利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

28 条记录 (耗时 0.03 秒)

    Monolithic Integration Of Photonics And Electronics In CMOS Processes
    1.
    发明申请
    Monolithic Integration Of Photonics And Electronics In CMOS Processes 有权
    CMOS工艺中光子学与电子学的一体化

    公开(公告)号：US20120135566A1

    公开(公告)日：2012-05-31

    申请号：US13364845

    申请日：2012-02-02

    申请人： Thierry Pinguet ,  Steffen Gloeckner ,  Peter De Dobbelaere ,  Sherif Abdalla ,  Daniel Kucharski ,  Gianlorenzo Masini ,  Kosei Yokoyama ,  Guckenberger John ,  Attila Mekis

    发明人： Thierry Pinguet ,  Steffen Gloeckner ,  Peter De Dobbelaere ,  Sherif Abdalla ,  Daniel Kucharski ,  Gianlorenzo Masini ,  Kosei Yokoyama ,  Guckenberger John ,  Attila Mekis

    IPC分类号： H01L21/50

    CPC分类号： H04B10/2575 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H04B10/40

    摘要： Methods and systems for monolithic integration of photonics and electronics in CMOS processes are disclosed and may include fabricating photonic and electronic devices on two CMOS wafers with different silicon layer thicknesses for the photonic and electronic devices with at least a portion of each of the wafers bonded together, where a first of the CMOS wafers includes the photonic devices and a second of the CMOS wafers includes the electronic devices. The electrical devices may be coupled to optical devices utilizing through-silicon vias. The different thicknesses may be fabricated utilizing a selective area growth process. Cladding layers may be fabricated utilizing oxygen implants and/or utilizing CMOS trench oxide on the CMOS wafers. Silicon may be deposited on the CMOS trench oxide utilizing epitaxial lateral overgrowth. Cladding layers may be fabricated utilizing selective backside etching. Reflective surfaces may be fabricated by depositing metal on the selectively etched regions.

    摘要翻译： 公开了用于在CMOS工艺中单片集成光子学和电子学的方法和系统，并且可以包括在具有不同硅层厚度的两个CMOS晶片上制造光子和电子器件用于光子和电子器件，其中每个晶片的至少一部分结合在一起 其中第一CMOS晶片包括光子器件，并且第二CMOS晶片包括电子器件。 电子器件可以利用穿硅通孔耦合到光学器件。 可以使用选择性区域生长过程来制造不同的厚度。 可以使用氧注入和/或在CMOS晶片上利用CMOS沟槽氧化物来制造覆层。 硅可以利用外延横向过度生长沉积在CMOS沟槽氧化物上。 可以利用选择性背面蚀刻来制造包覆层。 可以通过在选择性蚀刻的区域上沉积金属来制造反射表面。

    Monolithic integration of photonics and electronics in CMOS processes
    2.
    发明授权
    Monolithic integration of photonics and electronics in CMOS processes 有权
    光电子学与电子学在CMOS工艺中的整体集成

    公开(公告)号：US09053980B2

    公开(公告)日：2015-06-09

    申请号：US13364845

    申请日：2012-02-02

    申请人： Thierry Pinguet ,  Steffen Gloeckner ,  Peter De Dobbelaere ,  Sherif Abdalla ,  Daniel Kucharski ,  Gianlorenzo Masini ,  Kosei Yokoyama ,  Guckenberger John ,  Attila Mekis

    发明人： Thierry Pinguet ,  Steffen Gloeckner ,  Peter De Dobbelaere ,  Sherif Abdalla ,  Daniel Kucharski ,  Gianlorenzo Masini ,  Kosei Yokoyama ,  Guckenberger John ,  Attila Mekis

    IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/782 ,  H01L21/84

    CPC分类号： H04B10/2575 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H04B10/40

    摘要： Methods and systems for monolithic integration of photonics and electronics in CMOS processes are disclosed and may include fabricating photonic and electronic devices on two CMOS wafers with different silicon layer thicknesses for the photonic and electronic devices with at least a portion of each of the wafers bonded together, where a first of the CMOS wafers includes the photonic devices and a second of the CMOS wafers includes the electronic devices. The electrical devices may be coupled to optical devices utilizing through-silicon vias. The different thicknesses may be fabricated utilizing a selective area growth process. Cladding layers may be fabricated utilizing oxygen implants and/or utilizing CMOS trench oxide on the CMOS wafers. Silicon may be deposited on the CMOS trench oxide utilizing epitaxial lateral overgrowth. Cladding layers may be fabricated utilizing selective backside etching. Reflective surfaces may be fabricated by depositing metal on the selectively etched regions.

