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公开(公告)号：WO2022186064A1
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：PCT/JP2022/007829
申请日：2022-02-25
Applicant: ローム株式会社
Inventor： 内貴 崇
Abstract: 自己診断装置１００は、情報出力部１７０にあらかじめ定められた自己診断情報を出力する自己診断制御部１１２と、自己診断情報に対応して情報出力部１７０から出力される出力情報を検知し、検知結果を検知情報として出力する情報検知部１４０と、自己診断情報と検知情報とを、あらかじめ定められた同期ウィンドウ期間の間に比較し、比較した結果の差異情報があらかじめ定められた範囲情報を超える場合に、情報出力部１７０に異常が存在すると判定し、異常情報を出力する異常判定部１１４とを備える。
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公开(公告)号：WO2022185783A1
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：PCT/JP2022/002572
申请日：2022-01-25
Applicant: ローム株式会社
IPC: H04L25/02
Abstract: 送信回路は、第１電圧が印加されるように構成される第１端子と、第２端子と、第３端子と、第１電圧より低い第２電圧が印加されるように構成される第４端子と、を備える。送信回路は、さらに、第１端子と第２端子との間に設けられる第１可変抵抗部と、第３端子と第４端子との間に設けられる可変抵抗部と、送信データに基づき第１，２可変抵抗部の各抵抗値を制御するように構成される制御部と、を備える。第１，２可変抵抗部はそれぞれ、抵抗とスイッチの直列回路を複数並列接続した回路である。第１可変抵抗部は、第１可変抵抗部内に設けられる複数のスイッチの少なくとも一部に対する電荷の吸収及び放出が可能なように構成される第１電荷調整部を備える。第２可変抵抗部は、第２可変抵抗部内に設けられる複数のスイッチの少なくとも一部に対する電荷の吸収及び放出が可能なように構成される第２電荷調整部を備える。
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公开(公告)号：WO2022176729A1
公开(公告)日：2022-08-25
申请号：PCT/JP2022/005049
申请日：2022-02-09
Applicant: ローム株式会社
Inventor： 平田 茂
Abstract: 半導体装置は、ＩＣと、前記ＩＣが接合されたアイランド部を有する第１リードと、帯状部を有する第２リードと、前記第１リードを間に挟んで前記第２リードから離間し、かつ前記ＩＣに導通する複数の追加リードと、前記ＩＣと前記複数の追加リードとに接合された複数のワイヤと、を備える。厚さ方向に視て、前記複数の追加リードは、それぞれ、前記アイランド部に対向する端縁を有する。前記厚さ方向に視て、前記帯状部は、一対の長状縁を有する。前記厚さ方向に視て、前記帯状部に最も近い追加リードの端縁は、前記厚さ方向に直交する所定の方向において前記一対の長状縁の間に位置する。
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公开(公告)号：WO2022168606A1
公开(公告)日：2022-08-11
申请号：PCT/JP2022/001749
申请日：2022-01-19
Applicant: ローム株式会社
Inventor： 松原 弘招
Abstract: 半導体装置は、複数のリードを含む導通支持体と、前記導通支持体に支持された第１半導体素子と、前記導通支持体に支持された第２半導体素子と、前記導通支持体に支持され、且つ前記第１半導体素子と前記第２半導体素子とに電気的に接続され、且つ前記第１半導体素子および前記第２半導体素子を互いに絶縁する第３半導体素子と、前記第１半導体素子、前記第２半導体素子および前記第３半導体素子、並びに、前記導通支持体の一部を覆う封止樹脂と、を備える。前記導通支持体は、前記リードの厚さ方向に視て前記第１半導体素子と重なる第１部と、前記厚さ方向に視て前記第２半導体素子と重なる第２部と、前記厚さ方向に視て前記第３半導体素子と重なる第３部と、を含む。前記第３部の材料は、比透磁率が１００未満である非磁性材料である。
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公开(公告)号：WO2022163400A1
公开(公告)日：2022-08-04
申请号：PCT/JP2022/001316
申请日：2022-01-17
Applicant: ローム株式会社
Inventor： 椙村 直嗣
Abstract: 固体電解コンデンサは、陽極を構成する多孔質焼結体と、前記多孔質焼結体上に形成された誘電体層と、前記誘電体層上に形成された固体電解質層と、前記固体電解質層上に形成され且つ陰極を構成する導電体層と、を備える。前記固体電解質層は、前記誘電体層上に形成された第１層を含む。前記第１層は、電解液を含んでいる。前記電解液は、たとえば、エチレングリコール、ジメチルホルムアミド、γ-ブチロラクトン、ポリアルキレングリコール、ポリアルキレントリオールおよびこれらの誘導体からなる群から選ばれる少なくとも１種である。あるいは、前記電解液は、ポリマー系電解液またはカーボネート系電解液である。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2022163052A1
公开(公告)日：2022-08-04
