公开(公告)号：US20140046475A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：US13570712

申请日：2012-08-09

申请人： WINSOR LAM ,  KEITH A. MILLER ,  CARL JOHNSON ,  MARTIN LEE RIKER ,  YE XU

发明人： WINSOR LAM ,  KEITH A. MILLER ,  CARL JOHNSON ,  MARTIN LEE RIKER ,  YE XU

IPC分类号： C23C14/35 ,  C25D21/12 ,  G05B15/02 ,  C23C14/54

CPC分类号： C23C14/046 ,  C23C14/54 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879

摘要： Methods and apparatus for processing a substrate in a process chamber, include receiving process control parameters for one or more devices from a process controller to perform a first chamber process, determining a time to send each of the process control parameters to the one or more devices, for each of the one or more devices, adjusting the determined time to send each of the process control parameters using specific signal process delays associated with each of the one or more devices, and sending the process control parameters to each of the one or more devices at the adjusted times to perform the first chamber process, wherein the synchronization controller includes one or more output channels, each channel directly coupled to one of the one or more devices.

摘要翻译： 用于在处理室中处理衬底的方法和装置包括从过程控制器接收用于一个或多个设备的过程控制参数，以执行第一室过程，确定将每个过程控制参数发送到一个或多个设备的时间 对于所述一个或多个设备中的每一个，使用与所述一个或多个设备中的每个设备相关联的特定信号处理延迟来调整所确定的时间以发送每个所述过程控制参数，以及将所述过程控制参数发送到所述一个或多个设备 在调整的时间进行第一室处理，其中所述同步控制器包括一个或多个输出通道，每个通道直接耦合到所述一个或多个设备之一。

公开(公告)号：US20100105204A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12257279

申请日：2008-10-23

申请人： WINSOR LAM ,  TZA-Jing Gung ,  Hong S. Yang ,  Adolph Miller Allen

发明人： WINSOR LAM ,  TZA-Jing Gung ,  Hong S. Yang ,  Adolph Miller Allen

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76841 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76865 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods for processing substrates are provided herein. In some embodiments, a method for processing substrates includes providing to a process chamber a substrate comprising an exposed dielectric layer having a feature formed therein. A mask layer comprising titanium nitride may be selectively deposited atop corners of the feature. A barrier layer may be selectively deposited atop the mask layer and into a bottom portion of the feature. The barrier layer deposited on the bottom portion of the feature may be etched to redistribute at least a portion of the barrier layer onto sidewalls of the feature.

摘要翻译： 本文提供了处理基板的方法。 在一些实施例中，用于处理衬底的方法包括向处理室提供包括其中形成有特征的暴露介电层的衬底。 包括氮化钛的掩模层可以选择性地沉积在特征的角落的顶部。 阻挡层可以选择性地沉积在掩模层的顶部并进入特征的底部。 可以蚀刻沉积在特征的底部上的阻挡层，以将阻挡层的至少一部分重新分布到特征的侧壁上。

公开(公告)号：US20120108058A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：US13269243

申请日：2011-10-07

申请人： TAE HONG HA ,  WINSOR LAM ,  TZA-JING GUNG ,  JOUNG JOO LEE

发明人： TAE HONG HA ,  WINSOR LAM ,  TZA-JING GUNG ,  JOUNG JOO LEE

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76843 ,  C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873

摘要： Methods for forming layers on a substrate are provided herein. In some embodiments, methods of forming layers on a substrate disposed in a process chamber may include depositing a barrier layer comprising titanium within one or more features in the substrate; and sputtering a material from a target in the presence of a plasma formed from a process gas by applying a DC power to the target, maintaining a pressure of less than about 500 mTorr within the process chamber, and providing up to about 5000 W of a substrate bias RF power to deposit a seed layer comprising the material atop the barrier layer.

摘要翻译： 本文提供了在基板上形成层的方法。 在一些实施例中，在设置在处理室中的衬底上形成层的方法可以包括在衬底的一个或多个特征内沉积包含钛的阻挡层; 在通过向目标施加DC电力的情况下，在由处理气体形成的等离子体存在下溅射材料，在处理室内保持小于约500mTorr的压力，并提供高达约5000W的 衬底偏置射频功率以在阻挡层顶上沉积包含该材料的晶种层。