    摘要翻译： 公开了用于在CMOS工艺中单片集成光子学和电子学的方法和系统，并且可以包括在具有不同硅层厚度的两个CMOS晶片上制造光子和电子器件用于光子和电子器件，其中每个晶片的至少一部分结合在一起 其中第一CMOS晶片包括光子器件，并且第二CMOS晶片包括电子器件。 电子器件可以利用穿硅通孔耦合到光学器件。 可以使用选择性区域生长过程来制造不同的厚度。 可以使用氧注入和/或在CMOS晶片上利用CMOS沟槽氧化物来制造覆层。 硅可以利用外延横向过度生长沉积在CMOS沟槽氧化物上。 可以利用选择性背面蚀刻来制造包覆层。 可以通过在选择性蚀刻的区域上沉积金属来制造反射表面。

    METHOD AND SYSTEM FOR MONOLITHIC INTEGRATION OF PHOTONICS AND ELECTRONICS IN CMOS PROCESSES
    3.
    发明申请
    METHOD AND SYSTEM FOR MONOLITHIC INTEGRATION OF PHOTONICS AND ELECTRONICS IN CMOS PROCESSES 有权
    CMOS工艺中光电子和电子单片集成的方法与系统

    公开(公告)号：US20100059822A1

    公开(公告)日：2010-03-11

    申请号：US12554449

    申请日：2009-09-04

    申请人： Thierry Pinguet ,  Steffen Gloeckner ,  Peter De Dobbelaere ,  Sherif Abdalla ,  Daniel Kucharski ,  Gianlorenzo Masini ,  Kosei Yokoyama ,  John Guckenberger ,  Attila Mekis

    发明人： Thierry Pinguet ,  Steffen Gloeckner ,  Peter De Dobbelaere ,  Sherif Abdalla ,  Daniel Kucharski ,  Gianlorenzo Masini ,  Kosei Yokoyama ,  John Guckenberger ,  Attila Mekis

    IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/782

    CPC分类号： H04B10/2575 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H04B10/40

    摘要： Methods and systems for monolithic integration of photonics and electronics in CMOS processes are disclosed and may include fabricating photonic and electronic devices on a single CMOS wafer with different silicon layer thicknesses. The devices may be fabricated on a semiconductor-on-insulator (SOI) wafer utilizing a bulk CMOS process and/or on a SOI wafer utilizing a SOI CMOS process. The different thicknesses may be fabricated utilizing a double SOI process and/or a selective area growth process. Cladding layers may be fabricated utilizing one or more oxygen implants and/or utilizing CMOS trench oxide on the CMOS wafer. Silicon may be deposited on the CMOS trench oxide utilizing epitaxial lateral overgrowth. Cladding layers may be fabricated utilizing selective backside etching. Reflective surfaces may be fabricated by depositing metal on the selectively etched regions. Silicon dioxide or silicon germanium integrated in the CMOS wafer may be utilized as an etch stop layer.

    摘要翻译： 公开了用于在CMOS工艺中单片集成光子学和电子学的方法和系统，并且可以包括在具有不同硅层厚度的单个CMOS晶片上制造光子和电子器件。 利用体CMOS工艺和/或利用SOI CMOS工艺的SOI晶片，可以在绝缘体上半导体（SOI）晶片上制造器件。 可以使用双重SOI工艺和/或选择性区域生长工艺来制造不同的厚度。 可以利用一个或多个氧注入和/或在CMOS晶片上利用CMOS沟槽氧化物来制造覆层。 硅可以利用外延横向过度生长沉积在CMOS沟槽氧化物上。 可以利用选择性背面蚀刻来制造包覆层。 可以通过在选择性蚀刻的区域上沉积金属来制造反射表面。 集成在CMOS晶片中的二氧化硅或硅锗可以用作蚀刻停止层。

    Monolithic integration of photonics and electronics in CMOS processes
    4.
    发明授权
    Monolithic integration of photonics and electronics in CMOS processes 有权
    光电子学与电子学在CMOS工艺中的整体集成

