公开(公告)号：US09024299B2

公开(公告)日：2015-05-05

申请号：US12578439

申请日：2009-10-13

申请人： Zilan Li ,  Joshua Tseng ,  Thomas Witters ,  Stefan De Gendt

发明人： Zilan Li ,  Joshua Tseng ,  Thomas Witters ,  Stefan De Gendt

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L29/66 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785

摘要： A method for manufacturing a dual work function semiconductor device and the device made thereof are disclosed. In one aspect, a method includes providing a gate dielectric layer over a semiconductor substrate. The method further includes forming a metal layer over the gate dielectric layer. The method further includes forming a layer of gate filling material over the metal layer. The method further includes patterning the gate dielectric layer, the metal layer and the gate filling layer to form a first and a second gate stack. The method further includes removing the gate filling material only from the second gate stack thereby exposing the underlying metal layer. The method further includes converting the exposed metal layer into an metal oxide layer. The method further includes reforming the second gate stack with another gate filling material.

摘要翻译： 公开了一种制造双功能半导体器件的方法及其制造的器件。 一方面，一种方法包括在半导体衬底上提供栅介质层。 该方法还包括在栅介电层上形成金属层。 该方法还包括在金属层上形成栅极填充材料层。 该方法还包括图案化栅极介电层，金属层和栅极填充层以形成第一和第二栅极叠层。 该方法还包括仅从第二栅极堆叠去除栅极填充材料，从而暴露下面的金属层。 该方法还包括将暴露的金属层转变成金属氧化物层。 该方法还包括用另一种栅极填充材料重新构造第二栅极堆叠。

公开(公告)号：US20100109095A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12578439

申请日：2009-10-13

申请人： Zilan Li ,  Joshua Tseng ,  Thomas Witters ,  Stefan De Gendt

发明人： Zilan Li ,  Joshua Tseng ,  Thomas Witters ,  Stefan De Gendt

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785

摘要： A method for manufacturing a dual work function semiconductor device and the device made thereof are disclosed. In one aspect, a method includes providing a gate dielectric layer over a semiconductor substrate. The method further includes forming a metal layer over the gate dielectric layer. The method further includes forming a layer of gate filling material over the metal layer. The method further includes patterning the gate dielectric layer, the metal layer and the gate filling layer to form a first and a second gate stack. The method further includes removing the gate filling material only from the second gate stack thereby exposing the underlying metal layer. The method further includes converting the exposed metal layer into an metal oxide layer. The method further includes reforming the second gate stack with another gate filling material.

摘要翻译： 公开了一种制造双功能半导体器件的方法及其制造的器件。 一方面，一种方法包括在半导体衬底上提供栅介质层。 该方法还包括在栅介电层上形成金属层。 该方法还包括在金属层上形成栅极填充材料层。 该方法还包括图案化栅极介电层，金属层和栅极填充层以形成第一和第二栅极叠层。 该方法还包括仅从第二栅极堆叠去除栅极填充材料，从而暴露下面的金属层。 该方法还包括将暴露的金属层转变成金属氧化物层。 该方法还包括用另一种栅极填充材料重新构造第二栅极堆叠。

公开(公告)号：US07964039B2

公开(公告)日：2011-06-21

申请号：US12205596

申请日：2008-09-05

申请人： Adam Michal Urbanowicz ,  Mikhaïl Baklanov ,  Denis Shamiryan ,  Stefan De Gendt

发明人： Adam Michal Urbanowicz ,  Mikhaïl Baklanov ,  Denis Shamiryan ,  Stefan De Gendt

IPC分类号： B08B7/00 ,  B08B7/04 ,  B08B9/00

CPC分类号： C23C16/4405 ,  B08B7/0057

摘要： An improved reaction chamber cleaning process is provided for removing water residues that makes use of noble-gas plasma reactions. The method is easy applicable and may be combined with standard cleaning procedure. A noble-gas plasma (e.g. He) that emits high energy EUV photons (E>20 eV) which is able to destruct water molecules to form electronically excited oxygen atoms is used to remove the adsorbed water.

