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公开(公告)号：WO2020122696A2
公开(公告)日：2020-06-18
申请号：PCT/KR2020/003940
申请日：2020-03-23
Applicant: 엘지전자 주식회사
IPC: H01L27/15
Abstract: 본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 베이스부 및 상기 베이스부 상에 각각 복수의 행 및 열로 배치되어 서로 교차하는 데이터 배선 및 게이트 배선; 상기 데이터 배선과 동일한 방향으로 연장되며, 인접한 두 개의 데이터 배선 사이에 배치되는 전원 배선; 상기 데이터 배선 및 게이트 배선과 연결되는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 구동되는 반도체 발광소자; 및 상기 반도체 발광소자와 오버랩 되는 한 쌍의 잔여 조립 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：WO2022102794A1
公开(公告)日：2022-05-19
申请号：PCT/KR2020/015678
申请日：2020-11-10
Applicant: 엘지전자 주식회사
IPC: H01L27/12 , H01L25/075 , H01L25/16 , G09G3/32
Abstract: AM(Active Matrix) 구동하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에 있어서, 커패시턴스의 용량을 증가하여 스위치 TFT의 누설로 인하여 발생하는 화질불량을 개선하는데 목적이 있다. 이를 위해, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는, 상기 반도체 발광 소자를 구동하는 구동 TFT, 스캔 신호를 수신하여 온 또는 오프하고 데이터 신호를 상기 구동 TFT로 전송하는 스위치 TFT, 상기 구동 TFT의 게이트 단자에 연결된 제1 메탈층과 상기 구동 TFT의 소스 단자 또는 드레인 단자에 연결된 제2 메탈층 사이에 형성되는 제1 커패시턴스, 및 상기 구동 TFT의 액티브 레이어와 상기 제2 메탈층 사이에 형성된 제2 커패시턴스를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2022097767A1
公开(公告)日：2022-05-12
申请号：PCT/KR2020/015315
申请日：2020-11-04
Applicant: 엘지전자 주식회사
IPC: G09G3/32 , G02F1/13357 , H01L25/075
Abstract: 본 발명은, AM(Active Matrix) 구동하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에 있어서, 디스플레이 장치를 구성하는 복수의 반도체 발광 소자간 휘도 불균일을 개선하는데 목적이 있다. 이를 위해, 일 실시예에 따른, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는, 상기 반도체 발광 소자 및 상기 반도체 발광 소자의 일 단부에 연결되는 구동 회로를 포함하는 단위 발광 영역, 상기 구동 회로에 스캔 신호를 제공하는 로우 드라이버, 상기 구동 회로에 데이터 신호를 제공하는 컬럼 드라이버, 상기 반도체 발광 소자의 타 단부에 제1 고정 전압을 인가하고 상기 구동 회로에 제2 고정 전압을 인가하고 상기 스캔 신호 및 상기 데티어 신호에 대응하여 사이 반도체 발광 소자에 전위차를 형성하는 전력 공급부, 및 상기 단위 발광 영역으로부터 피드백 신호를 수신하고, 상기 피드백 신호에 대응하여 상기 제1 고정 전압 또는 제2 고정 전압을 가변하는 전압가변회로를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2021080028A1
公开(公告)日：2021-04-29
申请号：PCT/KR2019/013898
申请日：2019-10-22
Applicant: 엘지전자 주식회사
IPC: H01L27/15 , H01L21/768 , H01L33/00 , H01L33/38