    公开(公告)号：US08895413B2

    公开(公告)日：2014-11-25

    申请号：US13364909

    申请日：2012-02-02

    申请人： Thierry Pinguet ,  Steffen Gloeckner ,  Peter De Dobbelaere ,  Sherif Abdalla ,  Daniel Kucharski ,  Gianlorenzo Masini ,  Kosei Yokoyama ,  John Guckenberger ,  Attila Mekis

    发明人： Thierry Pinguet ,  Steffen Gloeckner ,  Peter De Dobbelaere ,  Sherif Abdalla ,  Daniel Kucharski ,  Gianlorenzo Masini ,  Kosei Yokoyama ,  John Guckenberger ,  Attila Mekis

    IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/782 ,  H01L21/84

    CPC分类号： H04B10/2575 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H04B10/40

    摘要： Methods and systems for monolithic integration of photonics and electronics in CMOS processes are disclosed and may include fabricating photonic and electronic devices on two CMOS wafers with different silicon layer thicknesses for the photonic and electronic devices bonded to at least a portion of each of the wafers together, where a first of the CMOS wafers includes the photonic devices and a second of the CMOS wafers includes the electronic devices. The electrical devices may be coupled to optical devices utilizing through-silicon vias. The different thicknesses may be fabricated utilizing a selective area growth process. Cladding layers may be fabricated utilizing oxygen implants and/or utilizing CMOS trench oxide on the CMOS wafers. Silicon may be deposited on the CMOS trench oxide utilizing epitaxial lateral overgrowth. Cladding layers may be fabricated utilizing selective backside etching. Reflective surfaces may be fabricated by depositing metal on the selectively etched regions.

    摘要翻译： 公开了用于在CMOS工艺中单片集成光子学和电子学的方法和系统，并且可以包括在具有不同硅层厚度的两个CMOS晶片上制造光子和电子器件，用于光子和电子器件，其结合到每个晶片的至少一部分 其中第一CMOS晶片包括光子器件，并且第二CMOS晶片包括电子器件。 电子器件可以利用穿硅通孔耦合到光学器件。 可以使用选择性区域生长过程来制造不同的厚度。 可以使用氧注入和/或在CMOS晶片上利用CMOS沟槽氧化物来制造覆层。 硅可以利用外延横向过度生长沉积在CMOS沟槽氧化物上。 可以利用选择性背面蚀刻来制造包覆层。 可以通过在选择性蚀刻的区域上沉积金属来制造反射表面。

    Method and system for monolithic integration of photonics and electronics in CMOS processes
    5.
    发明授权
    Method and system for monolithic integration of photonics and electronics in CMOS processes 有权
    CMOS工艺中光子学与电子学的单片集成方法与系统

    公开(公告)号：US08877616B2

    公开(公告)日：2014-11-04

    申请号：US12554449

    申请日：2009-09-04

    申请人： Thierry Pinguet ,  Steffen Gloeckner ,  Peter De Dobbelaere ,  Sherif Abdalla ,  Daniel Kucharski ,  Gianlorenzo Masini ,  Kosei Yokoyama ,  John Guckenberger ,  Attila Mekis

    发明人： Thierry Pinguet ,  Steffen Gloeckner ,  Peter De Dobbelaere ,  Sherif Abdalla ,  Daniel Kucharski ,  Gianlorenzo Masini ,  Kosei Yokoyama ,  John Guckenberger ,  Attila Mekis

    IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/782 ,  H01L21/84

    CPC分类号： H04B10/2575 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H04B10/40

    摘要： Methods and systems for monolithic integration of photonics and electronics in CMOS processes are disclosed and may include fabricating photonic and electronic devices on a single CMOS wafer with different silicon layer thicknesses. The devices may be fabricated on a semiconductor-on-insulator (SOI) wafer utilizing a bulk CMOS process and/or on a SOI wafer utilizing a SOI CMOS process. The different thicknesses may be fabricated utilizing a double SOI process and/or a selective area growth process. Cladding layers may be fabricated utilizing one or more oxygen implants and/or utilizing CMOS trench oxide on the CMOS wafer. Silicon may be deposited on the CMOS trench oxide utilizing epitaxial lateral overgrowth. Cladding layers may be fabricated utilizing selective backside etching. Reflective surfaces may be fabricated by depositing metal on the selectively etched regions. Silicon dioxide or silicon germanium integrated in the CMOS wafer may be utilized as an etch stop layer.

