公开(公告)号：WO2016110466A1

公开(公告)日：2016-07-14

申请号：PCT/EP2016/050027

申请日：2016-01-04

Applicant: NEW IMAGING TECHNOLOGIES

Inventor： NI, Yang

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14656

Abstract: Capteur matriciel à réponse logarithmique et plage de fonctionnement étendue en température, comportant une pluralité de pixels actifs définis chacun par une photodiode (PD) opérant en mode cellule solaire, la photodiode étant formée par une jonction semi-conductrice dans un substrat (11), une jonction (20) polarisée en inverse étant présente à une distance (d) de la jonction de la photodiode inférieure à la longueur de diffusion des charges dans le substrat cette jonction (20) polarisée en inverse étant réalisée par une diffusion à une profondeur (p) supérieure à celle (p') utilisée dans la formation de la source ou du drain de transistors du capteur, adjacents à la photodiode.

Abstract translation: 一种具有对数响应和扩展温度操作范围的矩阵传感器，包括由以太阳能电池模式操作的光电二极管（PD）限定的多个有源像素，所述光电二极管由衬底（11）中的半导体结形成， 偏离的结（20）以距离光电二极管的接合处的距离（d）存在，小于衬底中的电荷的扩散长度，所述反向偏置接合（20）通过扩散到 深度（p）大于在与光电二极管相邻的传感器的晶体管的源极或漏极的形成中使用的（p'）。

公开(公告)号：WO2015189363A1

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：PCT/EP2015/063122

申请日：2015-06-12

Applicant: NEW IMAGING TECHNOLOGIES

Inventor： NI, Yang

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H04N5/378 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/2253 ,  H04N5/2355 ,  H04N5/35518

Abstract: L'invention concerne une cellule photoélectrique de type C-MOS à transfert de charge, du type comprenant une photodiode enterrée (PPD) susceptible d'être exposée à des photons, formée par une zone dopée d'un premier type dans un substrat de type opposé, et des moyens pour transférer les charges générées par l'exposition de la photodiode aux photons vers une diffusion flottante (FD), et des moyens pour lire sur la diffusion flottante une tension représentative de la quantité de charges transférée. Cette cellule est remarquable en ce que la zone de désertion de la jonction de la photodiode sous tension de polarisation nulle s'étend essentiellement dans toute l'épaisseur de la zone dopée de premier type, de telle sorte que la capacité de jonction de ladite photodiode et le bruit d'origine capacitive sont minimisés, et en ce que lors de l'exposition aux photons, la lecture est effectuée sous condition d'équilibre entre la génération de charges par photo-conversion et la perte de charges par évaporation. On propose également un capteur matriciel formé de telles cellules avec des moyens formant barrière à la diffusion des charges évaporées d'une cellule vers une cellule adjacente.

Abstract translation: 本发明涉及具有电荷转移的C-MOS光电池，其包括可能暴露于光子的嵌入式光电二极管（PPD），其由相反类型的衬底中的第一类型的掺杂区形成，以及用于传送电荷的装置 通过将光电二极管暴露于​​光子到浮动扩散（FD）而产生的装置，以及用于在浮动扩散上读取表示传送的电荷量的电压的装置。 该电池是显着的，因为在零偏压下的光电二极管结的耗尽面积基本上延伸通过第一类型的掺杂区域的整个厚度，使得所述光电二极管的结电容和电容噪声最小化，并且因此 在光子曝光期间，读数在光转换产生的电荷与蒸发损失的电荷之间的平衡条件下进行。 本发明还提出了一种由这种电池形成的矩阵传感器，其具有对从一个电池蒸发的电荷到相邻电池的扩散的阻挡。

公开(公告)号：WO2009027449A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：PCT/EP2008/061261

申请日：2008-08-27

Applicant: NEW IMAGING TECHNOLOGIES ,  NI, Yang

Inventor： NI, Yang

IPC: H04N3/15

CPC classification number: H03F3/082 ,  H04N3/155 ,  H04N5/35509 ,  H04N5/3745

Abstract: L'invention concerne une structure d unpixel actif de type CMOS (1) comprenant: -au moins une photodiode (10), caractérisée en ce qu elle comporte des moyens pour lire une tension de polarité quelconque dans la phase d évolution de la photodiode (10) lors d une exposition.

