公开(公告)号：WO2009069785A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：PCT/JP2008/071729

申请日：2008-11-28

申请人： 京セラ株式会社 ,  川口 義之 ,  西薗 和博

发明人： 川口 義之 ,  西薗 和博

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/22

摘要： 　光取り出し効率を向上させ、光取り出し面の全面における発光強度分布の不均一を抑制可能な発光素子を提供する。発光素子は、ｎ型半導体層と発光層とｐ型半導体層とを有する半導体積層体と、ｐ型半導体層と接続する電極パッドと、を具備する。半導体積層体は、その主面のうち、発光層からの光が出射される主面に多数の突起を有する。そして、半導体積層体の前記主面は、電極パッドの近傍に位置する第１領域と、第１領域よりも電極パッドに対して離間した第２領域と、を有し、突起の間隔は前記第１領域よりも第２領域が小さい。  

摘要翻译： 提供了一种发光元件，其具有改善的光提取效率并且抑制整个光提取表面上的发光强度分布的不均匀性。 发光元件设置有具有n型半导体层，发光层和p型半导体层的半导体多层体; 以及连接到p型半导体层的电极焊盘。 半导体多层体在主表面的一部分上具有许多突出部分，从该部分输出来自发光层的光。 半导体多层体的主表面具有位于电极焊盘附近的第一区域和与第一区域相比间隔开距离电极焊盘的第二区域。 在第二区域中，突出部之间的间隔比第一区域小。