    摘要翻译： 公开了用于在CMOS工艺中单片集成光子学和电子学的方法和系统，并且可以包括在具有不同硅层厚度的单个CMOS晶片上制造光子和电子器件。 利用体CMOS工艺和/或利用SOI CMOS工艺的SOI晶片，可以在绝缘体上半导体（SOI）晶片上制造器件。 可以使用双重SOI工艺和/或选择性区域生长工艺来制造不同的厚度。 可以利用一个或多个氧注入和/或在CMOS晶片上利用CMOS沟槽氧化物来制造覆层。 硅可以利用外延横向过度生长沉积在CMOS沟槽氧化物上。 可以利用选择性背面蚀刻来制造包覆层。 可以通过在选择性蚀刻的区域上沉积金属来制造反射表面。 集成在CMOS晶片中的二氧化硅或硅锗可以用作蚀刻停止层。

    Monolithic Integration Of Photonics And Electronics In CMOS Processes
    6.
    发明申请
    Monolithic Integration Of Photonics And Electronics In CMOS Processes 有权
    CMOS工艺中光子学与电子学的一体化

    公开(公告)号：US20120132993A1

    公开(公告)日：2012-05-31

    申请号：US13364909

    申请日：2012-02-02

    申请人： Thierry Pinguet ,  Steffen Gloeckner ,  Peter De Dobbelaere ,  Sherif Abdalla ,  Daniel Kucharski ,  Gianlorenzo Masini ,  Kosei Yokoyama ,  John Guckenberger ,  Attila Mekis

    发明人： Thierry Pinguet ,  Steffen Gloeckner ,  Peter De Dobbelaere ,  Sherif Abdalla ,  Daniel Kucharski ,  Gianlorenzo Masini ,  Kosei Yokoyama ,  John Guckenberger ,  Attila Mekis

    IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/782

    CPC分类号： H04B10/2575 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H04B10/40

    摘要： Methods and systems for monolithic integration of photonics and electronics in CMOS processes are disclosed and may include fabricating photonic and electronic devices on two CMOS wafers with different silicon layer thicknesses for the photonic and electronic devices bonded to at least a portion of each of the wafers together, where a first of the CMOS wafers includes the photonic devices and a second of the CMOS wafers includes the electronic devices. The electrical devices may be coupled to optical devices utilizing through-silicon vias. The different thicknesses may be fabricated utilizing a selective area growth process. Cladding layers may be fabricated utilizing oxygen implants and/or utilizing CMOS trench oxide on the CMOS wafers. Silicon may be deposited on the CMOS trench oxide utilizing epitaxial lateral overgrowth. Cladding layers may be fabricated utilizing selective backside etching. Reflective surfaces may be fabricated by depositing metal on the selectively etched regions.

    摘要翻译： 公开了用于在CMOS工艺中单片集成光子学和电子学的方法和系统，并且可以包括在具有不同硅层厚度的两个CMOS晶片上制造光子和电子器件，用于光子和电子器件，其结合到每个晶片的至少一部分 其中第一CMOS晶片包括光子器件，并且第二CMOS晶片包括电子器件。 电子器件可以利用穿硅通孔耦合到光学器件。 可以使用选择性区域生长过程来制造不同的厚度。 可以使用氧注入和/或在CMOS晶片上利用CMOS沟槽氧化物来制造覆层。 硅可以利用外延横向过度生长沉积在CMOS沟槽氧化物上。 可以利用选择性背面蚀刻来制造包覆层。 可以通过在选择性蚀刻的区域上沉积金属来制造反射表面。

    METHOD AND SYSTEM FOR OPTOELECTRONICS TRANSCEIVERS INTEGRATED ON A CMOS CHIP
    9.
    发明申请
    METHOD AND SYSTEM FOR OPTOELECTRONICS TRANSCEIVERS INTEGRATED ON A CMOS CHIP 有权
    集成在CMOS芯片上的光电收发器的方法和系统

    公开(公告)号：US20090022500A1

    公开(公告)日：2009-01-22

    申请号：US12241961

    申请日：2008-09-30

    申请人： Thierry Pinguet ,  Steffen Gloeckner ,  Sherif Abdalla ,  Sina Mirsaidi ,  Peter De Dobbelaere