Abstract: 본 명세서에서는 기판에 수직형 구조의 반도체 발광 소자를 조립한 이후, 후속 공정에서 소자의 위치 변화 없이 안정적으로 배선 공정을 수행할 수 있는 새로운 형태의 디스플레이 장치를 제공한다. 여기서 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 기판, 상기 기판 상에 위치하는 한 쌍의 조립전극, 상기 조립전극 상에 위치하는 유전막, 상기 유전막 상에 위치하는 베이스 전극부 및 저융점 접합부를 포함하는 배선전극, 상기 배선전극의 일부 영역과 중첩되고 상기 유전막 상에 위치하는, 반도체 발광 소자가 조립되는 조립 홈을 정의하는 격벽; 및 상기 조립 홈에 조립되고, 상기 배선전극의 저융점 접합부와 전기적으로 연결되는 수직형 반도체 발광 소자를 포함하고, 상기 저융점 접합부는 상기 접합부의 열적 유동 특성을 제어하기 위한 유동 저지 각도를 가지는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：WO2019177247A1
公开(公告)日：2019-09-19
申请号：PCT/KR2019/000296
申请日：2019-01-08
Applicant: 엘지전자 주식회사
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/0304
Abstract: 본 발명의 한 측면에 따른 화합물 반도체 태양전지는, 화합물 반도체층을 구비하는 셀; 셀의 전면(front surface)에 위치하는 전면 전극; 셀의 후면(back surface)에 위치하는 후면 전극; 후면 전극의 후면에 위치하며, 셀을 지지하는 지지 기판; 및 후면 전극을 상기 지지 기판에 접착하는 접착제를 포함하고, 후면 전극과 접하는 접착제의 전면(front surface)은 텍스처링 표면으로 형성되고, 후면 전극의 전면 및 후면과 셀의 전면 및 후면은 접착제의 텍스처링 표면과 실질적으로 동일한 형상의 텍스처링 표면으로 각각 형성된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2019139337A1
公开(公告)日：2019-07-18
申请号：PCT/KR2019/000302
申请日：2019-01-08
Applicant: 엘지전자 주식회사
IPC: H01L31/036 , H01L31/0304 , H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/036 , H01L31/18
Abstract: 본 발명은 모기판, 상기 모기판을 이용한 화합물 반도체 태양전지의 제조 방법, 및 화합물 반도체 태양전지에 관한 것이다. 본 발명의 한 측면에 따른 모기판은 GaAs 단결정 웨이퍼 또는 Ge 단결정 웨이퍼; 및 상기 GaAs 단결정 웨이퍼 또는 Ge 단결정 웨이퍼의 한쪽 면과 물리적으로 직접 접촉하며, 두께 방향을 따라 격자상수가 변하는 변성층(metamorphic layer)을 포함한다. 상기 변성층의 양쪽 면 중에서 상기 GaAs 단결정 웨이퍼 또는 Ge 단결정 웨이퍼와 접촉하는 제1 면에서의 격자상수는 상기 제1 면의 반대쪽에 위치하는 제2 면에서의 격자상수보다 작게 형성되며, 상기 변성층의 격자상수는 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면으로 갈수록 계단식, 지수 함수적 또는 로그 함수적으로 증가할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2017131306A1
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：PCT/KR2016/008681
申请日：2016-08-08
Applicant: 엘지전자 주식회사
IPC: G01N33/00 , H01L31/04 , H01L31/0304 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/048 , G08C17/02 , H01L31/18 , H01M10/46
CPC classification number: H01M10/465 , G01D11/30 , H01L31/022425 , H01L31/048 , H01L31/053 , Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 제1 기판 위에서 외부의 환경 정보의 측정을 위하여 외부에 노출되도록 위치되는 센서부; 상기 센서부와 나란하게 배치되고, 빛을 받아 전원을 생성하는 태양 전지; 상기 제1 기판 위의 일 측에 위치되고, 상기 센서부로부터 측정된 정보를 외부 서버로 전송하는 무선 통신부; 및 상기 제1 기판 위의 다른 일 측에 위치되고, 상기 태양 전지로부터 전원을 공급받아 충전되며, 충전된 전원을 상기 센서부 및 상기 무선 통신부에 공급하는 화학 전지를 포함하고, 상기 태양 전지는, 제2 기판 위에 위치되고, 빛을 받아 상기 센서부에 공급되는 전원을 생성하는 화합물층; 및 상기 화합물층의 표면에 형성되는 금속 전극을 포함하는 플렉서블 센서 모듈에 관한 것이다.
