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公开(公告)号：WO2020240679A1
公开(公告)日：2020-12-03
申请号：PCT/JP2019/021021
申请日：2019-05-28
Applicant: 三菱電機株式会社
IPC: C02F1/48
Abstract: 電極の消耗、損傷を抑制し、高効率な水処理を実現する水処理装置を得る。 水処理装置（１００）は、互いに平行且つ鉛直に配置された少なくとも２枚の平板状の接地電極（１３）の間に、高圧電極（１５）を備えている。高圧電極（１５）の第一端面（１６ａ）と第二端面（１６ｂ）はそれぞれ接地電極（１３）と対向しており、第一端面（１６ａ）と接地電極（１３）の距離は、第二端面（１６ｂ）と接地電極（１３）の距離よりも短く、第一端面（１６ａ）は第二端面（１６ｂ）よりも鉛直上方に位置している。これにより、被処理水（２２）が高圧電極（１５）付着することに伴い生じるスパーク放電が抑制され、高圧電極（１５）および接地電極（１３）の消耗または損傷が抑制され、効率的な水処理が可能である。
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公开(公告)号：WO2020235046A1
公开(公告)日：2020-11-26
申请号：PCT/JP2019/020267
申请日：2019-05-22
Applicant: 三菱電機株式会社
Inventor： 鷲野 将臣
Abstract: 回路基板（２）、回路基板（２）の両側部にそれぞれ分かれて配列された入力端子（８）と出力端子（９）、一端が入力端子（８）のそれぞれに接続され、他端同士が中性点に接続された線間コンデンサ（３）、一端が出力端子（９）のそれぞれに接続され、他端同士が中性点に接続された線間コンデンサ（４）、および、一端が入力端子（８）のそれぞれと接続され、他端が出力端子（９）のうち、端子配列における当該入力端子の対角に位置する出力端子と接続されるコイル（５２）を有するチョークコイル（５）、を備えるように構成した。
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公开(公告)号：WO2020235044A1
公开(公告)日：2020-11-26
申请号：PCT/JP2019/020265
申请日：2019-05-22
Applicant: 三菱電機株式会社
IPC: H01H33/666 , H01H33/38
Abstract: 開閉器の開閉動作を制御する制御基板に異常が生じた場合でも迅速に開閉制御を再開させることができる電磁操作装置を得ることを目的とする。 電磁操作装置（１００）は、開閉器（１）の可動側に接続されて開閉器（１）を開閉させる電磁操作部と、電磁操作部（４）への電力供給を制御して開閉器（１）の開閉動作を制御する駆動電源部を備えている。通常時において、電磁操作部（４）と駆動電源部は、電磁操作部側回路接続手段（１６ａ１、１６ｂ１）および駆動電源部側回路接続手段を接続することで構成される接続回路により接続される。緊急時においては、電源部（２０）から電磁操作部（４）への電力供給を制御して開閉器（１）の開閉動作を制御する制御基板（１８）を有する緊急操作装置（１２１）が電磁操作部側回路接続手段（１６ａ１、１６ｂ１）に接続される。
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公开(公告)号：WO2020213181A1
公开(公告)日：2020-10-22
申请号：PCT/JP2019/026583
申请日：2019-07-04
Applicant: 三菱電機株式会社
Abstract: 正弦信号と余弦信号の位相差がπ／２からずれることによる回転２次の角度誤差を低減できないという問題があった。このため、位相の異なる２つの正弦信号の和に基づいた第１検出信号と、差に基づいた第２検出信号とから検出角を演算することで、第１正弦信号と第２正弦信号の位相差がπ／２からずれることによって生じる２次の角度誤差を抑制することが可能となる角度検出装置を提供する。
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公开(公告)号：WO2020202464A1
公开(公告)日：2020-10-08
申请号：PCT/JP2019/014620
申请日：2019-04-02
Applicant: 三菱電機株式会社
Abstract: 表示部と監視制御部（１０１）から構成される監視制御端末装置（１００）であって、監視制御部（１０１）は、監視データの項目と設備名称を格納した項目一覧格納部（２１）と、監視データを格納した監視データ格納部（２２）と、異常イベント（３８）と異常の原因となる監視機器（１０３）を格納した異常原因図格納部（２３）と、監視機器（１０３）に生じたイベントと時刻を格納するイベント情報格納部（２４）と、監視機器（１０３）の制御に関わる制御シナリオ（３７）を格納する制御シナリオ格納部（２５）と、項目を表示させる項目候補画像生成部（１）と、選択項目について項目一覧格納部（２１）を検索する入力項目受付部（２）と、選択項目の監視データをグラフ表示させるグラフ表示画像生成部（３）と、イベント（３６）および制御シナリオ（３７）を表示させるイベント／シナリオ表示画像生成部（４）と、異常イベント（３８）の発生を判断し異常イベント（３８）を表示させる異常イベント表示画像生成部（５）と、異常イベント（３８）に関わる監視機器（１０３）に関連する項目の監視データを表示させる関連グラフ表示画像生成部（６）を備えた。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2020178877A1
