公开(公告)号：US20050202683A1

公开(公告)日：2005-09-15

申请号：US10799146

申请日：2004-03-12

申请人： Yuxiang Wang ,  Sudha Rathi ,  Michael Kwan ,  Hichem M'Saad

发明人： Yuxiang Wang ,  Sudha Rathi ,  Michael Kwan ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H01L21/469

CPC分类号： G03F7/094 ,  G03F7/091 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/7684

摘要： Methods are provided for depositing amorphous carbon materials. In one aspect, the invention provides a method for processing a substrate including forming a dielectric material layer on a surface of the substrate, depositing an amorphous carbon layer on the dielectric material layer by introducing a processing gas comprises one or more hydrocarbon compounds and an argon carrier gas, and generating a plasma of the processing gas by applying power from a dual-frequency RF source, etching the amorphous carbon layer to form a patterned amorphous carbon layer, and etching feature definitions in the dielectric material layer corresponding to the patterned amorphous carbon layer. The amorphous carbon layer may act as an etch stop, an anti-reflective coating, or both.

摘要翻译： 提供了沉积无定形碳材料的方法。 一方面，本发明提供了一种处理衬底的方法，包括在衬底的表面上形成介电材料层，通过引入包含一种或多种烃化合物和氩气的处理气体在电介质材料层上沉积无定形碳层 并且通过从双频RF源施加电力来产生处理气体的等离子体，蚀刻无定形碳层以形成图案化的非晶碳层，并且在对应于图案化无定形碳的电介质材料层中蚀刻特征定义 层。 无定形碳层可用作蚀刻停止层，抗反射涂层或两者。

公开(公告)号：US20050287771A1

公开(公告)日：2005-12-29

申请号：US11065464

申请日：2005-02-24

申请人： Martin Seamons ,  Wendy Yeh ,  Sudha Rathi ,  Deenesh Padhi ,  Andy Luan ,  Sum-Yee Tang ,  Priya Kulkarni ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Bok Kim ,  Hichem M'Saad ,  Yuxiang Wang ,  Michael Kwan

发明人： Martin Seamons ,  Wendy Yeh ,  Sudha Rathi ,  Deenesh Padhi ,  Andy Luan ,  Sum-Yee Tang ,  Priya Kulkarni ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Bok Kim ,  Hichem M'Saad ,  Yuxiang Wang ,  Michael Kwan

IPC分类号： C23C16/505 ,  H01L21/314 ,  H01L21/768 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/36

CPC分类号： C23C16/505 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76829

摘要： Methods are provided for depositing amorphous carbon materials. In one aspect, the invention provides a method for processing a substrate including positioning the substrate in a processing chamber, introducing a processing gas into the processing chamber, wherein the processing gas comprises a carrier gas, hydrogen, and one or more precursor compounds, generating a plasma of the processing gas by applying power from a dual-frequency RF source, and depositing an amorphous carbon layer on the substrate.

摘要翻译： 提供用于沉积无定形碳材料的方法。 一方面，本发明提供了一种处理衬底的方法，包括将衬底定位在处理室中，将处理气体引入处理室，其中处理气体包括载气，氢气和一种或多种前体化合物，产生 处理气体的等离子体，通过从双频RF源施加电力，以及在基板上沉积无定形碳层。

公开(公告)号：US20050199585A1

公开(公告)日：2005-09-15

申请号：US10800112

申请日：2004-03-12

申请人： Yuxiang Wang ,  David Bittrich ,  Christopher Bencher ,  Heraldo Botelho ,  Sudha Rathi ,  Michael Kwan

发明人： Yuxiang Wang ,  David Bittrich ,  Christopher Bencher ,  Heraldo Botelho ,  Sudha Rathi ,  Michael Kwan

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3213 ,  B44C1/22 ,  C23F1/00 ,  C23F3/00

CPC分类号： H01L21/67248 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/32139

摘要： Methods are provided for processing a substrate including etching conductive materials with amorphous carbon materials disposed thereon. In one aspect, the invention provides a method for processing a substrate including forming a conductive material layer on a surface of the substrate, depositing an amorphous carbon layer on the conductive material layer, etching the amorphous carbon layer to form a patterned amorphous carbon layer, and etching feature definitions in the conductive material layer corresponding to the patterned amorphous carbon layer. The amorphous carbon layer may act as a hardmask, an etch stop, or an anti-reflective coating.

