単結晶引上げ装置の湯漏れ検出器および単結晶引上げ装置ならびに湯漏れ検出方法
    1.
    发明申请
    単結晶引上げ装置の湯漏れ検出器および単結晶引上げ装置ならびに湯漏れ検出方法 审中-公开
    单晶振动机构和单晶振动机理和金属液体泄漏检测方法中的金属探测器

    公开(公告)号:WO2006059453A1

    公开(公告)日:2006-06-08

    申请号:PCT/JP2005/020173

    申请日:2005-11-02

    CPC classification number: C30B29/06 C30B15/00

    Abstract:  CZ法による単結晶引上げ装置のチャンバ底部に配設した湯漏れ受皿においてルツボから漏れてくる融液を検出する湯漏れ検出器であって、少なくとも前記湯漏れ受皿の底部の温度を検出する温度検出手段および該温度検出手段の検出値の変化により湯漏れを検出する湯漏れ検出手段を具備しており、前記温度検出手段は少なくとも温度センサと該温度センサを覆って保護する保護キャップを有し、該保護キャップが前記湯漏れ受皿の底部に当接している単結晶引上げ装置の湯漏れ検出器。これにより、CZ法単結晶引上げ装置において、シリコン融液がルツボ外へ流出しても、これを溜めて金属部品や冷却配管から成る下部機構に到達するのを防止する湯漏れ受皿を利用して、受皿の底部の測定温度のバッチ間のばらつきを抑えて、漏れてくる融液をいち早く高精度に検出し、警報吹鳴、運転停止等の動作を素早くかつ確実に行うことができる湯漏れ検出器が提供される。  

    Abstract translation: 一种单晶提升机构中的熔融金属泄漏检测器,用于检测通过CZ方法设置在单晶提升机构的腔室底部的熔融金属泄漏盘中的坩埚泄漏的熔融金属,包括用于检测温度在 至少在熔融金属泄漏锅的底部,以及用于根据温度检测装置的检测值的变化来检测熔融金属泄漏的装置,其中温度检测装置至少具有温度传感器和保护帽, 温度传感器,并且保护帽抵靠熔融金属泄漏盘的底部。 在通过CZ方法的单晶提升机构中,通过利用熔融金属泄漏盘来防止从坩埚流出的熔融硅到达由金属成分组成的下部机构,从而抑制在批次之间在锅底部测量的温度变化, 通过储存冷却管道,高精度地快速检测出熔融金属,能够快速,积极地进行警报,停止操作的动作。

    単結晶製造装置及び単結晶の製造方法
    2.
    发明申请
    単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 审中-公开
    用于生产单晶的装置和用于生产单晶的方法

    公开(公告)号:WO2008050524A1

    公开(公告)日:2008-05-02

    申请号:PCT/JP2007/066094

    申请日:2007-08-20

    CPC classification number: C30B15/203 C30B15/14 C30B29/06

    Abstract:  本発明は、少なくとも、複数に分割可能なチャンバを具備し、チョクラルスキー法により単結晶を製造するための単結晶製造装置であって、前記複数に分割されたチャンバのうち少なくとも1つは、該チャンバを冷却する循環冷却媒体が流通する循環冷却媒体用流路と、前記循環冷却媒体の、前記循環冷却媒体用流路における入口温度及び出口温度並びに循環冷却媒体流量を測定するそれぞれの測定手段とを有するものであり、前記入口温度及び出口温度並びに循環冷却媒体流量の測定値から、前記チャンバからの除去熱量及び/または除去熱量の割合を算出する演算手段と、該算出した除去熱量及び/または除去熱量の割合に基づいて単結晶の引上げ速度を制御する引上げ速度制御手段とを具備する単結晶製造装置及びこれを用いて行う単結晶の製造方法である。これにより、結晶品質を容易に安定させて単結晶を製造するための単結晶製造装置及び単結晶の製造方法が提供される。

    Abstract translation: 本发明提供一种单晶的制造装置和单晶的制造方法。 该装置设置有至少一个可分割成多个部分的腔室,用于通过切克劳斯(Czochralski)方法制造单晶。 所述多个分隔室中的至少一个具有用于循环冷却介质的流路,循环冷却介质用于冷却室的循环冷却介质循环,以及用于分别测量用于循环冷却介质的流路中的入口和出口温度的装置 和循环冷却介质的流量。 在使用该装置的单晶的制造装置和单晶的制造方法中,使用计算装置,用于计算除去的量的热量和/或从腔室排出的热量的比例, 提供了循环冷却介质的入口温度和出口温度和流量。 此外,还提供了用于基于计算的去除热量和/或除去的热量的比例来控制单晶的上拉速度的上拉速度控制装置。 上述单晶的制造装置和单晶的制造方法可以制造单晶,同时容易稳定晶体的质量。

    基準反射体と融液面との距離の測定方法、及びこれを用いた融液面位置の制御方法、並びにシリコン単結晶の製造装置
    3.
    发明申请
    基準反射体と融液面との距離の測定方法、及びこれを用いた融液面位置の制御方法、並びにシリコン単結晶の製造装置 审中-公开
    用于测量参考反射器和熔融表面之间的距离的方法,用于控制使用其的熔融表面的位置的方法和硅单晶生产装置

    公开(公告)号:WO2007122833A1

    公开(公告)日:2007-11-01

    申请号:PCT/JP2007/051548

    申请日:2007-01-31

    CPC classification number: C30B15/305 C30B15/26 C30B30/04

    Abstract:  本発明は、CZ法によりルツボ内の原料融液からシリコン単結晶を引上げる際に、融液面上方に配置した基準反射体と融液面との相対距離を測定する方法であって、少なくとも、前記シリコン単結晶の引上げを、磁場を印加しながら行い、前記基準反射体の実像と融液面に反射した該基準反射体の鏡像の画像を検出手段で捉え、該捉えた基準反射体の実像と鏡像の画像を別々の画像として処理し、該処理した画像から前記基準反射体の実像と鏡像の相対距離を算出することで、基準反射体と融液面との相対距離を測定することを特徴とする基準反射体と融液面との距離の測定方法である。これにより、基準反射体と融液面との相対距離をより安定してより正確に測定することのできる基準反射体と融液面との距離の測定方法が提供される。  

    Abstract translation: 一种方法,用于测量在通过CZ方法从坩埚中的材料熔融物中提取硅单晶时,安装在熔融表面上方的参考反射体与熔体表面之间的相对距离。 该方法的特征在于,在施加磁场的同时上拉硅单晶,通过检测装置捕获参考反射器的实像和从熔体表面反射的参考反射镜的镜像,捕获的真实图像 基准反射体和摄像镜像分别处理,从被处理图像计算参考反射体的实像和镜像之间的相对距离,从而测量参考反射体与熔体表面之间的相对距离。 因此,提供了用于更稳定且更准确地测量参考反射器和熔体表面之间的距离的方法。

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