申请号：PCT/JP2021/040770
申请日：2021-11-05
Applicant: ローム株式会社
IPC: C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/12 , C30B25/20 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/872
Abstract: 本開示のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造装置（２）は、成長炉（１００Ａ）と、成長炉（１００Ａ）の外部に配置され、キャリアガス及び／又は材料ガスを混合及び調圧するガス混合予備室（１０７）と、ＳｉＣ単結晶を備える基板２枚を背合わせに接触させた複数のＳｉＣウェハペア（２００ＷＰ）を互いに隙間を空けて等間隔に配置できるように構成されたウェハボート（２１０）と、成長炉（１００Ａ）内に設置したウェハボート（２１０）をエピタキシャル成長温度まで加熱する加熱部（１０１）とを備える。キャリアガス及び／又は材料ガスは、ガス混合予備室（１０７）において事前に混合及び調圧を行った後に成長炉（１００Ａ）に導入し、複数のＳｉＣウェハペア（２００ＷＰ）の表面にＳｉＣ層を成長させる。高品質で、コスト低減可能なＳｉＣエピタキシャルウェハの製造装置を提供する。
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公开(公告)号：WO2022158322A1
公开(公告)日：2022-07-28
申请号：PCT/JP2022/000420
申请日：2022-01-07
Applicant: ローム株式会社
Inventor： 柴田 幸太郎
Abstract: 半導体装置は、複数の半導体素子を備える。各半導体素子は、第１～第３電極を有し、第３電極に入力される駆動信号に応じて、第１および第２電極間がオンオフ制御される。前記複数の半導体素子それぞれの第１電極同士は互いに電気的に接続されており、前記複数の半導体素子それぞれの第２電極同士は互いに電気的に接続されている。前記半導体装置はさらに、前記駆動信号が入力される制御端子と、この制御端子に接続された第１配線部と、第２配線部と、複数の第３配線部とを備えるとともに、前記第１配線部と前記第２配線部とを導通させる第１接続部材と、前記第２配線部と前記複数の第３配線部の各々とを導通させる第２接続部材と、前記複数の第３配線部と前記複数の第１半導体素子それぞれの第３電極とを導通させる複数の第３接続部材とを備える。
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公开(公告)号：WO2022145266A1
公开(公告)日：2022-07-07
申请号：PCT/JP2021/046945
申请日：2021-12-20
Applicant: ローム株式会社
Inventor： 二村 羊水
Abstract: 半導体装置は、厚さ方向を向く主面を有する支持部材と、前記主面の上に搭載された半導体素子と、前記主面と前記半導体素子とを接合する接合層と、を備える。前記支持部材は、基材と、前記基材の上に積層され、かつ前記主面を含む金属層と、を有する。前記支持部材は、前記接合層が接する第１領域と、前記厚さ方向に視て前記第１領域に隣接する第２領域と、を含む。前記接合層は、固相である金属組成物を含む。前記金属組成物の液相に対する撥液性が、前記第１領域よりも前記第２領域の方が高い。
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公开(公告)号：WO2022145250A1
公开(公告)日：2022-07-07
申请号：PCT/JP2021/046445
申请日：2021-12-16
Applicant: ローム株式会社
Inventor： 林口 匡司
Abstract: 半導体装置は、各々が、第１電極、第２電極および第３電極を有し、前記第３電極に入力される駆動信号に応じて、前記第１電極および前記第２電極間がオンオフ制御される複数の半導体素子を備える。また当該半導体装置は、前記駆動信号が入力される制御端子と、前記制御端子が接続された第１配線部と、前記第１配線部から離間する第２配線部と、前記第１配線部と前記第２配線部とを導通させる第１接続部材と、前記第２配線部と前記複数の半導体素子のいずれかの前記第３電極とを導通させる第２接続部材と、を備える。前記複数の半導体素子それぞれの第１電極同士が電気的に接続されており、前記複数の半導体素子それぞれの第２電極同士が電気的に接続されている。
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公开(公告)号：WO2022145177A1
公开(公告)日：2022-07-07
申请号：PCT/JP2021/044725
申请日：2021-12-06
Applicant: ローム株式会社
Abstract: 半導体装置は、半導体制御素子、第１駆動素子、第２駆動素子、第１絶縁素子、および第２絶縁素子を備える。平面視において、前記第１駆動素子および前記第２駆動素子は、前記半導体制御素子を基準として互いに反対側に配置されている。前記第１絶縁素子は、前記半導体制御素子と前記第１駆動素子との間に配置され、かつ、前記半導体制御素子から前記第１駆動素子へ送信される信号を中継し、かつ、前記半導体制御素子および前記第１駆動素子を互いに絶縁している。前記第２絶縁素子は、前記半導体制御素子と前記第２駆動素子との間に配置され、かつ、前記半導体制御素子から前記第２駆動素子へ送信される信号を中継し、かつ、前記半導体制御素子および前記第２駆動素子を互いに絶縁している。
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