摘要翻译： 提供了用于处理衬底的方法，该衬底包括设置在其上的非晶碳材料的蚀刻导电材料。 一方面，本发明提供一种处理衬底的方法，包括在衬底的表面上形成导电材料层，在导电材料层上沉积无定形碳层，蚀刻无定形碳层以形成图案化的无定形碳层， 并且在对应于图案化的无定形碳层的导电材料层中蚀刻特征定义。 无定形碳层可以用作硬掩模，蚀刻停止层或抗反射涂层。

公开(公告)号：US20090044753A1

公开(公告)日：2009-02-19

申请号：US12255638

申请日：2008-10-21

申请人： Deenesh Padhi ,  Chiu Chan ,  Sudha Rathi ,  Ganesh Balasubramanian ,  Jianhua Zhou ,  Karthik Janakiraman ,  Martin J. Seamons ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

发明人： Deenesh Padhi ,  Chiu Chan ,  Sudha Rathi ,  Ganesh Balasubramanian ,  Jianhua Zhou ,  Karthik Janakiraman ,  Martin J. Seamons ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4404

摘要： An article having a protective coating for use in semiconductor applications and methods for making the same are provided. In certain embodiments, a method of coating an aluminum surface of an article utilized in a semiconductor processing chamber is provided. The method comprises providing a processing chamber; placing the article into the processing chamber; flowing a first gas comprising a carbon source into the processing chamber; flowing a second gas comprising a nitrogen source into the processing chamber; forming a plasma in the chamber; and depositing a coating material on the aluminum surface. In certain embodiments, the coating material comprises an amorphous carbon nitrogen containing layer. In certain embodiments, the article comprises a showerhead configured to deliver a gas to the processing chamber.

摘要翻译： 提供了具有用于半导体应用的保护涂层的制品及其制造方法。 在某些实施例中，提供了在半导体处理室中使用的制品的铝表面的涂覆方法。 该方法包括提供处理室; 将物品放入处理室; 将包含碳源的第一气体流入所述处理室; 将包含氮源的第二气体流入所述处理室; 在室内形成等离子体; 以及在铝表面上沉积涂层材料。 在某些实施方案中，涂层材料包含无定形含碳氮层。 在某些实施例中，制品包括构造成将气体输送到处理室的喷头。

公开(公告)号：US20110104400A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12987688

申请日：2011-01-10

申请人： Deenesh Padhi ,  Hyoung-Chan Ha ,  Sudha Rathi ,  Derek R. Witty ,  Chiu Chan ,  Sohyun Park ,  Ganesh Balasubramanian ,  Karthik Janakiraman ,  Martin Jay Seamons ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Bok Hoen Kim ,  Hichem M'Saad

发明人： Deenesh Padhi ,  Hyoung-Chan Ha ,  Sudha Rathi ,  Derek R. Witty ,  Chiu Chan ,  Sohyun Park ,  Ganesh Balasubramanian ,  Karthik Janakiraman ,  Martin Jay Seamons ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Bok Hoen Kim ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： C23C26/00 ,  H05H1/24

CPC分类号： H01L21/02115 ,  C23C16/045 ,  C23C16/26 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3146

摘要： A method for depositing an amorphous carbon layer on a substrate includes the steps of positioning a substrate in a chamber, introducing a hydrocarbon source into the processing chamber, introducing a heavy noble gas into the processing chamber, and generating a plasma in the processing chamber. The heavy noble gas is selected from the group consisting of argon, krypton, xenon, and combinations thereof and the molar flow rate of the noble gas is greater than the molar flow rate of the hydrocarbon source. A post-deposition termination step may be included, wherein the flow of the hydrocarbon source and the noble gas is stopped and a plasma is maintained in the chamber for a period of time to remove particles therefrom.

摘要翻译： 在基板上沉积无定形碳层的方法包括以下步骤：将基板定位在室中，将烃源引入处理室，将重稀有气体引入处理室，以及在处理室中产生等离子体。 重稀土气体选自氩，氪，氙及其组合，惰性气体的摩尔流量大于烃源的摩尔流量。 可以包括沉积终止步骤，其中停止烃源和惰性气体的流动，并且将等离子体保持在室中一段时间​​以从中除去颗粒。

公开(公告)号：US20080003824A1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：US11427324

申请日：2006-06-28

申请人： Deenesh Padhi ,  Hyoung-Chan Ha ,  Sudha Rathi ,  Derek R. Wtty ,  Chiu Chan ,  Sohyun Park ,  Ganesh Balasubramanian ,  Karthik Janakiraman ,  Martin Jay Seamons ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Bok Hoen Kim ,  Hichem M'Saad

