公开(公告)号：WO2006061964A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：PCT/JP2005/020191

申请日：2005-11-02

申请人： 旭硝子株式会社 ,  鈴木 すすむ ,  光井 彰 ,  矢尾板 和也 ,  尾山 卓司

发明人： 鈴木 すすむ ,  光井 彰 ,  矢尾板 和也 ,  尾山 卓司

IPC分类号： H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  C23C14/08 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

CPC分类号： C03C17/3417 ,  C03C2204/08 ,  C03C2218/33 ,  C23C14/024 ,  C23C14/086 ,  C23C14/5833 ,  C23C14/5873 ,  H01L51/52 ,  H01L51/5206

摘要： 　成膜後の加熱処理、膜表面の研磨、成膜後の酸素プラズマ処理などの複雑な後工程が不要で、表面の平滑性に優れた導電膜付き基体の製造方法を提供する。 　基体上に、錫ドープ酸化インジウムを主成分とする導電膜を形成されてなる導電膜付き基体であって、前記導電膜の基板側に酸化イットリウムが添加された酸化ジルコニウムを主成分とする下地膜を形成されてなる導電膜付き基体であり、前記下地膜中の酸化イットリウムの含有量は、Ｙ ２ Ｏ ３ とＺｒＯ ２ との総量に対して０．１～５０モル％であることが好ましい。

摘要翻译： 用于制备不需要复杂的后处理步骤如导电膜的底层的方法，例如膜后热处理，膜表面抛光和成膜后氧等离子体处理，表面平滑度优异。 提供了具有导电膜的基底，其具有基底，并且叠加有主要由锡掺杂的氧化铟组成的导电膜，其中，其基底侧的导电膜配备有主要由掺杂有氧化锆的氧化锆组成的基底层 氧化钇。 基础层中氧化钇的含量优选为0.1〜50摩尔％，相对于Y 2 O 3 O 3和ZrO _{2 。}