning process includes (1) coating and baking a first positive resist composition to form a first resist film, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a first resist pattern, (2) applying a resist-modifying composition to the first resist pattern and heating to modify the first resist pattern, (3) coating and baking a second positive resist composition to form a second resist film, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a second resist pattern. The modified first resist film has a contact angle with pure water of 50°-85°.

摘要翻译： 图案化工艺包括（1）涂覆和烘烤第一正性抗蚀剂组合物以形成第一抗蚀剂膜，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第一抗蚀剂图案，（2）将抗蚀剂改性组合物施加到 第一抗蚀剂图案和加热以修饰第一抗蚀剂图案，（3）涂覆和烘烤第二正性抗蚀剂组合物以形成第二抗蚀剂膜，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第二抗蚀剂图案。 改性的第一抗蚀剂膜与纯水的接触角为50°-85°。

公开(公告)号：US08329384B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US12785930

申请日：2010-05-24

申请人： Takeru Watanabe ,  Kazuhiro Katayama ,  Masashi Iio ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

发明人： Takeru Watanabe ,  Kazuhiro Katayama ,  Masashi Iio ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273

摘要： A patterning process includes (1) coating a first positive resist composition onto a substrate, baking, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a first resist pattern, (2) coating a resist-modifying composition onto the first resist pattern and heating to effect modifying treatment, and (3) coating a second positive resist composition, baking, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a second resist pattern. The resist modifying composition comprises a base resin comprising recurring units having formula (1) wherein A1 is alkylene, R1 is H or methyl, R2 is alkyl or bond together to form a nitrogen-containing heterocycle, and an alcohol-based solvent.

摘要翻译： 图案化工艺包括（1）将第一正性抗蚀剂组合物涂覆在基材上，烘烤，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第一抗蚀剂图案，（2）将抗蚀剂改性组合物涂覆到第一抗蚀剂图案上 加热进行改性处理，（3）涂布第二正性抗蚀剂组合物，烘烤，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第二抗蚀剂图案。 抗蚀剂改性组合物包括含有式（1）的重复单元的基础树脂，其中A1是亚烷基，R1是H或甲基，R2是烷基或键合在一起形成含氮杂环和醇类溶剂。

公开(公告)号：US20100297554A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：US12786759

申请日：2010-05-25

申请人： Takeru Watanabe ,  Masashi Iio ,  Kazuhiro Katayama ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

发明人： Takeru Watanabe ,  Masashi Iio ,  Kazuhiro Katayama ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/40

摘要： A patterning process includes (1) coating a first positive resist composition onto a substrate, baking, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a first resist pattern, (2) coating a resist-modifying composition onto the first resist pattern and heating to effect modifying treatment, and (3) coating a second positive resist composition, baking, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a second resist pattern. The resist-modifying composition comprises a carbamate compound and a solvent.

摘要翻译： 图案化工艺包括（1）将第一正性抗蚀剂组合物涂覆在基材上，烘烤，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第一抗蚀剂图案，（2）将抗蚀剂改性组合物涂覆到第一抗蚀剂图案上 加热进行改性处理，（3）涂布第二正性抗蚀剂组合物，烘烤，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第二抗蚀剂图案。 抗蚀剂改性组合物包含氨基甲酸酯化合物和溶剂。

公开(公告)号：US20100297563A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：US12785930

申请日：2010-05-24

申请人： Takeru Watanabe ,  Kazuhiro Katayama ,  Masashi Iio ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

发明人： Takeru Watanabe ,  Kazuhiro Katayama ,  Masashi Iio ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273

摘要： A patterning process includes (1) coating a first positive resist composition onto a substrate, baking, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a first resist pattern, (2) coating a resist-modifying composition onto the first resist pattern and heating to effect modifying treatment, and (3) coating a second positive resist composition, baking, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a second resist pattern. The resist modifying composition comprises a base resin comprising recurring units having formula (1) wherein A1 is alkylene, R1 is H or methyl, R2 is alkyl or bond together to form a nitrogen-containing heterocycle, and an alcohol-based solvent.

