公开(公告)号：WO2014163378A1

公开(公告)日：2014-10-09

申请号：PCT/KR2014/002791

申请日：2014-04-01

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 어영주 ,  윤경훈 ,  안세진 ,  곽지혜 ,  윤재호 ,  조아라 ,  신기식 ,  안승규 ,  조준식 ,  유진수 ,  박상현 ,  박주형

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541

Abstract: 본 발명은 황동광계 태양전지의 광흡수층을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 황동광계 화합물의 전구체를 포함하는 박막을 형성하는 단계; 및 상기 박막에 빛을 조사하는 단계를 포함하며, 상기 황동광계 화합물 전구체가 빛 에너지를 흡수하여 결정화가 진행되는 것을 특징으로 한다. 본 발명은, 황동광계 광흡수층을 형성하는 과정에서 열을 가하지 않고 빛을 이용함으로써, 열에 의해서 기판이 손상되는 문제없이 황동광계 광흡수층을 형성할 수 있는 효과가 있다. 또한, 황동광계 광흡수층을 형성하는 과정에서 열을 가하지 않고 빛을 이용 함으로써, 몰리브덴 후면전극이 가열되어 MoSe 2 가 형성되는 문제가 없다. 나아가, 박막에 깊이 침투하는 장파장 범위의 빛을 먼저 조사하고 얕게 침투 하는 단파장 범위의 빛을 나중에 조사함으로써, 아래쪽에서부터 순차적으로 황동광 계 광흡수층을 형성할 수 있는 효과가 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种在太阳能电池中形成黄铜矿光吸收层的方法，包括以下步骤：形成包含黄铜矿化合物前体的薄膜; 并且在所述薄膜上照射光，其中所述黄铜矿化合物前体吸收光能，从而进行结晶。 本发明提供了在形成黄铜矿光吸收层的步骤中，通过使用光而不是加热来形成黄铜矿光吸收层的优点，而不会受到热损坏基板的问题。 此外，通过在形成黄铜矿光吸收层的步骤中通过使用光而不是加热来防止由于钼后电极的加热导致的MoSe 2形成的问题。 此外，通过首先照射深度深入薄膜的长波长范围的光，然后照射不属于短波长范围的光，从底部依次形成黄铜矿光吸收层， 深入渗透薄膜。

公开(公告)号：WO2014098350A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：PCT/KR2013/007946

申请日：2013-09-03

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 조아라 ,  윤경훈 ,  안세진 ,  윤재호 ,  어영주 ,  곽지혜 ,  신기식 ,  안승규 ,  조준식 ,  유진수 ,  박상현 ,  박주형

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035209 ,  C01B19/00 ,  C01B19/007 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/541

Abstract: 코어 (Se)-쉘 (Ag2Se) 나노입자를 이용한 A(C)IGS계 박막의 제조방법, 이에 의해 제조된 A(C) IGS계 박막 및 이를 포함하는 탠덤 태양전지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 코어 (Se)-쉘 (Ag 2 Se) 나노입자를 이용한 슬러리를 비진공 코팅하여 치밀화된 박막을 제조하는 방법, 이에 의해 제조된 A(C)IGS계 박막 및 이를 포함하는 탠덤 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 코어 (Se)-쉘 (Ag 2 Se) 나노입자를 (C) IGS계 박막 제조에 적용하여 Ag가 포함된 A(C) IGS계 박막을 제조함으로써 와이드 밴드 갭 A(C) IGS계 박막을 제공할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种使用芯（Se） - 壳（Ag2Se）纳米颗粒制造A（C）IGS薄膜的方法，涉及使用该方法制造的A（C）IGS薄膜，以及一种串联太阳能电池，包括 更具体地说，涉及使用芯（Se） - 壳（Ag2Se）纳米粒子的非真空涂布浆料致密化的薄膜的方法，涉及使用该方法制造的A（C）IGS薄膜， 串联太阳能电池包括相同的。 根据本发明，通过在制造（C）IGS薄膜的工艺中应用芯（Se）-Shell（Ag2Se）纳米颗粒制造包括Ag的A（C）IGS薄膜，从而提供宽带隙A （C）IGS薄膜。

