基于MOS管的非线性响应MRI图像增强超构表面器件

    公开(公告)号:WO2022170752A1

    公开(公告)日:2022-08-18

    申请号:PCT/CN2021/113730

    申请日:2021-08-20

    Abstract: 一种磁场增强组件以及磁场增强器件,磁场增强组件包括第一电介质层(100)、第一电极层(110)、第二电极层(120)以及第四控制电路(600);第一电介质层(100)具有第一表面(101),第一电介质层(100)具有相对设置的第一端(103)与第二端(104);第一电极层(110)设置于第一表面(101),且靠近第二端(104)设置;第二电极层(120)设置于第一表面(101),并与第一电极层(110)间隔设置,且靠近第一端(103)设置;第四控制电路(600)的一端与第二电极层(120)远离第一端(103)的一端连接,第四控制电路(600)的另一端与第一电极层(110)远离第二端(104)的一端连接,第四控制电路(600)用于控制第一电极层(110)与第二电极层(120)在射频发射阶段断开,且在射频接收阶段连接。

    磁场增强器件及曲面磁场增强器件

    公开(公告)号:WO2022170746A1

    公开(公告)日:2022-08-18

    申请号:PCT/CN2021/111533

    申请日:2021-08-09

    Abstract: 一种磁场增强器件(20)及曲面磁场增强器件(30)。筒形支撑结构(50)包围形成一个检测空间。筒形支撑结构(50)具有两个间隔相对的第三端(51)和第四端(53)。多个磁场增强组件(11、12)间隔设置于筒形支撑结构(50),并沿着第三端(51)向第四端(53)延伸。第一环形导电片(510)设置于筒形支撑结构(50),并靠近第三端(51)。第一环形导电片(510)具有一个第一开口(501)。第一开口(501)至少部分位于两个相邻的磁场增强组件(11、12)之间。第一环形导电片(510)与多个磁场增强组件(11、12)位于第三端(51)的部分电连接。第二环形导电片(520)设置于筒形支撑结构(50),并靠近第四端(53)。第二环形导电片(520)具有一个第二开口(502)。第二开口(502)至少部分位于两个相邻的磁场增强组件(11、12)之间。通过调整第一开口(501)和第二开口(502)的位置控制感应场的相位,达到对检测部位精确检测的目的。

    磁场增强装置
    4.
    发明申请
    磁场增强装置 审中-公开

    公开(公告)号:WO2022170751A1

    公开(公告)日:2022-08-18

    申请号:PCT/CN2021/113664

    申请日:2021-08-20

    Abstract: 一种磁场增强装置(20),第一电极层(110)设置于第一表面(101),第二电极层(120)设置于第一表面(101),并位于第一电容区(11),第二电极层(120)与第一电极层(110)位于第一电容区(11)的部分间隔设置,第三电极层(130)设置于第一表面(101),并位于第二电容区(12),第三电极层(130)与第一电极层(110)位于第二电容区(12)的部分间隔设置,第一谐振电容(911)的一端与第二电极层(120)电连接,第一谐振电容(911)的另一端与第一电极层(110)位于第一电容区(11)的部分电连接,相邻两个磁场增强组件(10)的第二电极层(120)与第一电极层(110)位于第一电容区(11)的部分连接,第二谐振电容(921)的一端与第三电极层(130)电连接,第二谐振电容(921)的另一端与第一电极层(110)位于第二电容区(12)的部分电连接,相邻两个磁场增强组件(10)的第三电极层(130)与第一电极层(110)位于第二电容区(12)的部分连接。

    磁场增强组件和磁场增强器件
    5.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2022170745A1

    公开(公告)日:2022-08-18

    申请号:PCT/CN2021/111527

    申请日:2021-08-09

    Abstract: 一种磁场增强组件和磁场增强器件(80),磁场增强组件具有两个外接电容及开关控制电路,开关控制电路用于在射频发射阶段导通,在射频接收阶段断开,可以降低或避免磁场增强组件所在的回路在射频发射阶段的失谐程度,使在使用磁场增强组件时和使用磁场增强组件前,磁共振系统中的受测区域磁场强度相同,因此在射频发射阶段,磁共振系统中的受测区域的磁场强度保持前后一致,能够有效降低磁场增强对人体的不良影响。