摘要翻译： 图案化工艺包括（1）将第一正性抗蚀剂组合物涂覆在基材上，烘烤，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第一抗蚀剂图案，（2）将抗蚀剂改性组合物涂覆到第一抗蚀剂图案上 加热进行改性处理，（3）涂布第二正性抗蚀剂组合物，烘烤，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第二抗蚀剂图案。 抗蚀剂改性组合物包括含有式（1）的重复单元的基础树脂，其中A1是亚烷基，R1是H或甲基，R2是烷基或键合在一起形成含氮杂环，和醇类溶剂。

公开(公告)号：US08426105B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US12786759

申请日：2010-05-25

申请人： Takeru Watanabe ,  Masashi Iio ,  Kazuhiro Katayama ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

发明人： Takeru Watanabe ,  Masashi Iio ,  Kazuhiro Katayama ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

IPC分类号： G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/40

摘要： A patterning process includes (1) coating a first positive resist composition onto a substrate, baking, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a first resist pattern, (2) coating a resist-modifying composition onto the first resist pattern and heating to effect modifying treatment, and (3) coating a second positive resist composition, baking, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a second resist pattern. The resist-modifying composition comprises a carbamate compound and a solvent.

摘要翻译： 图案化工艺包括（1）将第一正性抗蚀剂组合物涂覆在基材上，烘烤，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第一抗蚀剂图案，（2）将抗蚀剂改性组合物涂覆到第一抗蚀剂图案上 加热进行改性处理，（3）涂布第二正性抗蚀剂组合物，烘烤，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第二抗蚀剂图案。 抗蚀剂改性组合物包含氨基甲酸酯化合物和溶剂。

公开(公告)号：US06743566B2

公开(公告)日：2004-06-01

申请号：US10219139

申请日：2002-08-16

申请人： Mutsuo Nakashima ,  Seiichiro Tachibana ,  Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho ,  Koji Hasegawa ,  Tsunehiro Nishi ,  Jun Hatakeyama

发明人： Mutsuo Nakashima ,  Seiichiro Tachibana ,  Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho ,  Koji Hasegawa ,  Tsunehiro Nishi ,  Jun Hatakeyama

IPC分类号： G03C500

CPC分类号： C07D317/24 ,  C08F232/08 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

摘要： Cyclic acetal compounds of formula (1) wherein k=0 or 1 and n is an integer of 0 to 6 are novel. Using the cyclic acetal compounds as a monomer, polymers are obtained. A resist composition comprising the polymer as a base resin is sensitive to high-energy radiation and has excellent sensitivity, resolution, and etching resistance.

摘要翻译： 其中k = 0或1，n为0至6的整数的式（1）的环状缩醛化合物是新颖的。 使用环状缩醛化合物作为单体，得到聚合物。 包含作为基础树脂的聚合物的抗蚀剂组合物对高能辐射敏感，并且具有优异的灵敏度，分辨率和耐蚀刻性。

公开(公告)号：US06673515B2

公开(公告)日：2004-01-06

申请号：US09951523

申请日：2001-09-14

申请人： Tsunehiro Nishi ,  Mutsuo Nakashima ,  Seiichiro Tachibana ,  Takeshi Kinsho ,  Koji Hasegawa ,  Takeru Watanabe ,  Jun Hatakeyama

发明人： Tsunehiro Nishi ,  Mutsuo Nakashima ,  Seiichiro Tachibana ,  Takeshi Kinsho ,  Koji Hasegawa ,  Takeru Watanabe ,  Jun Hatakeyama

IPC分类号： G03F7038

CPC分类号： G03F7/039 ,  C08G61/08 ,  G03F7/0045

摘要： The invention provides a polymer comprising recurring units of formula (1—1) or (1-2) wherein k is 0 or 1, m is 0, 1, 2, 3 or 4, and n is 1 or 2 and having a weight average molecular weight of 1,000 to 500,000. A resist composition comprising the polymer as a base resin is sensitive to high-energy radiation, has excellent sensitivity, resolution, and etching resistance, and lends itself to micropatterning with electron beams or deep-UV.