公开(公告)号：WO2014025227A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：PCT/KR2013/007195

申请日：2013-08-09

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 조아라 ,  윤경훈 ,  안세진 ,  윤재호 ,  곽지혜 ,  신기식 ,  박상현 ,  박주형 ,  유진수 ,  조준식 ,  안승규 ,  어영주

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/03923 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 CI(G)S계 원소를 포함하는 두 종류 이상의 이성분계 나노입자，CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 알코올계 용매 및 킬레이트제를 혼합하여 제조한 슬러리를 사용함으로써 CI(G)S계 박막과 몰리브데늄 사이에 형성되는 탄소층을 감소시킬 수 있는 CI(G)S계 박막의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로는，본 발명에 따른 CI(G)S계 박막의 제조방법은 CI(G)S계 원소를 포함하는 두 종류 이상의 이성분계 나노입자， CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 알코올계 용매 및 킬레이트제를 혼합하여 슬러리를 제조하는 단계(단계 a); 상기 슬러리를 비진공 코팅하여 CI(G)S계 박막을 형성하는 단계(단계 b); 및 상기 형성된 CI(G)S계 박막에 셀렌화 열처리하는 단계(단계 c)를 포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造CI（G）S基薄膜的方法，其中通过混合两种或更多种类型的包含CI（G）S基元素的二元纳米颗粒制备的浆料，包含CI（G ）使用S基元素，醇类溶剂和螯合剂，以减少在CI（G）S基薄膜和钼之间形成的碳层。 更具体地说，根据本发明的制备CI（G）S基薄膜的方法包括：通过混合两种或更多种包含CI（G）S-型薄膜的二元纳米颗粒来制备浆料的步骤（步骤a） 包含CI（G）S基元素，醇基溶剂和螯合剂的溶液前体; 通过非真空涂布浆料形成CI（G）S基薄膜的步骤（步骤b） 以及对所形成的CI（G）S基薄膜进行硒化的步骤（步骤c）。

公开(公告)号：WO2013141644A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：PCT/KR2013/002392

申请日：2013-03-22

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 안승규 ,  윤경훈 ,  윤재호 ,  조준식 ,  안세진 ,  곽지혜 ,  신기식 ,  조아라 ,  유진수 ,  박상현 ,  박주형 ,  어영주

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 후면전극 표면에 텍스처가 형성된 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법에 관한 것으로， 기판을 준비하는 단계; 상기 기판에 후면전극을 형성하는 단계; 상기 후면 전극의 표면에 후면텍스처를 형성하는 단계; 상기 후면 전극 위에 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 광흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 위에 투명전극을 형성하는 단계; 및 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처를 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의한 후면전극 표면에 텍스처가 형성된 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지는，기판; 상기 기판 위에 형성된 후면전극; 상기 후면 전극 위에 형성된 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층; 상기 광흡수층 위에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형성된 투명전극올 포함하여 구성되고，상기 광흡수층에 접하는 상기 후면전극의 표면에 후면텍스처 구조가 형성되며，상기 투명전극의 표면에 전면텍스처 구조가 형성된 것을 특징으로 한다. 본 발명은， 전면텍스처와 후면텍스처의 2중 텍스처 구조를 구비하여 광포획 성능이 크게 증가하여，태양전지의 광전변환효율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有双面纹理结构的硫族化物太阳能电池的制造方法，其中在后表面电极的表面上形成纹理，并且包括以下步骤：制备衬底; 在所述基板的顶部上形成背面电极; 在后表面电极的表面上形成背面纹理; 在后表面电极的顶部形成由硫族化物半导体材料制成的光吸收层; 在光吸收层的顶部形成缓冲层; 在缓冲层的顶部形成透明电极; 并且在透明电极的表面上形成正面结构。 根据本发明，具有在背面电极的表面上形成纹理的双重结构结构的硫族化物太阳能电池包括：基板; 形成在基板顶部的背面电极; 由形成在背面电极顶部的硫族化物半导体材料制成的光吸收层; 所述缓冲层形成在所述光吸收层的顶部; 以及形成在缓冲层顶部的透明电极，其中在与光吸收层收缩的背面电极的表面上形成后表面纹理结构，并且其中在 透明电极的表面。 本发明通过具有包括前表面纹理和后表面纹理的双重纹理结构，提供了由于光捕获能力的显着增加而增加光电转换效率的优点。

