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    Heterostructure device and associated method
    1.
    发明授权
    Heterostructure device and associated method 有权
    异质结构装置及相关方法

    公开(公告)号：US08697506B2

    公开(公告)日：2014-04-15

    申请号：US13418566

    申请日：2012-03-13

    申请人： Vinayak Tilak ,  Alexei Vertiatchikh ,  Kevin Sean Matocha ,  Peter Micah Sandvik ,  Siddharth Rajan

    发明人： Vinayak Tilak ,  Alexei Vertiatchikh ,  Kevin Sean Matocha ,  Peter Micah Sandvik ,  Siddharth Rajan

    IPC分类号： H01L21/335

    CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207

    摘要： A method of manufacturing a heterostructure device is provided that includes implantation of ions into a portion of a surface of a multi-layer structure. Iodine ions are implanted between a first region and a second region to form a third region. A charge is depleted from the two dimensional electron gas (2DEG) channel in the third region to form a reversibly electrically non-conductive pathway from the first region to the second region. On applying a voltage potential to a gate electrode proximate to the third region allows electrical current to flow from the first region to the second region.

    摘要翻译： 提供了一种制造异质结构器件的方法，其包括将离子注入到多层结构的表面的一部分中。 碘离子注入第一区域和第二区域之间以形成第三区域。 电荷从第三区域中的二维电子气（2DEG）通道中消耗，以形成从第一区域到第二区域的可逆的非导电通路。 在向靠近第三区域的栅电极施加电压电位时，允许电流从第一区域流到第二区域。

    Heterostructure device and associated method
    2.
    发明授权
    Heterostructure device and associated method 有权
    异质结构装置及相关方法

    公开(公告)号：US08159002B2

    公开(公告)日：2012-04-17

    申请号：US11961532

    申请日：2007-12-20

    申请人： Vinayak Tilak ,  Alexei Vertiatchikh ,  Kevin Sean Matocha ,  Peter Micah Sandvik ,  Siddharth Rajan

    发明人： Vinayak Tilak ,  Alexei Vertiatchikh ,  Kevin Sean Matocha ,  Peter Micah Sandvik ,  Siddharth Rajan

    IPC分类号： H01L29/66

    CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207

    摘要： A heterostructure device includes a semiconductor multi-layer structure that has a first region, a second region and a third region. The first region is coupled to a source electrode and the second region is coupled to a drain electrode. The third region is disposed between the first region and the second region. The third region provides a switchable electrically conductive pathway from the source electrode to the drain electrode. The third region includes iodine ions. A system includes a heterostructure field effect transistor that includes the device.

    摘要翻译： 异质结构器件包括具有第一区域，第二区域和第三区域的半导体多层结构。 第一区域耦合到源电极，第二区域耦合到漏电极。 第三区域设置在第一区域和第二区域之间。 第三区域提供从源电极到漏电极的可切换导电路径。 第三区域包括碘离子。 一种系统包括包括该器件的异质结构场效应晶体管。

    HETEROSTRUCTURE DEVICE AND ASSOCIATED METHOD
    3.
    发明申请
    HETEROSTRUCTURE DEVICE AND ASSOCIATED METHOD 有权
    异体结构设备及相关方法

    公开(公告)号：US20090159929A1

    公开(公告)日：2009-06-25

    申请号：US11961532

    申请日：2007-12-20

    申请人： Vinayak Tilak ,  Alexei Vertiatchikh ,  Kevin Sean Matocha ,  Peter Micah Sandvik ,  Siddharth Rajan

    发明人： Vinayak Tilak ,  Alexei Vertiatchikh ,  Kevin Sean Matocha ,  Peter Micah Sandvik ,  Siddharth Rajan

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/335

    CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207

    摘要： A heterostructure device includes a semiconductor multi-layer structure that has a first region, a second region and a third region. The first region is coupled to a source electrode and the second region is coupled to a drain electrode. The third region is disposed between the first region and the second region. The third region provides a switchable electrically conductive pathway from the source electrode to the drain electrode. The third region includes iodine ions. A system includes a heterostructure field effect transistor that includes the device.

