公开(公告)号：US07105878B2

公开(公告)日：2006-09-12

申请号：US10945538

申请日：2004-09-20

申请人： Xinping He ,  Chih-Huei Wu ,  Hongli Yang

发明人： Xinping He ,  Chih-Huei Wu ,  Hongli Yang

IPC分类号： H01L31/062 ,  H01L31/113

CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/1463

摘要： The active pixel includes a photodiode, a reset transistor, and a pixel output transistor. The photodiode is substantially covered with a protective structure, thus protecting the entire surface of the photodiode from damage. This substantially eliminates potential leakage current sources, which result in dark current. The protective structure has a photodiode contact formed therein to electrically connect the photodiode to the pixel output transistor.

摘要翻译： 有源像素包括光电二极管，复位晶体管和像素输出晶体管。 光电二极管基本上覆盖有保护结构，从而保护光电二极管的整个表面免受损坏。 这实质上消除了潜在的漏电流源，这导致暗电流。 保护结构具有形成在其中的光电二极管接头，以将光电二极管电连接到像素输出晶体管。

公开(公告)号：US20050062085A1

公开(公告)日：2005-03-24

申请号：US10945538

申请日：2004-09-20

申请人： Xinping He ,  Chih-Huei Wu ,  Hongli Yang

发明人： Xinping He ,  Chih-Huei Wu ,  Hongli Yang

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/062

CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/1463

摘要： The active pixel includes a photodiode, a reset transistor, and a pixel output transistor. The photodiode is substantially covered with a protective structure, thus protecting the entire surface of the photodiode from damage. This substantially eliminates potential leakage current sources, which result in dark current. The protective structure has a photodiode contact formed therein to electrically connect the photodiode to the pixel output transistor.

摘要翻译： 有源像素包括光电二极管，复位晶体管和像素输出晶体管。 光电二极管基本上覆盖有保护结构，从而保护光电二极管的整个表面免受损坏。 这实质上消除了潜在的漏电流源，这导致暗电流。 保护结构具有形成在其中的光电二极管接头，以将光电二极管电连接到像素输出晶体管。

公开(公告)号：US20050130337A1

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：US10734099

申请日：2003-12-11

申请人： Chih-Huei Wu ,  Xinping He

发明人： Chih-Huei Wu ,  Xinping He

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/14685 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627

摘要： A method for protecting an image sensor die is disclosed. The method comprises forming a plurality of image sensor die having micro-lenses onto a semiconductor wafer. Then, a protective layer is formed over the image sensor die. After the protective layer has been formed, and without any removal step of the protective layer, the wafer is diced to separate the plurality of image sensor die. Finally, the image sensor die are mounted onto an integrated circuit package and the protective layer is removed.

摘要翻译： 公开了一种用于保护图像传感器裸片的方法。 该方法包括在半导体晶片上形成具有微透镜的多个图像传感器裸片。 然后，在图像传感器芯片上形成保护层。 在形成保护层之后，并且没有保护层的任何去除步骤，切割晶片以分离多个图像传感器管芯。 最后，将图像传感器芯片安装到集成电路封装上，并且去除保护层。

公开(公告)号：US07091058B2

公开(公告)日：2006-08-15

申请号：US10734099

申请日：2003-12-11

申请人： Chih-huei Wu ,  Xinping He

发明人： Chih-huei Wu ,  Xinping He

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L27/14685 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627

摘要： A method for protecting an image sensor die is disclosed. The method comprises forming a plurality of image sensor die having micro-lenses onto a semiconductor wafer. Then, a protective layer is formed over the image sensor die. After the protective layer has been formed, and without any removal step of the protective layer, the wafer is diced to separate the plurality of image sensor die. Finally, the image sensor die are mounted onto an integrated circuit package and the protective layer is removed.

摘要翻译： 公开了一种用于保护图像传感器裸片的方法。 该方法包括在半导体晶片上形成具有微透镜的多个图像传感器裸片。 然后，在图像传感器芯片上形成保护层。 在形成保护层之后，并且没有保护层的任何去除步骤，切割晶片以分离多个图像传感器管芯。 最后，将图像传感器芯片安装到集成电路封装上，并且去除保护层。

公开(公告)号：US06649950B2

公开(公告)日：2003-11-18

申请号：US10218762

申请日：2002-08-14

申请人： Xinping He ,  Chih-huei Wu ,  Tiemin Zhao

发明人： Xinping He ,  Chih-huei Wu ,  Tiemin Zhao

IPC分类号： H01L31062

CPC分类号： H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643

摘要： The active pixel includes a photodiode, a transfer gate, and a reset transistor. The photodiode is substantially covered with an overlying structure, thus protecting the entire surface of the photodiode from damage. This substantially eliminates potential leakage current sources, which result in dark current. In one embodiment, the photodiode is covered by a FOX region in combination with the transfer gate.