公开(公告)号：WO2013137587A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：PCT/KR2013/001808

申请日：2013-03-06

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 어영주 ,  윤경훈 ,  안세진 ,  곽지혜 ,  윤재호 ,  조아라 ,  신기식 ,  안승규 ,  조준식 ,  유진수 ,  박상현 ,  박주형

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 CIGS계 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 태양전지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 CIGS계 전구체 박막을 형성하기 전 몰리브덴 전극이 형성된 소듐 무함유 기판 표면의 일부에 소듐 공급원 박막을 형성함으로써 태양전지의 광흡수층인 CIGS계 박막의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 CIGS계 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 소듐 무함유 기판을 사용하여 기판 내 존재하는 무분별한 소듐 성분의 확산을 방지하고, 별도의 소듐 공급원을 통해 태양전지의 광흡수층인 CIGS계 박막 내에 소듐 성분을 제공하여 태양전지의 효율을 향상시키는 효과가 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造CIGS薄膜太阳能电池的方法及其制造的太阳能电池，更具体地说，涉及制造CIGS薄膜太阳能电池的方法和由此制造的太阳能电池，其中 通过在成膜前在不含钠的基板的表面的一部分表面形成钠源薄膜，从而提高作为太阳能电池的光吸收层的CIGS薄膜的电性能。 前体CIGS薄膜。 根据本发明，使用不含钠的基板来防止基板的不希望的钠含量的扩散，并且在从分离的太阳能电池的太阳能电池的光吸收层的CIGS薄膜中提供钠含量 钠源，以提高太阳能电池的效率。

公开(公告)号：WO2013048006A2

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：PCT/KR2012/006462

申请日：2012-08-14

Applicant: 한국에너지기술연구원 ,  조준식 ,  박상현 ,  윤재호 ,  신기식 ,  유진수 ,  윤경훈

Inventor： 조준식 ,  박상현 ,  윤재호 ,  신기식 ,  유진수 ,  윤경훈

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/1888 ,  Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 전기적 특성과 광포획 능력이 모두 뛰어난 투명전도막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 의한 이중구조 투명전도성막은, 태양전지의 전면 반사 방지막이나 전면전극 또는 후면 반사막으로 사용되는 투명전도막으로서, 광투과층과; 일면은 상기 광투과층에 접하고, 타면에는 표면 텍스처 구조가 형성된 광포획층으로 구성되며, 상기 광투과층의 전기전도도 A와 상기 광포획층의 전기전도도 a는 A>a의 관계가 있고, 상기 광투과층의 에칭성 B와 상기 광포획층의 에칭성 b는 B a의 관계가 있고, 상기 광투과층의 에칭성 B와 상기 광포획층의 에칭성 b는 B

Abstract translation:

本发明的电性能和光捕获为能够既对优良的透明导电膜及其制造的方法，根据本发明的前抗反射涂层或太阳能电池的前电极，透明导电膜的双层结构 或者后反射膜，包括：透光层; 一侧是导电性和a是A＆上与所述光透过层接触GT，另一个表面具有表面纹理和结构由形成光俘获层的，光透射层导电A和光俘获层;和关系的方法，其中 透光层的蚀刻特性B和光俘获层的蚀刻特性b具有B