发明人： Deenesh Padhi ,  Hyoung-Chan Ha ,  Sudha Rathi ,  Derek R. Wtty ,  Chiu Chan ,  Sohyun Park ,  Ganesh Balasubramanian ,  Karthik Janakiraman ,  Martin Jay Seamons ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Bok Hoen Kim ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/3146 ,  C23C16/045 ,  C23C16/26 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/56 ,  H01L21/31144

摘要： A method for depositing an amorphous carbon layer on a substrate includes the steps of positioning a substrate in a chamber, introducing a hydrocarbon source into the processing chamber, introducing a heavy noble gas into the processing chamber, and generating a plasma in the processing chamber. The heavy noble gas is selected from the group consisting of argon, krypton, xenon, and combinations thereof and the molar flow rate of the noble gas is greater than the molar flow rate of the hydrocarbon source. A post-deposition termination step may be included, wherein the flow of the hydrocarbon source and the noble gas is stopped and a plasma is maintained in the chamber for a period of time to remove particles therefrom.

摘要翻译： 在基板上沉积无定形碳层的方法包括以下步骤：将基板定位在室中，将烃源引入处理室，将重稀有气体引入处理室，以及在处理室中产生等离子体。 重稀土气体选自氩，氪，氙及其组合，惰性气体的摩尔流量大于烃源的摩尔流量。 可以包括沉积终止步骤，其中停止烃源和惰性气体的流动，并且将等离子体保持在室中一段时间​​以从中除去颗粒。

公开(公告)号：US06927178B2

公开(公告)日：2005-08-09

申请号：US10732904

申请日：2003-12-10

申请人： Bok Hoen Kim ,  Sudha Rathi ,  Sang H. Ahn ,  Christopher D. Bencher ,  Yuxiang May Wang ,  Hichem M'Saad ,  Mario D. Silvetti ,  Miguel Fung ,  Keebum Jung ,  Lei Zhu

发明人： Bok Hoen Kim ,  Sudha Rathi ,  Sang H. Ahn ,  Christopher D. Bencher ,  Yuxiang May Wang ,  Hichem M'Saad ,  Mario D. Silvetti ,  Miguel Fung ,  Keebum Jung ,  Lei Zhu

IPC分类号： C23C16/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/76828 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/314 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  Y10S438/952

摘要： Methods are provided for depositing a dielectric material. The dielectric material may be used for an anti-reflective coating or as a hardmask. In one aspect, a method is provided for processing a substrate including introducing a processing gas comprising a silane-based compound and an oxygen and carbon containing compound to the processing chamber and reacting the processing gas to deposit a nitrogen-free dielectric material on the substrate. The dielectric material comprises silicon and oxygen. In another aspect, the dielectric material forms one or both layers in a dual layer anti-reflective coating.

摘要翻译： 提供了沉积电介质材料的方法。 电介质材料可用于抗反射涂层或硬掩模。 一方面，提供了一种处理基板的方法，包括将包含硅烷类化合物和含氧和碳的化合物的处理气体引入处理室，并使处理气体在基板上沉积无氮介电材料 。 介电材料包括硅和氧。 在另一方面，电介质材料在双层抗反射涂层中形成一层或两层。

公开(公告)号：US20120204795A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13456447

申请日：2012-04-26

申请人： Deenesh Padhi ,  Chiu Chan ,  Sudha Rathi ,  Ganesh Balasubramanian ,  Jianhua Zhou ,  Karthik Janakiraman ,  Martin J. Seamons ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

发明人： Deenesh Padhi ,  Chiu Chan ,  Sudha Rathi ,  Ganesh Balasubramanian ,  Jianhua Zhou ,  Karthik Janakiraman ,  Martin J. Seamons ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： C23C16/50

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4404

摘要： An article having a protective coating for use in semiconductor applications and methods for making the same are provided. In certain embodiments, a method of coating an aluminum surface of an article utilized in a semiconductor processing chamber is provided. The method comprises providing a processing chamber; placing the article into the processing chamber; flowing a first gas comprising a carbon source into the processing chamber; flowing a second gas comprising a nitrogen source into the processing chamber; forming a plasma in the chamber; and depositing a coating material on the aluminum surface. In certain embodiments, the coating material comprises an amorphous carbon nitrogen containing layer. In certain embodiments, the article comprises a showerhead configured to deliver a gas to the processing chamber.