摘要翻译： 本发明提供了包含式（1-1）或（1-2）的重复单元的聚合物，其中k为0或1，m为0,1,2,3或4，n为1或2，并且具有重量 平均分子量为1,000〜500,000。 包含作为基础树脂的聚合物的抗蚀剂组合物对高能辐射敏感，具有优异的灵敏度，分辨率和耐蚀刻性，并且适用于电子束或深紫外线的微图案化。

公开(公告)号：US06566038B2

公开(公告)日：2003-05-20

申请号：US09842396

申请日：2001-04-26

申请人： Tsunehiro Nishi ,  Mutsuo Nakashima ,  Seiichiro Tachibana ,  Takeshi Kinsho ,  Koji Hasegawa ,  Takeru Watanabe ,  Jun Hatakeyama

发明人： Tsunehiro Nishi ,  Mutsuo Nakashima ,  Seiichiro Tachibana ,  Takeshi Kinsho ,  Koji Hasegawa ,  Takeru Watanabe ,  Jun Hatakeyama

IPC分类号： G03F7039

CPC分类号： C08F222/06 ,  C08F222/40 ,  C08F232/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/039 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  C08F232/04 ,  C08F2220/1866 ,  C08F232/00

摘要： A polymer comprising units of formulas (1) and (2) and having a Mw of 1,000-500,000 is provided. R1 is H, CH3 or CH2CO2R3, R2 is H, CH3 or CO2R3, R3 is alkyl, R4 is halogen or acyloxy, alkoxycarbonyloxy or alkylsulfonyloxy group which may be substituted with halogen, R5 is H or alkyl, R6 is an acid labile group, Z is a single bond or a divalent hydrocarbon group, k is 0 or 1, and W is —O— or —(NR)— wherein R is H or alkyl. A resist composition comprising the polymer as a base resin is sensitive to high-energy radiation, has excellent sensitivity, resolution, and etching resistance, and lends itself to micropatterning with electron beams or deep-UV rays.

摘要翻译： 提供了包含式（1）和（2）单元并且Mw为1,000-500,000的聚合物。 R 1为H，CH 3或CH 2 CO 2 R 3，R 2为H，CH 3或CO 2 R 3，R 3为烷基，R 4为卤素或酰氧基，可被卤素取代的烷氧基羰氧基或烷基磺酰氧基，R 5为H或烷基，R 6为酸不稳定基团， Z为单键或二价烃基，k为0或1，W为-O-或 - （NR） - ，其中R为H或烷基。 包含作为基础树脂的聚合物的抗蚀剂组合物对高能辐射敏感，具有优异的灵敏度，分辨率和耐蚀刻性，并且适用于电子束或深紫外线的微图案化。

公开(公告)号：US06566037B2

公开(公告)日：2003-05-20

申请号：US09797878

申请日：2001-03-05

申请人： Tsunehiro Nishi ,  Koji Hasegawa ,  Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho ,  Jun Hatakeyama

发明人： Tsunehiro Nishi ,  Koji Hasegawa ,  Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho ,  Jun Hatakeyama

IPC分类号： G03F7038

CPC分类号： C08F232/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/039 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

摘要： A polymer comprising recurring units of formula (1) and having a Mw of 1,000-500,000 is provided. R1 is H, methyl or CH2CO2R3, R2 is H, methyl or CO2R3, R3 is alkyl, R4 is H, alkyl, alkoxyalkyl or acyl, R5 and R15 are acid labile groups, and at least one of R6 to R9 is a carboxyl or hydroxyl-containing monovalent hydrocarbon group, and the reminders are H or alkyl, at least one of R10 to R13 is a monovalent hydrocarbon group containing a —CO2— partial structure, and the reminders are H or alkyl, R14 is a polycyclic hydrocarbon group or polycyclic hydrocarbon-containing alkyl group, Z is a trivalent hydrocarbon group, k=0 or 1, x is>0, a, b, c and d are≧0, satisfying x+a+b+c+d=1. A resist composition comprising the polymer has significantly improved sensitivity, resolution and etching resistance and is very useful in microfabrication.

摘要翻译： 提供了包含式（1）的重复单元并且具有1,000-500,000的Mw的聚合物.R1是H，甲基或CH2CO2R3，R2是H，甲基或CO2R3，R3是烷基，R4是H，烷基，烷氧基烷基或酰基 R 5和R 15为酸不稳定基团，R 6〜R 9中的至少一个为羧基或羟基的一价烃基，提醒为H或烷基，R 10〜R 13中的至少一个为含有 -CO 2部分结构，提醒为H或烷基，R 14为多环烃基或含多环烃基的烷基，Z为三价烃基，k = 0或1，x为> 0，a，b， c和d为> = 0，满足x + a + b + c + d = 1。 包含聚合物的抗蚀剂组合物具有显着提高的灵敏度，分辨率和耐蚀刻性，并且在微细加工中非常有用。