    发明人： Thierry Pinguet ,  Steffen Gloeckner ,  Sherif Abdalla ,  Sina Mirsaidi ,  Peter De Dobbelaere

    IPC分类号： H04B10/00

    CPC分类号： H04B10/25 ,  G02B6/1228 ,  G02B6/124 ,  G02B6/4214 ,  G02B6/43

    摘要： Methods and systems for optoelectronics transceivers integrated on a CMOS chip are disclosed and may include receiving optical signals from optical fibers via grating couplers on a top surface of a CMOS chip, which may include a guard ring. Photodetectors may be integrated in the CMOS chip. A CW optical signal may be received from a laser source via grating couplers, and may be modulated using optical modulators, which may be Mach-Zehnder and/or ring modulators. Circuitry in the CMOS chip may drive the optical modulators. The modulated optical signal may be communicated out of the top surface of the CMOS chip into optical fibers via grating couplers. The received optical signals may be communicated between devices via waveguides. The photodetectors may include germanium waveguide photodiodes, avalanche photodiodes, and/or heterojunction diodes. The CW optical signal may be generated using an edge-emitting and/or a vertical-cavity surface emitting semiconductor laser.

    摘要翻译： 公开了集成在CMOS芯片上的光电收发器的方法和系统，并且可以包括通过可以包括保护环的CMOS芯片的顶表面上的光栅耦合器从光纤接收光信号。 光电检测器可以集成在CMOS芯片中。 CW光信号可以经由光栅耦合器从激光源接收，并且可以使用可以是马赫曾德和/或环形调制器的光学调制器进行调制。 CMOS芯片中的电路可以驱动光学调制器。 调制的光信号可以通过光栅耦合器从CMOS芯片的顶表面传送到光纤中。 所接收的光信号可以经由波导在设备之间传送。 光电检测器可以包括锗波导光电二极管，雪崩光电二极管和/或异质结二极管。 可以使用边缘发射和/或垂直腔表面发射半导体激光器来产生CW光信号。

    Method and System for Single Laser Bidirectional Links
    10.
    发明申请
    Method and System for Single Laser Bidirectional Links 有权
    单激光双向链路方法与系统

    公开(公告)号：US20100209114A1

    公开(公告)日：2010-08-19

    申请号：US12708496

    申请日：2010-02-18

    申请人： Steffen Gloeckner ,  Peter De Dobbelaere ,  Attila Mekis

    发明人： Steffen Gloeckner ,  Peter De Dobbelaere ,  Attila Mekis

    IPC分类号： H04B10/12

    CPC分类号： H04B10/2587

    摘要： A method and system for single laser bidirectional links are disclosed and may include communicating a high speed optical signal from a transmit CMOS photonics chip to a receive CMOS photonics chip and communicating a low-speed optical signal from the receive CMOS photonics chip to the transmit CMOS photonics chip via one or more optical fibers. The optical signals may be coupled to and from the CMOS photonics chips utilizing single-polarization grating couplers. The optical signals may be coupled to and from the CMOS photonics chips utilizing polarization-splitting grating couplers. The optical signals may be amplitude or phase modulated. The optical fibers may comprise single-mode or polarization-maintaining fibers. A polarization of the high-speed optical signal may be configured before communicating it over the single-mode fibers. The low-speed optical signal may be generated by modulating the received high-speed optical signal or from a portion of the received high-speed optical signal.

    摘要翻译： 公开了用于单激光双向链路的方法和系统，并且可以包括将来自发射CMOS光子芯片的高速光信号传送到接收CMOS光子芯片，并将低速光信号从接收CMOS光子芯片传送到发射CMOS 光子芯片通过一根或多根光纤。 光信号可以使用单偏振光栅耦合器耦合到CMOS光子芯片和从CMOS光子芯片耦合。 光信号可以使用偏振分离光栅耦合器耦合到CMOS光子芯片和从CMOS光子芯片耦合。 光信号可以是幅度或相位调制的。 光纤可以包括单模或偏振保持光纤。 可以在通过单模光纤通信之前配置高速光信号的极化。 低速光信号可以通过调制所接收的高速光信号或从所接收的高速光信号的一部分来产生。