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公开(公告)号:WO2019129988A1
公开(公告)日:2019-07-04
申请号:PCT/FR2018/053539
申请日:2018-12-24
Applicant: ADDUP , LEPTONS-TECHNOLOGIES
Inventor: WALRAND, Gilles , DURAND, Gilbert , ROBIN, Bruno
CPC classification number: B22F3/1055 , B22F2003/1056 , B22F2203/00 , B22F2203/03 , B22F2999/00 , B23K15/0086 , B23K26/342 , B33Y30/00 , H01J1/148 , H01J1/20 , H01J1/22 , H01J37/3178
Abstract: L'invention concerne un appareil pour fabriquer un objet tridimensionnel par fabrication additive sélective comportant dans une enceinte, un support pour le dépôt des couches successives de poudre de fabrication additive, un arrangement de distribution adapté pour appliquer une couche de poudre sur ledit support ou sur une couche précédemment consolidée, au moins une source de faisceau d'électrons adaptée pour assurer la consolidation sélective d'une couche de poudre appliquée par l'arrangement de distribution et une électronique pour la commande et l'alimentation de ladite source, caractérisé en ce que ladite source est une source de faisceau d'électrons à cathode à chauffage indirect, ladite source comportant un filament (22) de chauffage situé derrière la cathode (21) de ladite source par rapport au sens d'éjection et d'accélération des électrons par ladite cathode (21).
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公开(公告)号:WO2020084261A1
公开(公告)日:2020-04-30
申请号:PCT/FR2019/052537
申请日:2019-10-23
Applicant: ADDUP , LEPTONS-TECHNOLOGIES
Inventor: DURAND, Gilbert , ROBIN, Bruno , WALRAND, Gilles , BLANCHET, Etienne , CARLAVAN, Cédric , SOUBIES, Vincent , DELORME, Camille
IPC: H01J37/305 , B33Y30/00 , B33Y10/00 , H01J37/063 , H01J37/075 , H01J37/06
Abstract: L'invention concerne une source de faisceau d'électrons adaptée pour la fabrication additive sélective comprenant une cathode, la cathode comprenant une zone émissive adaptée pour émettre des électrons, un wehnelt principal, une anode et un ensemble d'alimentations électriques adapté pour mettre ces trois pièces sous tension électrique, le wehnelt principal étant placé entre la cathode et l'anode,ladite source comprenant un wehnelt supplémentaire et une alimentation électrique adaptée pour mettre ledit wehnelt supplémentaire sous tension électrique, ledit wehnelt supplémentaire étant placé en amont du wehnelt principal par rapport au sens de propagation du faisceau d'électrons de sorte qu'une première surface de contrôle du wehnelt supplémentaire entoure une partie amont de la zone émissive par rapport au sens de propagation du faisceau d'électrons et qu'une deuxième surface de contrôle du wehnelt principal entoure une partie aval de la zone émissive par rapport au sens de propagation du faisceau d'électrons.