摘要翻译： 提供了一种改进的反应室清洁方法，用于除去利用惰性气体等离子体反应的水残余物。 该方法易于应用，可与标准清洗程序结合使用。 使用能够破坏水分子形成电子激发的氧原子的高能量EUV光子（E> 20eV）的稀有气体等离子体（例如He）去除吸附的水。

公开(公告)号：US08211812B2

公开(公告)日：2012-07-03

申请号：US12104353

申请日：2008-04-16

申请人： Lars-Ake Ragnarsson ,  Paul Zimmerman ,  Kazuhiko Yamamoto ,  Tom Schram ,  Wim Deweerd ,  David Brunco ,  Stefan De Gendt ,  Wilfried Vandervorst

发明人： Lars-Ake Ragnarsson ,  Paul Zimmerman ,  Kazuhiko Yamamoto ,  Tom Schram ,  Wim Deweerd ,  David Brunco ,  Stefan De Gendt ,  Wilfried Vandervorst

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/316 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： One inventive aspect relates to a method for fabricating a high-k dielectric layer. The method comprises depositing onto a substrate a layer of a high-k dielectric material having a first thickness. The high-k dielectric material has a bulk density value and the first thickness is so that the high-k dielectric layer has a density of at least the bulk density value of the high-k dielectric material minus about 10%. The method further comprises thinning the high-k dielectric layer to a second thickness. Another inventive aspect relates to a semiconductor device comprising a high-k dielectric layer as fabricated by the method.

摘要翻译： 本发明的一个方面涉及一种用于制造高k电介质层的方法。 该方法包括在基底上沉积具有第一厚度的高k电介质材料的层。 高k电介质材料具有体积密度值，第一厚度使得高k电介质层具有至少高k电介质材料的体积密度值减去约10％的密度。 该方法还包括将高k电介质层变薄至第二厚度。 另一个发明方面涉及包括通过该方法制造的高k电介质层的半导体器件。

公开(公告)号：US08021948B2

公开(公告)日：2011-09-20

申请号：US12338015

申请日：2008-12-18

申请人： Bogdan Govoreanu ,  Stefan De Gendt ,  Sven Van Elshocht ,  Tom Schram

发明人： Bogdan Govoreanu ,  Stefan De Gendt ,  Sven Van Elshocht ,  Tom Schram

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825

摘要： A method for manufacturing a non-volatile memory device is described. The method comprises growing a layer in a siliconoxide consuming material, e.g. DyScO, on top of the upper layer of the layer where charge is stored. A non-volatile memory device is also described. In the non-volatile memory device, the interpoly/blocking dielectric comprises a layer in a siliconoxide consuming material, e.g. DyScO, on top of the upper layer of the layer where charge is stored, the siliconoxide consuming material having consumed at least part of the upper layer.

摘要翻译： 描述了用于制造非易失性存储器件的方法。 该方法包括在氧化硅消耗材料中生长一层，例如。 DyScO，在存储电荷的层的上层之上。 还描述了非易失性存储器件。 在非易失性存储器件中，多晶硅/绝缘电介质包括一层二氧化硅消耗材料， DyScO，在存储电荷的层的上层的顶部，消耗了上层的至少一部分的氧化硅消耗材料。

公开(公告)号：US20110253981A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：US13083387

申请日：2011-04-08

申请人： Rita Rooyackers ,  Daniele Leonelli ,  Anne Vandooren ,  Anne S. Verhulst ,  Roger Loo ,  Stefan De Gendt

发明人： Rita Rooyackers ,  Daniele Leonelli ,  Anne Vandooren ,  Anne S. Verhulst ,  Roger Loo ,  Stefan De Gendt

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L29/7391 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/823885 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66356

摘要： The present disclosure provides a method for manufacturing at least one nanowire Tunnel Field Effect Transistor (TFET) semiconductor device. The method comprises providing a stack comprising a layer of channel material with on top thereof a layer of sacrificial material, removing material from the stack so as to form at least one nanowire from the layer of channel material and the layer of sacrificial material, and replacing the sacrificial material in the at least one nanowire by heterojunction material. A method according to embodiments of the present disclosure is advantageous as it enables easy manufacturing of complementary TFETs.

摘要翻译： 本公开提供了一种用于制造至少一个纳米线隧道场效应晶体管（TFET）半导体器件的方法。 该方法包括提供包括沟道材料层的堆叠，其顶部具有牺牲材料层，从堆叠中去除材料，以便从沟道材料层和牺牲材料层形成至少一个纳米线，并且代替 通过异质结材料在至少一个纳米线中的牺牲材料。 根据本公开的实施例的方法是有利的，因为其能够容易地制造互补的TFET。

公开(公告)号：US20110006406A1

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：US12831935

申请日：2010-07-07

申请人： Adam Michal Urbanowicz ,  Patrick Verdonck ,  Denis Shamiryan ,  Kris Vanstreels ,  Mikhail Baklanov ,  Stefan De Gendt

发明人： Adam Michal Urbanowicz ,  Patrick Verdonck ,  Denis Shamiryan ,  Kris Vanstreels ,  Mikhail Baklanov ,  Stefan De Gendt

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/31

CPC分类号： C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/7682 ,  H01L2221/1047

摘要： A method is provided for producing a porogen-residue-free ultra low-k film with porosity higher than 50% and a high elastic modulus above 5 GPa. The method starts with depositing a SiCOH film using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PE-CVD) or Chemical Vapor Deposition (CVD) onto a substrate and then first Performing an atomic hydrogen treatment at elevated wafer temperature in the range of 200° C. up to 350° C. to remove all the porogens and then performing a UV assisted thermal curing step.

