公开(公告)号：WO2014010768A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：PCT/KR2012/005561

申请日：2012-07-13

Applicant: 주식회사 에스피텍 ,  손희식

Inventor： 손희식

IPC: H05H1/34 ,  A61L9/22

CPC classification number: A61L9/22 ,  A61L2/14 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2412

Abstract: 유전체 장벽 방전 방식의 플라즈마 발생 전극 구조체가 제공된다. 본 발명의 전극 구조체는, 상하부 통전 전극; 상기 상부 통전 전극의 하부 및/또는 하부 통전 전극의 상부에 각각 형성된 상하부 유전체층; 상기 상하부 유전체층 상호간이나, 상기 상하부 유전체층중 어느 일측과 상기 상하부 통전 전극중 어느 일측과의 사이에 형성되어, 그 형성된 층들 간에 소정의 간격(d)을 유지하도록 하는 하나 이상의 돌출부; 상기 상하부 통전 전극과 유전체층의 적어도 1개소 이상에 형성된 관통공;을 포함하고, 상기 상하부 통전 전극에 직류 또는 교류 전압을 인가함으로써 상기 형성된 간격(d)에 플라즈마를 형성시키고, 플라즈마에 의해 발생되는 유체 활성종을 상기 관통공 내부로 유입되는 유체에 공급함으로써 유체를 정화시킬 수 있다.

Abstract translation: 提供一种用于产生等离子体的电介质阻挡放电型电极结构。 根据本发明的电极结构包括：上下柔性电极; 上下电介质层分别形成在上柔性电极之下和/或下柔性电极之下; 至少一个突起，其形成在上介电层和下电介质层之间，或者在上介电层和下电介质层的一侧之间以及上和下柔性电极的一侧之间，用于保持层之间的特定间隙（d） 形成; 以及形成在上下柔性电极和电介质层上的至少一个位置上的通孔，其中通过向上和下柔性电极施加直流或交流电而在所形成的间隙（d）中形成等离子体 电极和通过等离子体产生的活性物质流体被供应到被引入到通孔内部的流体，从而净化流体。

公开(公告)号：WO2017191961A1

公开(公告)日：2017-11-09

申请号：PCT/KR2017/004625

申请日：2017-05-01

Applicant: 손희식

Inventor： 손희식

IPC: C22C21/08 ,  C22F1/047 ,  B22D21/00 ,  B22D21/04

CPC classification number: B22D21/00 ,  B22D21/04 ,  C22C21/08 ,  C22F1/047

Abstract: 본 발명은 주물용 알루미늄 합금에 실리콘(Si), 마그네슘(Mg) 및 희토류 원소 등을 첨가함으로써 내식성과 유동성을 향상시킨 주물용 알루미늄 합금 및 그 합금의 제조방법에 관한 것이다. 특히 주물용 알루미늄 AC7A, AC7B, ALDC5, ALDC6, ALDC10 및 ALDC12 계열의 합금에 대한 개량 알루미늄 합금에 관한 것이다. 그의 구성은; 0.61~12.0중량%의 마그네슘(Mg); 1.0~12.0중량%의 실리콘(Si);을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种通过在铸造用铝合金中添加硅（Si），镁（Mg）和稀土元素来提高耐腐蚀性和流动性的铸造用铝合金及其制造方法 会的。 并且更具体地涉及用于铸铝AC7A，AC7B，ALDC5，ALDC6，ALDC10和ALDC12系列合金的改进的铝合金。 他的构成是; 0.61至12.0重量％的镁（Mg）; 1.0至12.0重量％的硅（Si）。

公开(公告)号：WO2018216832A1

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：PCT/KR2017/005432

申请日：2017-05-25

Applicant: 손희식

Inventor： 손희식

IPC: F28F21/08 ,  F28F19/00 ,  C22C21/18 ,  C22C21/10 ,  C22C21/16

Abstract: 본 발명은 열교환기 부품인 알루미늄 재질의 튜브, 핀 및 헤더의 내식성 향상에 관한 것이다. 그의 구성은; 알루미늄 합금 재질로 이루어진 1개 이상의 튜브(tube), 1개 이상의 헤더(header), 1개 이상의 브레이징용 헤더 클래드(clad), 1개 이상의 핀(fin)(또는 방열판), 1개 이상의 브레이징용 핀 클래드(clad); 상기 튜브의 부식전위는 -950mV ∼ 650mV의 범위; 상기 헤더의 부식전위는 상기 튜브의 부식전위를 기준으로 0mV ∼ +150mV의 범위; 상기 헤더 클래드의 부식전위는 상기 튜브의 부식전위를 기준으로 20mV ∼ +100mV의 범위; 상기 알루미늄 합금의 Cu 함량은 0.001~0.50중량%; 상기 알루미늄 합금의 Zn 함량은 0.001~5.00중량%;로 구성되고, 상기 튜브, 헤더 및 핀이 상기 헤더 클래드재와 핀 클래드재에 의해 브레이징 공정으로 접합되는 것을 특징으로 한다.