SOURCE D'ELECTRONS A DOUBLE WEHNELT POUR APPAREIL DE FABRICATION ADDITIVE SELECTIVE

    公开(公告)号:WO2020084261A1

    公开(公告)日:2020-04-30

    申请号:PCT/FR2019/052537

    申请日:2019-10-23

    Abstract: L'invention concerne une source de faisceau d'électrons adaptée pour la fabrication additive sélective comprenant une cathode, la cathode comprenant une zone émissive adaptée pour émettre des électrons, un wehnelt principal, une anode et un ensemble d'alimentations électriques adapté pour mettre ces trois pièces sous tension électrique, le wehnelt principal étant placé entre la cathode et l'anode,ladite source comprenant un wehnelt supplémentaire et une alimentation électrique adaptée pour mettre ledit wehnelt supplémentaire sous tension électrique, ledit wehnelt supplémentaire étant placé en amont du wehnelt principal par rapport au sens de propagation du faisceau d'électrons de sorte qu'une première surface de contrôle du wehnelt supplémentaire entoure une partie amont de la zone émissive par rapport au sens de propagation du faisceau d'électrons et qu'une deuxième surface de contrôle du wehnelt principal entoure une partie aval de la zone émissive par rapport au sens de propagation du faisceau d'électrons.

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