-
公开(公告)号：WO2015066971A1
公开(公告)日：2015-05-14
申请号：PCT/CN2014/070352
申请日：2014-01-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/66977 , H01L21/266 , H01L21/3065 , H01L21/3085 , H01L21/324 , H01L29/0657 , H01L29/0676 , H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/36 , H01L29/66356 , H01L29/66666 , H01L29/7391 , H01L29/7827
Abstract: 本发明公开了一种结调制型隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS超大集成电路（ULSI）中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该隧穿场效应晶体管利用垂直沟道区三面包围的高掺杂源区提供的PN结能有效耗尽沟道区，使得栅下表面沟道能带提高，当器件发生带带隧穿时能获得比传统TFET更陡的能带和更窄的隧穿势垒宽度，等效实现了陡直的隧穿结掺杂浓度梯度的效果，从而大幅提高传统TFET的亚阈特性并同时提升器件的导通电流。本发明在与现有的CMOS工艺兼容的条件下，一方面有效地抑制了器件的双极导通效应，同时能抑制小尺寸下源结边角处的寄生隧穿电流，能等效实现陡直的源结掺杂浓度的效果。
-
公开(公告)号：WO2012097543A1
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：PCT/CN2011/072372
申请日：2011-04-01
IPC: H01L29/78 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L29/4238 , H01L29/7839
-
公开(公告)号：WO2013091331A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：PCT/CN2012/074076
申请日：2012-04-16
IPC: H01L29/32 , H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L29/7833 , H01L21/823878 , H01L27/0921 , H01L29/32
Abstract: 提供了一种减小电荷共享效应的CMOS器件及其制备方法。该CMOS器件包括衬底（1）、隔离区（4）、有源区（5）、栅区（6）、LDD区（7）、栅侧墙（8）、源区和漏区（9）以及在隔离区4的正下方设置俘获载流子的附加隔离区（3）。该附加隔离区的材料为多孔硅。该CMOS器件可减小重离子引起的电荷共享效应、可以提高集成电路的抗辐射性能，并且制造工艺简单。
-
公开(公告)号：WO2013071650A1
公开(公告)日：2013-05-23
申请号：PCT/CN2011/083244
申请日：2011-11-30
IPC: H01L21/425 , H01L21/8238 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/6653 , H01L21/823814 , H01L29/1083 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: 本发明公开了一种减小辐射产生电荷收集的CMOS器件及其制备方法。本发明的CMOS器件在源区和漏区的正下方设置重掺杂的抑制电荷收集区，该区域的掺杂类型和源区和漏区的掺杂类型相反，且掺杂浓度不小于源区和漏区的掺杂浓度。抑制电荷收集区的横向范围略小于或者等于源区和漏区的横向范围，且向沟道的横向位置不超过源区和漏区的边缘。本发明的CMOS器件可以大大减小单粒子作用下出现的"漏斗"范围，使在电场作用下瞬时收集的电荷减小。由于耗尽层宽度变窄，在"漏斗"范围内的电子空穴对扩散至耗尽层边缘更加困难，因此敏感节点收集的电荷会大大降低，有效抑制单粒子瞬态对集成电路造成的影响。
-
公开(公告)号：WO2015070528A1
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：PCT/CN2014/070364
申请日：2014-01-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/36 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0638 , H01L21/02238 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L21/308 , H01L21/32139 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0834 , H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/36 , H01L29/66659 , H01L29/7391 , H01L29/7835
Abstract: 提供了一种抑制隧穿晶体管泄漏电流的方法及相应的器件和制备方法，属于CMOS超大集成电路（ULSI）中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。通过在源区（10）和隧穿结下方的体区之间插入绝缘层（7），而在源区和沟道之间的隧穿结处不插入绝缘层，从而有效抑制了小尺寸TFET器件体内的源漏直接隧穿泄漏电流，并能有效改善亚阈值斜率。相应的器件制备方法与现有的CMOS工艺完全兼容。
-
公开(公告)号：WO2014082451A1
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：PCT/CN2013/079013
申请日：2013-07-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/42376 , H01L21/266 , H01L21/28114 , H01L21/324 , H01L29/66356 , H01L29/66681 , H01L29/7311 , H01L29/7391 , H01L29/7816
Abstract: 一种带双扩散的条形栅调制型隧穿场效应晶体管（TFET）及其制备方法，属于CMOS场效应晶体管逻辑器件与电路领域。隧穿场效应晶体管包括一个半导体衬底（1）、一个高掺杂源区（7）、一个高掺杂漏区（6），一个双扩散源区（5）、一个栅介质层（2）和一个控制栅（3），控制栅（3）为栅长大于栅宽的条形结构，控制栅（3）的一侧与高掺杂漏区（6）连接，控制栅（3）的另一侧向高掺杂源区（7）横向延伸，位于控制栅（3）下的区域为沟道区，控制栅（3）的栅宽小于2倍的源耗尽层宽度，双扩散源区（5）和高掺杂源区（7）的掺杂区域一致，双扩散源区（5）和高掺杂漏区（6）的掺杂类型一致，位于高掺杂源区（7）部分的控制栅下的沟道区有双扩散源掺杂杂质。这种TFET器件的性能得到提高且制备方法简单。
-
公开(公告)号：WO2013166927A1
公开(公告)日：2013-11-14
申请号：PCT/CN2013/074876
申请日：2013-04-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66977 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/324 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/66325 , H01L29/7391
Abstract: 一种隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS超大集成电路（ULSI）中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该隧穿场效应晶体管是：对于N型晶体管，掺杂源区在N - 掺杂的基础上，在靠近控制栅（3）边缘的一侧又注入P + ，使得该注入部分原有的N - 掺杂完全被补偿为P + ；对于P型晶体管，掺杂源区在P - 掺杂的基础上，在靠近控制栅（3）边缘的一侧又注入N + ，使得该注入部分原有的P - 掺杂完全被步长为N + 。所述隧穿场效应晶体管的器件结构采用源区两次不同浓度的掺杂注入，有效地结合了MOSFET导通电流大的特征，提高了器件的开态电流，且自适应地实现了该器件MOSFET和TFET部分的阈值调节。
