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发明申请
シリコンナノ線状体の製造方法およびシリコンナノ線状体审中-公开

公开(公告)号：WO2006057464A3

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：PCT/JP2005/022397

申请日：2005-11-29

Applicant: 国立大学法人東京農工大学 , 上迫浩一 , 全眠星

Inventor： 上迫浩一 , 全眠星

IPC: C01B33/029 , B01J21/02 , B01J23/08 , B01J23/14

Abstract: ラジカルによる前処理の条件(水素ラジカルによる濃度等の作用条件)を適宜設定することにより、異なる構造や物性のシリコンナノ線状体を製造することができる。Ga,Ga化合物,In,In化合物,Tl,Tl化合物から選ばれる少なくとも1つにラジカルによる前処理を施したものを触媒とし、当該触媒の存在下においてシリコンラジカル活性種からシリコンナノ線状体を形成することを特徴とする。

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