摘要翻译： 提供了具有用于半导体应用的保护涂层的制品及其制造方法。 在某些实施例中，提供了在半导体处理室中使用的制品的铝表面的涂覆方法。 该方法包括提供处理室; 将物品放入处理室; 将包含碳源的第一气体流入所述处理室; 将包含氮源的第二气体流入所述处理室; 在室内形成等离子体; 以及在铝表面上沉积涂层材料。 在某些实施方案中，涂层材料包含无定形含碳氮层。 在某些实施例中，制品包括构造成将气体输送到处理室的喷头。

公开(公告)号：US20110090613A1

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：US12950105

申请日：2010-11-19

申请人： Ganesh Balasubramanian ,  Amit Bansal ,  Eller Y. Juco ,  Mohamad Ayoub ,  Hyung-Joon Kim ,  Karthik Janakiraman ,  Sudha Rathi ,  Deenesh Padhi ,  Martin Jay Seamons ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Bok Hoen Kim ,  Amir Al-Bayati ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad ,  Anton Baryshnikov ,  Chiu Chan ,  Shuang Liu

发明人： Ganesh Balasubramanian ,  Amit Bansal ,  Eller Y. Juco ,  Mohamad Ayoub ,  Hyung-Joon Kim ,  Karthik Janakiraman ,  Sudha Rathi ,  Deenesh Padhi ,  Martin Jay Seamons ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Bok Hoen Kim ,  Amir Al-Bayati ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad ,  Anton Baryshnikov ,  Chiu Chan ,  Shuang Liu

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/66 ,  G01R27/02

CPC分类号： H01L21/6831 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32431 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253

摘要： The present invention generally provides methods and apparatus for monitoring and maintaining flatness of a substrate in a plasma reactor. Certain embodiments of the present invention provide a method for processing a substrate comprising positioning the substrate on an electrostatic chuck, applying an RF power between the an electrode in the electrostatic chuck and a counter electrode positioned parallel to the electrostatic chuck, applying a DC bias to the electrode in the electrostatic chuck to clamp the substrate on the electrostatic chuck, and measuring an imaginary impedance of the electrostatic chuck.

摘要翻译： 本发明通常提供了用于监测和维持等离子体反应器中的基板的平坦度的方法和装置。 本发明的某些实施例提供了一种处理衬底的方法，包括将衬底定位在静电吸盘上，在静电吸盘中的电极与平行于静电吸盘的对置电极之间施加RF功率，将DC偏压施加到 静电卡盘中的电极将基板夹在静电卡盘上，并测量静电卡盘的虚拟阻抗。

公开(公告)号：US07514125B2

公开(公告)日：2009-04-07

申请号：US11680278

申请日：2007-02-28

申请人： Deenesh Padhi ,  Chiu Chan ,  Sudha Rathi ,  Ganesh Balasubramanian ,  Jianhua Zhou ,  Karthik Janakiraman ,  Martin J. Seamons ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

发明人： Deenesh Padhi ,  Chiu Chan ,  Sudha Rathi ,  Ganesh Balasubramanian ,  Jianhua Zhou ,  Karthik Janakiraman ,  Martin J. Seamons ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H05H1/24

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4404

摘要： Methods of making an article having a protective coating for use in semiconductor applications are provided. In certain embodiments, a method of coating an aluminum surface of an article utilized in a semiconductor processing chamber is provided. The method comprises providing a processing chamber; placing the article into the processing chamber; flowing a first gas comprising a carbon source into the processing chamber; flowing a second gas comprising a nitrogen source into the processing chamber; forming a plasma in the chamber; and depositing a coating material on the aluminum surface. In certain embodiments, the coating material comprises an amorphous carbon nitrogen containing layer. In certain embodiments, the article comprises a showerhead configured to deliver a gas to the processing chamber.

摘要翻译： 提供制造具有用于半导体应用中的保护涂层的制品的方法。 在某些实施例中，提供了在半导体处理室中使用的制品的铝表面的涂覆方法。 该方法包括提供处理室; 将物品放入处理室; 将包含碳源的第一气体流入所述处理室; 将包含氮源的第二气体流入所述处理室; 在室内形成等离子体; 以及在铝表面上沉积涂层材料。 在某些实施方案中，涂层材料包含无定形含碳氮层。 在某些实施例中，制品包括构造成将气体输送到处理室的喷头。