Abstract translation: 本发明涉及CMOS型（1）的有源像素的结构，其包括：至少一个光电二极管（10），其特征在于，其包括用于在光电二极管（10）的演化阶段中读取任何偏置电压的装置， 曝光。

公开(公告)号：WO2014187840A1

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：PCT/EP2014/060395

申请日：2014-05-21

Applicant: NEW IMAGING TECHNOLOGIES

Inventor： NI, Yang

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/103

CPC classification number: H01L27/14649 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14694

Abstract: L'invention concerne une matrice de photodiodes comprenant une première électrode commune d'une jonction PN, comprenant au moins une couche de substrat (4) et une couche active (5), - une couche de passivation (6), et au moins deux sortes de zones dopées de même type: - des premières zones dopées (3) formées au moins en partie dans la couche active (5), définissant des secondes électrodes pour former, avec la première électrode commune, des photodiodes connectées à des circuits de lecture pour la formation d'images, - au moins une seconde zone dopée (10) formant une troisième électrode adaptée pour absorber des porteurs de charge excédentaires pour les évacuer, des moyens de polarisation étant adaptés pour appliquer à ladite seconde zone dopée un potentiel électrique (Vring) par lequel est réglable l'absorption des porteurs de charge par ladite seconde zone dopée (10), ladite au moins une seconde zone dopée (10) étant formée dans la couche de passivation (6) et étant séparée de la couche active (5) par une portion de ladite couche de passivation (6).

Abstract translation: 本发明涉及一种包括具有PN结的第一公共电极的光电二极管阵列，包括至少一个衬底层（4）和一个有源层（5），钝化层（6）和至少两种掺杂区域 相同类型： - 至少部分地形成在有源层（5）中的第一掺杂区域（3），限定第二电极与第一公共电极形成连接到读取电路以形成图像的光电二极管，至少一个第二掺杂区域 区域（10）形成能够吸收过量的电荷载体以便放电的第三电极，所述极化装置能够向所述第二掺杂区域施加电位（Vring），借助于该电位（Vring），电荷载流子的吸收由 所述第二掺杂区域（10）可被调节，所述至少一个第二掺杂区域（10）形成在所述钝化层（6）中并且通过所述钝化层（6）的一部分与所述有源层（5）分离， 。

公开(公告)号：WO2017186647A1

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：PCT/EP2017/059674

申请日：2017-04-24

Applicant: NEW IMAGING TECHNOLOGIES

Inventor： NI, Yang

IPC: H04N5/235 ,  H04N5/247 ,  H04N5/351 ,  H04N5/353 ,  H04N5/355 ,  H04N5/225

CPC classification number: H04N5/2258 ,  G06T7/80 ,  H04N5/2351 ,  H04N5/2353 ,  H04N5/243 ,  H04N5/351 ,  H04N5/3535 ,  H04N5/35518

Abstract: L'invention concerne un système imageur comprenant un capteur principal d'image (1) et comprenant une matrice principale (2) de pixels actifs présentant une première plage dynamique instantanée de sensibilité lumineuse, et un circuit de lecture principal adapté pour lire les pixels du capteur principal d'image (1) et pour acquérir une image principale à partir de ladite lecture,un capteur auxiliaire d'image (11) comprenant une seconde matrice (12) de pixels actifs présentant une seconde plage dynamique instantanée de sensibilité lumineuse plus étendue que la première plage dynamique instantanée de sensibilité lumineuse, et un circuit de lecture auxiliaire adapté pour lire les pixels actifs du capteur auxiliaire d'image (11) et pour acquérir une image auxiliaire à partir de ladite lecture, et une unité de traitement de données (10) configurée pour déterminer au moins une valeur d'un paramètre d'acquisition du capteur principal d'image à partir de l'image auxiliaire.