Abstract translation: ＆lt; p num =“0000”＆gt;本发明包括传感器单元，该传感器单元定位成暴露于外部以测量第一基板上的环境信息; 太阳能电池与传感器单元并排布置并接收电力以发电; 无线通信单元，位于所述第一基板的一侧，并将由所述传感器单元测量的信息发送到外部服务器; 以及化学电池，其位于第一基板的另一侧并且从太阳能电池供电，并将充电的电力提供给传感器单元和无线通信单元， 位于第二基板上并接收电力以产生供应给传感器单元的电力的复合层; 并且在化合物层的表面上形成金属电极。
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公开(公告)号：WO2022065554A1
公开(公告)日：2022-03-31
申请号：PCT/KR2020/013095
申请日：2020-09-25
Applicant: 엘지전자 주식회사
Abstract: 본 발명은 디스플레이 장치 관련 기술 분야에 적용 가능하며, 예를 들어 LED(Light Emitting Diode)를 이용한 평면 조명 장치 및 디스플레이 장치에 관한 것이다. 본 발명은, 다수의 개별 단위구획 영역을 포함하는 디스플레이 장치에 있어서, 상기 개별 단위구획 영역에 구비되는 적어도 하나 이상의 발광 소자; 상기 발광 소자에 연결되는 게이트 온 전압 라인; 상기 다수의 개별 단위구획 영역에 공통전압을 인가하는 스캔 라인; 상기 다수의 개별 단위구획 영역에 개별 스위칭 전압을 인가하는 데이터 라인; 상기 발광 소자와 연결되는 구동 모스펫(MOSFET) 소자를 포함하는 구동부; 및 상기 스캔 라인 및 상기 데이터 라인과 연결되어 스위칭 작동을 하는 스위칭 모스펫(MOSFET) 소자를 포함하는 스위칭부를 포함하여 구성될 수 있다.
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公开(公告)号：WO2021100947A1
公开(公告)日：2021-05-27
申请号：PCT/KR2019/016320
申请日：2019-11-26
Applicant: 엘지전자 주식회사
Abstract: 본 발명의 실시예에 따르면, (a) 자성체를 구비하는 반도체 발광소자들을 유체 챔버 내 투입하는 단계; (b) 일 방향을 따라 연장 형성되고, 절연층에 의해 덮인 조립 전극들 및 상기 조립 전극들의 양단부 일부를 노출시키는 오픈홀들을 포함하는 기판을 조립 위치로 이송하는 단계; (c) 상기 유체 챔버 내 투입된 상기 반도체 발광소자들이 일 방향을 따라 이동하도록 상기 반도체 발광소자들에 자기력을 가하는 단계; 및 (d) 상기 이동하는 반도체 발광소자들이 상기 기판의 미리 설정된 위치에 안착되도록 전기장을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 (d) 단계는, 상기 오픈홀들을 통해 노출된 상기 조립 전극들에 프로브 핀을 접촉시켜 상기 조립 전극들에 개별적으로 전압을 인가하여 전기장을 형성하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：WO2019231062A1
公开(公告)日：2019-12-05
申请号：PCT/KR2018/013329
申请日：2018-11-05
Applicant: 엘지전자 주식회사
IPC: H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L31/036 , H01L31/05
Abstract: 본 발명의 한 측면에 따른 화합물 반도체 태양전지의 제조 방법은 모기판의 한쪽 면 위에 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층의 한쪽 면 위에 산소 흡수층을 형성하는 단계; 1개 이상의 셀을 형성하기 위한 화합물 반도체층을 상기 산소 흡수층 위에 형성하는 단계; ELO 공정을 실시하여 상기 희생층을 제거함으로써, 상기 1개 이상의 셀 및 상기 산소 흡수층을 상기 모기판과 분리하는 단계; 및 상기 산소 흡수층을 제거하는 단계를 포함한다.
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