公开(公告)号：US07368772B2

公开(公告)日：2008-05-06

申请号：US10637410

申请日：2003-08-07

申请人： Xinping He ,  Chih-huei Wu ,  Tiemin Zhao

发明人： Xinping He ,  Chih-huei Wu ,  Tiemin Zhao

IPC分类号： H01L31/062 ,  H01L31/113

CPC分类号： H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643

摘要： The active pixel includes a photodiode, a transfer gate, and a reset transistor. The photodiode is substantially covered with an overlying structure, thus protecting the entire surface of the photodiode from damage. This substantially eliminates potential leakage current sources, which result in dark current. In one embodiment, the photodiode is covered by a FOX region in combination with the transfer gate.

摘要翻译： 有源像素包括光电二极管，传输门和复位晶体管。 光电二极管基本上被覆盖的结构覆盖，从而保护光电二极管的整个表面免受损坏。 这实质上消除了潜在的漏电流源，这导致暗电流。 在一个实施例中，光电二极管与传输门一起被FOX区域覆盖。

公开(公告)号：US06909162B2

公开(公告)日：2005-06-21

申请号：US10016271

申请日：2001-11-02

申请人： Chih-huei Wu ,  Tiemin Zhao ,  Xinping He

发明人： Chih-huei Wu ,  Tiemin Zhao ,  Xinping He

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/068

CPC分类号： H01L27/14603 ,  H01L27/14623

摘要： A method for reducing dark current in a photodiode is disclosed. The photodiode comprises a N-well formed in a P-substrate. The method comprises doping the surface of said N-well with a nitrogen dopant. Alternatively, an oxygen or silicon dopant may be used. Still alternatively, a silicon oxynitride layer may be formed over the N-well.

摘要翻译： 公开了一种用于减小光电二极管中的暗电流的方法。 光电二极管包括在P-基片中形成的N阱。 该方法包括用氮掺杂剂掺杂所述N阱的表面。 或者，可以使用氧或硅掺杂剂。 或者，可以在N阱上形成氧氮化硅层。

公开(公告)号：US06462365B1

公开(公告)日：2002-10-08

申请号：US10011589

申请日：2001-11-06

申请人： Xinping He ,  Chih-huei Wu ,  Tiemin Zhao

发明人： Xinping He ,  Chih-huei Wu ,  Tiemin Zhao

IPC分类号： H01L31062

CPC分类号： H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643

摘要： The active pixel includes a photodiode, a transfer gate, and a reset transistor. The photodiode is substantially covered with an overlying structure, thus protecting the entire surface of the photodiode from damage. This substantially eliminates potential leakage current sources, which result in dark current. In one embodiment, the photodiode is covered by a FOX region in combination with the transfer gate.

摘要翻译： 有源像素包括光电二极管，传输门和复位晶体管。 光电二极管基本上被覆盖的结构覆盖，从而保护光电二极管的整个表面免受损坏。 这实质上消除了潜在的漏电流源，这导致暗电流。 在一个实施例中，光电二极管与传输门一起被FOX区域覆盖。

公开(公告)号：US07087883B2

公开(公告)日：2006-08-08

申请号：US10771839

申请日：2004-02-04

申请人： Xinping He ,  Hongli Yang

发明人： Xinping He ,  Hongli Yang

IPC分类号： H01J40/14

CPC分类号： H01L27/14609 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3741 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/37457

摘要： A CMOS image sensor that has reduced transistor count is disclosed. The individual pixels are formed by a pinned photodiode and a transfer transistor. An output node receives the signal from the photodiode via the transfer transistor. The output node is shared between multiple pixels. Further, a reset transistor is coupled between a selectable low voltage rail Vss or a high voltage reference Vref and the output node. The gate of an output transistor is then coupled to the output node. Both the reset transistor and output transistors are shared between multiple pixels.

摘要翻译： 公开了一种降低了晶体管数量的CMOS图像传感器。 各个像素由钉扎光电二极管和转移晶体管形成。 输出节点通过传输晶体管接收来自光电二极管的信号。 输出节点在多个像素之间共享。 此外，复位晶体管耦合在可选择的低电压轨V INIT或高电压参考V REF和输出节点之间。 然后，输出晶体管的栅极耦合到输出节点。 复位晶体管和输出晶体管都在多个像素之间共享。

公开(公告)号：US07667169B2

公开(公告)日：2010-02-23

申请号：US12125829

申请日：2008-05-22

申请人： Hongli Yang ,  Hongjun Li ,  Xinping He

发明人： Hongli Yang ,  Hongjun Li ,  Xinping He

IPC分类号： G02B7/04 ,  G02B27/40 ,  G02B27/64

CPC分类号： H04N5/23212 ,  G02B7/28 ,  H01L27/14641 ,  H04N5/3742

摘要： Embodiments of the present invention are directed to a plurality of light sensor cells disposed in a substrate in a shared pixel arrangement. Common readout circuitry is used to simultaneously read out image information from a group of light sensor cells. The image information from the group of light sensor cells is added together simultaneously and coupled to auto-focus circuitry and/or preview circuitry to provide for better lens adjustments and preview display.

摘要翻译： 本发明的实施例涉及在共享像素布置中设置在基板中的多个光传感器单元。 公共读出电路用于同时从一组光传感器单元读出图像信息。 来自一组光传感器单元的图像信息被同时加在一起并耦合到自动对焦电路和/或预览电路以提供更好的镜头调整和预览显示。