Abstract translation: 本发明涉及一种成像系统，其包括主图像传感器（1）并且包括呈现第一动态范围瞬时的主动像素的主矩阵（2） 敏感性和敏感性; 明亮，并有一个合适的主读电路。 用于读取主图像传感器（1）的像素并用于获取主图像＆gt; 从所述读数中读取包括提供第二瞬时动态灵敏范围的第二有源像素阵列（12）的辅助图像传感器（11） 比瞬时灵敏度灵敏度的第一动态范围更亮。 光和一个辅助读取电路 用于读取辅助图像传感器（11）的有效像素并用于获取辅助图像＆gt; 从上述阅读中，以及一个单位和oacute; 数据处理单元（10），被配置为确定所述主图像传感器的获取参数的至少一个值; 来自辅助图像。

公开(公告)号：WO2017032955A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：PCT/FR2016/052129

申请日：2016-08-26

Applicant: NEW IMAGING TECHNOLOGIES

Inventor： NI, Yang

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14649 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14694

Abstract: L'invention concerne une matrice de photodiodes et son procédé de fabrication, ladite matrice comprenant un substrat (4) de phosphure d'indium, une couche active (5) d'arséniure de gallium-indium au-dessus du substrat (4), une région enterrée (8) entre le substrat (4) et la couche active (5), et une couche supérieure (6) en phosphure d'indium au-dessus de la couche active (5), une anode de photodiode formée par une région dopée (12), ladite région dopée (12) s'étendant depuis la couche supérieure (6) jusque dans la couche active (5) sans atteindre la région enterrée (8), ladite région dopée (12) délimitant plusieurs zones de cathode (13) de la couche supérieure (6) isolées les unes des autres par la région dopée (12).

Abstract translation: 本发明涉及一种光电二极体矩阵及其制造方法，所述基体包括磷化铟基底（4），衬底（4）上方的砷化铟镓有源层（5），掩埋区（8） 在基板（4）和有源层（5）之间，以及在有源层（5）上方由磷化铟制成的上层（6），由掺杂区域（12），所述掺杂区域 12）从上层（6）延伸到有源层（5）而不到达掩埋区域（8），所述掺杂区域（12）限定上层（6）的多个阴极区域（13） 彼此通过掺杂区域（12）。

公开(公告)号：WO2014064274A1

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：PCT/EP2013/072444

申请日：2013-10-25

Applicant: NEW IMAGING TECHNOLOGIES

Inventor： NI, Yang

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/355

CPC classification number: H04N5/3742 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/355 ,  H04N5/3592 ,  H04N5/3594 ,  H04N5/3696

Abstract: L'invention concerne une structure d'un pixel actif de type CMOS, comprenant un substrat semi-conducteur (1) d'un premier type, au moins une première photodiode opérant en mode photovoltaïque comprenant une zone de conversion photovoltaïque (2) définie par une zone dopée d'un second type formant une jonction PN avec le substrat, ladite première photodiode réémettant des porteurs de charge photoélectriques captées par la jonction PN lors de l'exposition de ladite première photodiode à un rayonnement, au moins une seconde photodiode opérant en mode intégration et polarisée en inverse, ladite seconde photodiode comprenant une zone d'accumulation de charge (3) définie par une zone dopée du second type formant une jonction PN avec le substrat, ladite zone d'accumulation de charge étant exposée aux porteurs de charge issus de la zone de conversion photovoltaïque (2) pour accumuler de tels porteurs de charge.

Abstract translation: 本发明涉及CMOS有源像素的结构，其包括第一类型的半导体衬底（1），在光伏模式下操作的至少一个第一光电二极管，包括由第二类型的掺杂区域限定的光伏转换区域（2） 类型，与所述衬底形成PN结，所述第一光电二极管在所述第一光电二极管的曝光期间重新发射由PN结收集的光电荷载体，所述第一光电二极管在积分模式下工作并反向偏置的至少一个第二光电二极管，所述第二光电二极管 光电二极管包括由第二类型的掺杂区域限定的电荷累积区域（3），其形成与衬底的PN结，所述电荷积聚区域从光伏转换区域（2）暴露于电荷载流子，以便积累这种电荷 载体。

