公开(公告)号：US20120135566A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：US13364845

申请日：2012-02-02

申请人： Thierry Pinguet ,  Steffen Gloeckner ,  Peter De Dobbelaere ,  Sherif Abdalla ,  Daniel Kucharski ,  Gianlorenzo Masini ,  Kosei Yokoyama ,  Guckenberger John ,  Attila Mekis

发明人： Thierry Pinguet ,  Steffen Gloeckner ,  Peter De Dobbelaere ,  Sherif Abdalla ,  Daniel Kucharski ,  Gianlorenzo Masini ,  Kosei Yokoyama ,  Guckenberger John ,  Attila Mekis

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： H04B10/2575 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H04B10/40

摘要： Methods and systems for monolithic integration of photonics and electronics in CMOS processes are disclosed and may include fabricating photonic and electronic devices on two CMOS wafers with different silicon layer thicknesses for the photonic and electronic devices with at least a portion of each of the wafers bonded together, where a first of the CMOS wafers includes the photonic devices and a second of the CMOS wafers includes the electronic devices. The electrical devices may be coupled to optical devices utilizing through-silicon vias. The different thicknesses may be fabricated utilizing a selective area growth process. Cladding layers may be fabricated utilizing oxygen implants and/or utilizing CMOS trench oxide on the CMOS wafers. Silicon may be deposited on the CMOS trench oxide utilizing epitaxial lateral overgrowth. Cladding layers may be fabricated utilizing selective backside etching. Reflective surfaces may be fabricated by depositing metal on the selectively etched regions.

摘要翻译： 公开了用于在CMOS工艺中单片集成光子学和电子学的方法和系统，并且可以包括在具有不同硅层厚度的两个CMOS晶片上制造光子和电子器件用于光子和电子器件，其中每个晶片的至少一部分结合在一起 其中第一CMOS晶片包括光子器件，并且第二CMOS晶片包括电子器件。 电子器件可以利用穿硅通孔耦合到光学器件。 可以使用选择性区域生长过程来制造不同的厚度。 可以使用氧注入和/或在CMOS晶片上利用CMOS沟槽氧化物来制造覆层。 硅可以利用外延横向过度生长沉积在CMOS沟槽氧化物上。 可以利用选择性背面蚀刻来制造包覆层。 可以通过在选择性蚀刻的区域上沉积金属来制造反射表面。

公开(公告)号：US09053980B2

公开(公告)日：2015-06-09

申请号：US13364845

申请日：2012-02-02

申请人： Thierry Pinguet ,  Steffen Gloeckner ,  Peter De Dobbelaere ,  Sherif Abdalla ,  Daniel Kucharski ,  Gianlorenzo Masini ,  Kosei Yokoyama ,  Guckenberger John ,  Attila Mekis

发明人： Thierry Pinguet ,  Steffen Gloeckner ,  Peter De Dobbelaere ,  Sherif Abdalla ,  Daniel Kucharski ,  Gianlorenzo Masini ,  Kosei Yokoyama ,  Guckenberger John ,  Attila Mekis

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/782 ,  H01L21/84

CPC分类号： H04B10/2575 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H04B10/40

摘要： Methods and systems for monolithic integration of photonics and electronics in CMOS processes are disclosed and may include fabricating photonic and electronic devices on two CMOS wafers with different silicon layer thicknesses for the photonic and electronic devices with at least a portion of each of the wafers bonded together, where a first of the CMOS wafers includes the photonic devices and a second of the CMOS wafers includes the electronic devices. The electrical devices may be coupled to optical devices utilizing through-silicon vias. The different thicknesses may be fabricated utilizing a selective area growth process. Cladding layers may be fabricated utilizing oxygen implants and/or utilizing CMOS trench oxide on the CMOS wafers. Silicon may be deposited on the CMOS trench oxide utilizing epitaxial lateral overgrowth. Cladding layers may be fabricated utilizing selective backside etching. Reflective surfaces may be fabricated by depositing metal on the selectively etched regions.

摘要翻译： 公开了用于在CMOS工艺中单片集成光子学和电子学的方法和系统，并且可以包括在具有不同硅层厚度的两个CMOS晶片上制造光子和电子器件用于光子和电子器件，其中每个晶片的至少一部分结合在一起 其中第一CMOS晶片包括光子器件，并且第二CMOS晶片包括电子器件。 电子器件可以利用穿硅通孔耦合到光学器件。 可以使用选择性区域生长过程来制造不同的厚度。 可以使用氧注入和/或在CMOS晶片上利用CMOS沟槽氧化物来制造覆层。 硅可以利用外延横向过度生长沉积在CMOS沟槽氧化物上。 可以利用选择性背面蚀刻来制造包覆层。 可以通过在选择性蚀刻的区域上沉积金属来制造反射表面。