유기트랜지스터
    10.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2019054655A2

    公开(公告)日:2019-03-21

    申请号:PCT/KR2018/009524

    申请日:2018-08-20

    Abstract: 본 명세서는 소스 전극; 드레인 전극; 게이트 전극; 절연층 및 1층 이상의 유기반도체층을 포함하고, 상기 유기반도체층 중 1층 이상은 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 유기트랜지스터에 관한 것이다.

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