    摘要翻译： 异质结构器件包括具有第一区域，第二区域和第三区域的半导体多层结构。 第一区域耦合到源电极，第二区域耦合到漏电极。 第三区域设置在第一区域和第二区域之间。 第三区域提供从源电极到漏电极的可切换导电路径。 第三区域包括碘离子。 一种系统包括包括该器件的异质结构场效应晶体管。

    HETEROSTRUCTURE DEVICE AND ASSOCIATED METHOD
    4.
    发明申请
    HETEROSTRUCTURE DEVICE AND ASSOCIATED METHOD 有权
    异体结构设备及相关方法

    公开(公告)号：US20120171824A1

    公开(公告)日：2012-07-05

    申请号：US13418566

    申请日：2012-03-13

    申请人： Vinayak Tilak ,  Alexei Vertiatchikh ,  Kevin Sean Matocha ,  Peter Micah Sandvik ,  Siddharth Rajan

    发明人： Vinayak Tilak ,  Alexei Vertiatchikh ,  Kevin Sean Matocha ,  Peter Micah Sandvik ,  Siddharth Rajan

    IPC分类号： H01L21/335

    CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207

    摘要： A method of manufacturing a heterostructure device is provided that includes implantation of ions into a portion of a surface of a multi-layer structure. Iodine ions are implanted between a first region and a second region to form a third region. A charge is depleted from the two dimensional electron gas (2DEG) channel in the third region to form a reversibly electrically non-conductive pathway from the first region to the second region. On applying a voltage potential to a gate electrode proximate to the third region allows electrical current to flow from the first region to the second region.

    摘要翻译： 提供了一种制造异质结构器件的方法，其包括将离子注入到多层结构的表面的一部分中。 碘离子注入第一区域和第二区域之间以形成第三区域。 电荷从第三区域中的二维电子气（2DEG）通道中消耗，以形成从第一区域到第二区域的可逆的非导电通路。 在向靠近第三区域的栅电极施加电压电位时，允许电流从第一区域流到第二区域。

    HETEROSTRUCTURE DEVICE AND ASSOCIATED METHOD
    5.
    发明申请
    HETEROSTRUCTURE DEVICE AND ASSOCIATED METHOD 审中-公开
    异体结构设备及相关方法

    公开(公告)号：US20090140293A1

    公开(公告)日：2009-06-04

    申请号：US11946959

    申请日：2007-11-29

    申请人： Alexei Vertiatchikh ,  Kevin Sean Matocha ,  Peter Micah Sandvik ,  Vinayak Tilak ,  Siddharth Rajan ,  Ho-Young Cha

    发明人： Alexei Vertiatchikh ,  Kevin Sean Matocha ,  Peter Micah Sandvik ,  Vinayak Tilak ,  Siddharth Rajan ,  Ho-Young Cha

    IPC分类号： H01L29/778

    CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L29/2003

    摘要： A heterostructure device or article includes a carrier transport layer, a back channel layer and a barrier layer. The carrier transport layer has a first surface and a second surface opposing to the first surface. The back channel layer is secured to the first surface of the carrier transport layer and the barrier layer is secured to the second surface of the carrier transport layer. Each of the carrier transport layer, the back channel layer and the barrier layer comprises an aluminum gallium nitride alloy. The article further includes a 2D electron gas at an interface of the second surface of the carrier transport layer and a surface of the barrier layer. The 2D electron gas is defined by a bandgap differential at an interface, which allows for electron mobility. A system includes a heterostructure field effect transistor that includes the article.

    摘要翻译： 异质结构器件或制品包括载流子传输层，背沟道层和阻挡层。 载流子传输层具有与第一表面相对的第一表面和第二表面。 背沟道层被固定到载流子传输层的第一表面，并且阻挡层固定到载流子传输层的第二表面。 载流子传输层，背沟道层和阻挡层中的每一个包括氮化镓铝合金。 该制品还包括在载流子传输层的第二表面和势垒层的表面的界面处的2D电子气体。 2D电子气体由界面处的带隙差分限定，这允许电子迁移率。 一种系统包括包括该物品的异质结构场效应晶体管。

    Group III nitride semiconductor devices and methods of making
    9.
    发明授权
    Group III nitride semiconductor devices and methods of making 失效
    III族氮化物半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US07589360B2

    公开(公告)日：2009-09-15

    申请号：US11594473

    申请日：2006-11-08

    申请人： Kevin Sean Matocha ,  Vinayak Tilak

    发明人： Kevin Sean Matocha ,  Vinayak Tilak

    IPC分类号： H01L29/06

    CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/94

    摘要： A device having an electrode-insulator layer-group III nitride layer structure, wherein an interface between the insulator layer and the group III nitride semiconductor layer lies along a non-polar plane of the group III nitride semiconductor layer is provided.

    摘要翻译： 提供了具有电极 - 绝缘体层III族氮化物层结构的器件，其中绝缘体层和III族氮化物半导体层之间的界面位于III族氮化物半导体层的非极性平面。