公开(公告)日：2020-09-10
申请号：PCT/JP2019/007996
申请日：2019-03-01
Applicant: 三菱電機株式会社
Abstract: セル変換器（１００）が直列接続された電力変換装置において、各セル変換器（１００ａ）は、スイッチング素子（１ａ，１ｂ）とコンデンサ（２）とを接続する主回路導体（３ａ，３ｂ）と、他のセル変換器（１００ａ，１００ｂ）に接続する２つの外部端子（Ｘ１，Ｘ２）の間に配置されるバイパス部（４）と、外部端子（Ｘ１，Ｘ２）と主回路導体（３ａ，３ｂ）を接続する外部出力導体（５ａ，５ｂ）と、外部出力導体（５ａ，５ｂ）とバイパス部（４）とを接続するバイパス接続導体（６ａ，６ｂ）とを備え、バイパス接続導体（６ａ，６ｂ）または外部出力導体（５ａ，５ｂ）の高電位側と低電位側とは互い対向して配置し、導体を屈曲させて導体の一部の電流の向きが同じ方向になる部位を設けることにより、相互インダクタンス及び自己インダクタンスを増加させ、二重故障時にバイパス部（４）に流れる短絡電流を抑制する。
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公开(公告)号：WO2020165983A1
公开(公告)日：2020-08-20
申请号：PCT/JP2019/005196
申请日：2019-02-14
Applicant: 三菱電機株式会社
IPC: B60W30/16
Abstract: 車間距離制御装置（１００）は遅延距離演算部（１０３）及び遅延距離補償部（１０７）を具備し、先行車ＬＶの速度が変化する走行シーンにおいて、車速制御部（１２）の遅延に起因して発生する遅延距離Ｄdelayを演算し、車速指令Ｖ ＊ にこの遅延距離Ｄdelayを補償するための遅延距離補償車速指令ＶFF_delay ＊ を考慮して、車間距離の初期値から先行車の加減速後の目標車間距離に到達するまでの目標軌道Ｄtrk ＊ に対し、実際の車間距離を一致させるように制御する。
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公开(公告)号：WO2020157914A1
公开(公告)日：2020-08-06
申请号：PCT/JP2019/003379
申请日：2019-01-31
Applicant: 三菱電機株式会社
Abstract: 下水（１０５）を処理して処理水（１０６）を得る水処理装置（３０１）と、処理において発生した余剰汚泥（１００）の量を低減する減容化処理を行う脱水処理装置（３０２）と、処理において発生した余剰汚泥（１００）の量および／または減容化処理において発生した濃縮余剰汚泥（１１０）の量を低減する汚泥処理装置（２００）と、から構成される下水処理装置（３００）であって、汚泥処理装置（２００）は、余剰汚泥（１００）および／または濃縮余剰汚泥（１１０）を貯留汚泥として貯留する余剰汚泥槽（１）と、オゾンガス（１０４）を発生するオゾンガス発生器（１２）と、低粘度溶液（１０１）と余剰汚泥槽（１）から供給される貯留汚泥とを混合して混合汚泥（１０２）を生成する混合部と、混合部から流出される混合汚泥（１０２）にオゾンガス（１０４）を注入してオゾン処理汚泥（１０３）を生成するエジェクタ（９）と、エジェクタ（９）から流出されるオゾン処理汚泥（１０３）を貯留するオゾン処理汚泥槽（１３）とを備え、低粘度溶液（１０１）は貯留汚泥よりも粘度が低い溶液である。
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公开(公告)号：WO2020157787A1
公开(公告)日：2020-08-06
申请号：PCT/JP2019/002644
申请日：2019-01-28
Applicant: 三菱電機株式会社
IPC: H02M7/48
Abstract: インバータ（３）とコンバータ（２）では搬送波を同期しで動作させるだけでは、その間に接続された平滑用コンデンサ（１５）の電流リプルが大きくなる場合がある このため、インバータ（３）でバイポーラ変調ＰＷＭ制御を行い、コンバータ（２）でＰＷＭ制御を行うとともに、インバータ（３）またはコンバータ（２）の搬送波を交流出力に基づき位相をずらすことにより、平滑用コンデンサ（１５）に流入する電流のタイミングをずらした。
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公开(公告)号：WO2020144794A1
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：PCT/JP2019/000461
申请日：2019-01-10
Applicant: 三菱電機株式会社
Abstract: 半導体レーザ装置（１）は、半導体レーザチップ（５）とサブマウント（３）との対向面のそれぞれ、およびサブマウント（３）とヒートシンク（２）との対向面のそれぞれの少なくともいずれかには、複数の活性層４ａ～４ｃの配列方向における位置に応じて、光の進行方向における設定範囲を変え、接合に用いる接合材（６）、または接合材（７）の付着性を低下させた処理領域（例えば、処理領域（Ｒ５ｔ））が設けられているように構成した。
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