    用于核磁共振成像的可调谐圆柱超构表面器件及制备方法

    公开(公告)号:WO2021051652A1

    公开(公告)日:2021-03-25

    申请号:PCT/CN2019/121273

    申请日:2020-05-13

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种用于核磁共振成像的可调谐圆柱超构表面器件及制备方法,其中,器件包括:印刷电路板、变电容器、环形导片和圆柱型支架,其中,印刷电路板包括电介质板和分别位于电介质板正面和背面的第一电极和第二电极,且第二电极在电介质板上的正投影位于第一电极在电介质板上正投影的两端,以构成平行板电容器;可变电容器与平行板电容器并联连接;第一环形导片和第二环形导片设置在器件两端,且第一环形导片和第二环形导片分别与两端的第二电极连接;圆柱型支架,用于使得印刷电路板稳定并规则的成圆周阵列排布,并且生成可成像区域。该器件的设计更符合人体形态,且能够适用于具有不同负载效应的受测物体的MRI检测。

    一种双核MRI的图像增强超构表面器件

    公开(公告)号:WO2022170753A1

    公开(公告)日:2022-08-18

    申请号:PCT/CN2021/114228

    申请日:2021-08-24

    Abstract: 一种双核磁场增强装置(30),包括第一筒形磁场增强器(810)与第二筒形磁场增强器(820);第一筒形磁场增强器(810)包围形成第一容纳空间(819),第一筒形磁场增强器(810)用于增强检测部位的氢质子核的核磁信号;第二筒形磁场增强器(820)设置于第一容纳空间(819)内,第二筒形磁场增强器(820)包围形成第二容纳空间(829),检测部位可以收纳于所述第二容纳空间(829)内,第二筒形磁场增强器(820)用于增强检测部位的非氢质子核的核磁信号,第一容纳空间(819)大于第二容纳空间(829);检测部位收纳于第二容纳空间(829)内时,也同时收纳于第一容纳空间(819)内。双核磁场增强装置(30)实现了对氢质子核和非氢质子核的双核MRI两个信号场的同时增强。相对传统技术,双核磁场增强装置(30)具有更高的磁场增强效果。在应用于MRI系统成像时,双核磁场增强装置(30)可以辅助MRI系统获得更高质量的图像。

    磁场增强组件及磁场增强器件
    8.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2022170741A1

    公开(公告)日:2022-08-18

    申请号:PCT/CN2021/110742

    申请日:2021-08-05

    Abstract: 一种磁场增强组件(10,30,40)及磁场增强器件,磁场增强组件(10,30,40)包括第一电介质层(100)、第一电极层(110)、第二电极层(120)、第三电极层(130)、第四电极层(140)和第七控制电路(630)。第一电极层(110)和第二电极层(120)设置于第一电介质层(100)的第一表面(101)。第三电极层(130)和第四电极层(140)设置于第一电介质层(100)的第二表面(102)。第一电极层(110)与第三电极层(130)构成第二结构电容(302)。第二电极层(120)与第四电极层(140)构成第三结构电容(303)。第七控制电路(630)连接于第一电极层(110)和第二电极层(120)之间,且包括第三电容(223)、第一电感(241)和第一开关电路(631)。第一电感(241)和第一开关电路(631)串联后的电路与第三电容(223)并联。第一开关电路(631)在射频发射阶段断开,使磁场增强组件(10,30,40)所在回路与检测部位谐振,增加磁场。第一开关电路(631)在射频发射阶段导通,不能增强磁场。

    超构表面器件及制备方法、核磁共振成像系统

    公开(公告)号:WO2020078101A1

    公开(公告)日:2020-04-23

    申请号:PCT/CN2019/101849

    申请日:2019-08-21

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 一种用于核磁共振成像系统的超构表面器件及制备方法、核磁共振成像系统。超构表面器件包括:印刷线路板(100),印刷线路板(100)包括电介质板(110)和分别设置在电介质板(110)正面和背面的第一电极(120)和第二电极(130),第一电极(120)沿第一方向延伸,第二电极(130)沿第二方向延伸,第一方向垂直于第二方向,且第二电极(130)在电介质板(110)上的正投影,位于第一电极(120)在电介质板(110)上正投影的两端,以构成平行板电容器;可变电容器(200),可变电容器(200)与平行板电容器并联连接。

Patent Agency Ranking