摘要翻译： 提供一种制备孔隙率高于50％和高于5GPa的高弹性模量的无致孔剂残留超低k膜的方法。 该方法开始于使用等离子体增强化学气相沉积（PE-CVD）或化学气相沉积（CVD）将SiCOH膜沉积到衬底上，然后首先在升高的晶片温度下在200℃范围内进行原子氢处理 至350℃以除去所有的致孔剂，然后进行UV辅助热固化步骤。

公开(公告)号：US07579285B2

公开(公告)日：2009-08-25

申请号：US11484229

申请日：2006-07-10

申请人： Paul Zimmerman ,  Matty Caymax ,  Stefan De Gendt ,  Annelies Delabie ,  Lars-Ake Ragnarsson

发明人： Paul Zimmerman ,  Matty Caymax ,  Stefan De Gendt ,  Annelies Delabie ,  Lars-Ake Ragnarsson

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： C23C16/45536 ,  C23C16/405 ,  C23C16/482 ,  C23C16/483 ,  H01L21/3141

摘要： The invention is related to an ALD method for depositing a layer including the steps of a) providing a semiconductor substrate in a reactor; b) providing a pulse of a first precursor gas into the reactor; c) providing a pulse of a second precursor gas into the reactor; d) providing an inert atmosphere in the reactor; and e) repeating step b) through step d), wherein at least once during step d) the semiconductor substrate is exposed to UV irradiation.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于沉积层的ALD方法，包括以下步骤：a）在反应器中提供半导体衬底; b）将第一前体气体的脉冲提供到反应器中; c）向所述反应器提供第二前体气体的脉冲; d）在反应器中提供惰性气氛; 和e）重复步骤b）至步骤d），其中在步骤d）期间至少一次使半导体衬底暴露于UV照射。

公开(公告)号：US20090166715A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：US12338015

申请日：2008-12-18

申请人： Bogdan Govoreanu ,  Stefan De Gendt ,  Sven Van Elshocht ,  Tom Schram

发明人： Bogdan Govoreanu ,  Stefan De Gendt ,  Sven Van Elshocht ,  Tom Schram

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825

摘要： A method for manufacturing a non-volatile memory device is described. The method comprises growing a layer in a siliconoxide consuming material, e.g. DyScO, on top of the upper layer of the layer where charge is stored. A non-volatile memory device is also described. In the non-volatile memory device, the interpoly/blocking dielectric comprises a layer in a siliconoxide consuming material, e.g. DyScO, on top of the upper layer of the layer where charge is stored, the siliconoxide consuming material having consumed at least part of the upper layer.

摘要翻译： 描述了用于制造非易失性存储器件的方法。 该方法包括在氧化硅消耗材料中生长一层，例如。 DyScO，在存储电荷的层的上层之上。 还描述了非易失性存储器件。 在非易失性存储器件中，多晶硅/绝缘电介质包括一层二氧化硅消耗材料， DyScO，在存储电荷的层的上层的顶部，消耗了上层的至少一部分的氧化硅消耗材料。

公开(公告)号：US20110291179A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US13207961

申请日：2011-08-11

申请人： Bogdan Govoreanu ,  Stefan De Gendt ,  Sven Van Elshocht ,  Tom Schram

发明人： Bogdan Govoreanu ,  Stefan De Gendt ,  Sven Van Elshocht ,  Tom Schram

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825

摘要： A method for manufacturing a non-volatile memory device is described. The method comprises growing a layer in a siliconoxide consuming material, e.g. DyScO, on top of the upper layer of the layer where charge is stored. A non-volatile memory device is also described. In the non-volatile memory device, the interpoly/blocking dielectric comprises a layer in a siliconoxide consuming material, e.g. DyScO, on top of the upper layer of the layer where charge is stored, the siliconoxide consuming material having consumed at least part of the upper layer.

摘要翻译： 描述了用于制造非易失性存储器件的方法。 该方法包括在氧化硅消耗材料中生长一层，例如。 DyScO，在存储电荷的层的上层之上。 还描述了非易失性存储器件。 在非易失性存储器件中，多晶硅/绝缘电介质包括一层二氧化硅消耗材料， DyScO，在存储电荷的层的上层的顶部，消耗了上层的至少一部分的氧化硅消耗材料。