公开(公告)号：WO2016193258A1

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：PCT/EP2016/062258

申请日：2016-05-31

Applicant: NEW IMAGING TECHNOLOGIES

Inventor： NI, Yang

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14612 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14681

Abstract: La présente invention concerne un capteur optique qui comporte un ou plusieurs pixels (10) à transfert de charge comportant chacun une photodiode enterrée (11) générant une charge photoélectrique sous éclairement, un élément de conversion (12) recevant au moins une partie de cette charge photoélectrique et tendant à imposer à la photodiode un potentiel satisfaisant à une relation non linéaire avec l'intensité de génération de la charge photoélectrique, et un élément de transfert de charge (14) pour lire la charge stockée par la photodiode (11) de telle sorte que la charge résiduelle dans celle-ci soit nulle après la lecture par transfert.

Abstract translation: 本发明涉及一种光学传感器，其包括一个或多个电荷转移像素（10），每个电荷转移像素（10）包括在照射时产生光电荷的掩埋光电二极管（11），转换元件（12），其接收所述光电荷的至少一部分并且趋向于 在光电二极管上施加与光电荷产生强度成非线性关系的电位，以及用于读取由光电二极管（11）存储的电荷的电荷转移元件（14），使得残留电荷 通过转移阅读后相同为零。

公开(公告)号：WO2016062822A1

公开(公告)日：2016-04-28

申请号：PCT/EP2015/074521

申请日：2015-10-22

Applicant: NEW IMAGING TECHNOLOGIES

Inventor： NI, Yang

IPC: G06K9/00 ,  H01L27/146

CPC classification number: G06K9/0002 ,  G06K9/00013 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14678 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: L'invention concerne un dispositif d'acquisition d'empreintes digitales comprenant un capteur matriciel d'images (1), ledit capteur étant configuré pour acquérir au moins une image des empreintes digitales d'un doigt (2) lorsque ledit doigt (2) est présenté audit capteur dans son champ d'acquisition, dans lequel le capteur matriciel comprend un corps en matériau semi-conducteur (3) sur lequel est réalisé une matrice de pixels actifs (4), les pixels de ladite matrice de pixels actif comprenant chacun au moins une photodiode (5) et étant configurés pour fonctionner en mode cellule solaire.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于获取数字指纹的装置，其包括图像矩阵传感器（1），所述传感器被配置为当所述手指（2）被呈现时获取手指（2）的数字指纹的至少一​​个图像 在其采集领域中的所述传感器，其中所述矩阵传感器包括由其中形成有源像素（4）的矩阵的半导体材料（3）制成的主体，所述有源像素矩阵的像素每个包括至少一个 光电二极管（5），并被配置为在太阳能电池模式下工作。

公开(公告)号：WO2014118308A1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：PCT/EP2014/051866

申请日：2014-01-31

Applicant: NEW IMAGING TECHNOLOGIES

Inventor： NI, Yang

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14649 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14694 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1844

Abstract: L'invention concerne une matrice de photodiodes, ainsi que son procédé de fabrication, comprenant -une cathode comprenant au moins une couche de substrat (4) en un matériau de la famille du phosphure d'indium et une couche active (5) en un matériau de la famille de l'arséniure de gallium-indium, et caractérisé en ce que la matrice comporte en outre au moins deux sortes de zones dopées de même type formées au moins en partie dans la couche active (5): -des premières zones dopées (3) formant avec la cathode des photodiodes pour la formation d'images, -au moins une seconde zone dopée (8) absorbant des porteurs de charge excédentaires pour les évacuer.

Abstract translation: 本发明涉及一种光电二极管阵列及其制造方法，包括：一个阴极，包括至少一个由磷化铟系列材料制成的衬底层（4）和一个由镓制成的活性层（5） 砷化铟族，其特征在于，所述阵列还包括至少两种至少部分地形成在所述有源层（5）中的相同类型的掺杂区域： - 第一掺杂区域（3），其与所述阴极形成用于 形成图像， - 至少一个第二掺杂区域（8）吸收过量的电荷载体以便将其放电。